组合功能IC单元器件、布局和方法技术

本申请公开了组合功能IC单元器件、布局和方法。一种集成电路(IC)器件，包括在第一方向上延伸的第一和第二电源参考电压电源轨、在第一和第二电源轨之间沿第一方向延伸的第三电源电压电源轨、垂直于第一方向延伸的栅极结构、在第一和第二电源轨下面的端点之间连续地延伸的两个末端栅极结构中的每一个、以及在末端栅极结构之间沿第一方向延伸的第一至第四多个有源区域。第一至第四多个有源区域中的每一个的有源区域在第一方向上对齐。一个的有源区域在第一方向上对齐。一个的有源区域在第一方向上对齐。

【技术实现步骤摘要】
组合功能IC单元器件、布局和方法


[0001]本公开总体涉及组合功能IC单元器件、布局和方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)小型化的持续趋势使得器件越来越小，消耗功率更少，在比早期技术更高的速度下提供更多的功能。这种小型化是通过与日益严格的规范相关的设计和制造创新来实现的。各种电子设计自动化(EDA)工具用于生成、修改和验证半导体器件的设计，同时确保满足IC结构设计和制造规范。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：第一电源轨和第二电源轨，在第一方向上延伸，其中，所述第一电源轨和所述第二电源轨中的每一个被配置为载送电源参考电压；第三电源轨，在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间沿所述第一方向延伸，其中，所述第三电源轨被配置为载送电源电压；多个栅极结构，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，所述多个栅极结构中的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构中的每一个从所述第一电源轨下面的第一端点连续地延伸到所述第二电源轨下面的第二端点；以及第一多个有源区域至第四多个有源区域，在所述多个栅极结构中的所述第一末端栅极结构和所述第二末端栅极结构之间沿所述第一方向延伸，所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域中的每一个的有源区域在所述第一方向上对齐，其中，所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第一部分被配置为功能电路，并且所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第二部分被配置为去耦电容器或天线二极管中的一者。/>[0004]根据本公开的第二方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：多个栅极结构，在第一方向上延伸，其中，所述多个栅极结构中的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构中的每一个从第一端点连续地延伸到第二端点；第一电源轨和第二电源轨，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，所述第一电源轨和所述第二电源轨中的每一个被配置为载送电源参考电压，所述第一电源轨覆盖所述多个栅极结构中的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构中的每一个的第一端点，并且所述第二电源轨覆盖所述多个栅极结构中的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构中的每一个的第二端点；第三电源轨，在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间沿所述第二方向延伸，其中，所述第三电源轨被配置为载送电源电压；以及第一多个有源区域至第四多个有源区域，在所述多个栅极结构中的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构之间沿所述第二方向延伸，所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域中的每一个的有源区域在所述第二方向上对齐，其中，所述多个栅极结构、所述第一多个有源区域中的有源区域的第一子集的第一部分以及第二多个有源区域至所述第四多个有源区域中的每一个的整体被配置为电平移位器，并且所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域中的有源区域的第二子集的第二部分被配置为去耦电容器或天线二
极管中的一者。
[0005]根据本公开的第三方面，提供了一种制造集成电路(IC)器件的方法，该方法包括：在半导体晶圆中，形成在第一方向上延伸的第一多个有源区域至第四多个有源区域，构建在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多个栅极结构，其中，构建所述多个栅极结构包括：构建从第一端点连续地延伸到第二端点的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构中的每一个，由此所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域中的每一个的有源区域在所述第一末端栅极结构和所述第二末端栅极结构之间沿所述第一方向对齐；并且在金属层中，通过以下方式形成在所述第一方向上延伸的第一电源轨至第三电源轨和导电段：用所述第一电源轨覆盖所述第一末端栅极结构和所述第二末端栅极结构中的每一个的第一端点，用所述第二电源轨覆盖所述第一末端栅极结构和所述第二末端栅极结构中的每一个的第二端点，在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间延伸所述第三电源轨，以及在所述第一电源轨和所述第三电源轨之间延伸所述导电段，其中，所述第一电源轨至所述第三电源轨、所述多个栅极结构的第一部分、所述第一多个有源区域的第一部分以及第二多个有源区域至所述第四多个有源区域的整体被配置为电平移位器，并且所述导电段、所述多个栅极结构的第二部分和所述第一多个有源区域的第二部分被配置为去耦电容器或天线二极管中的一者。
附图说明
[0006]在结合附图阅读时，可以通过下面的具体实施方式来最佳地理解本公开的各方面。应当注意，根据该行业的标准惯例，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意地增大或减小。
[0007]图1是根据一些实施例的IC布局和对应的IC器件的平面图的图示。
[0008]图2A是根据一些实施例的IC单元和对应的IC器件的示意图。
[0009]图2B是根据一些实施例的IC单元和对应的IC器件的平面图的图示。
[0010]图3A是根据一些实施例的IC单元和对应的IC器件的示意图。
[0011]图3B是根据一些实施例的IC单元和对应的IC器件的平面图的图示。
[0012]图4是根据一些实施例的制造IC器件的方法的流程图。
[0013]图5是根据一些实施例的生成IC布局图的方法的流程图。
[0014]图6是根据一些实施例的IC布局图生成系统的框图。
[0015]图7是根据一些实施例的IC制造系统以及与其相关联的IC制造流程的框图。
具体实施方式
[0016]下面的公开内容提供了用于实现所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下面描述了组件、值、步骤、操作、材料或布置等的具体示例以简化本公开。当然，这些仅是示例而不旨在进行限制。可以设想其他组件、值、操作、材料或布置等。例如，在下面的描述中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可以包括第一特征和第二特征以直接接触方式形成的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个示例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不表示所讨论的各个实
施例和/或配置之间的关系。
[0017]此外，本文可能使用了空间相关术语(例如，“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)，以易于描述如附图中所示的一个要素或特征与另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语旨在涵盖器件在使用或操作中除了附图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式取向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文使用的空间相关描述符可以类似地进行相应解释。
[0018]在各种实施例中，一种基于IC布局图的IC器件包括至少一个基于布局单元的IC器件，其中第一部分包括被配置为主要功能电路的元件，例如电平移位器，并且第二部分包括被配置为辅助功能电路的元件，例如去耦电容器或天线二极管中的一者。与其中被配置为去耦电容器和天线二极管的单元与被配置为主要功能电路的单元分离的方法相比，减小了整个IC器件空间。
[0019]如下所述，图1、图2B和图3B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)器件，包括：第一电源轨和第二电源轨，在第一方向上延伸，其中，所述第一电源轨和所述第二电源轨中的每一个被配置为载送电源参考电压；第三电源轨，在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间沿所述第一方向延伸，其中，所述第三电源轨被配置为载送电源电压；多个栅极结构，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，所述多个栅极结构中的第一末端栅极结构和第二末端栅极结构中的每一个从所述第一电源轨下面的第一端点连续地延伸到所述第二电源轨下面的第二端点；以及第一多个有源区域至第四多个有源区域，在所述多个栅极结构中的所述第一末端栅极结构和所述第二末端栅极结构之间沿所述第一方向延伸，所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域中的每一个的有源区域在所述第一方向上对齐，其中，所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第一部分被配置为功能电路，并且所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第二部分被配置为去耦电容器或天线二极管中的一者。2.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第一部分包括所述第一多个有源区域中的有源区域的第一子集和第二多个有源区域至所述第四多个有源区域中的每一个的整体，并且所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第二部分包括所述第一多个有源区域中的有源区域的第二子集。3.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述第一多个有源区域中的有源区域的第一子集包括第一有源区域和第二有源区域，并且所述第一多个有源区域中的有源区域的第二子集包括位于所述第一有源区域和所述第二有源区域之间的第三有源区域。4.根据权利要求2所述的IC器件，还包括：第一n阱至第三n阱，其中，所述第二多个有源区域和第三多个有源区域中的每一个包括位于所述第一n阱至第三n阱中的每一个中的至少一个有源区域。5.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第一部分包括第一多个栅极结构部分，并且所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第二部分包括第二多个栅极结构部分，所述第二多个栅极结构部分在所述第二方向上与所述第一多个栅极结构部分对齐，并且与所述第一多个栅极结构部分电隔离。6.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第二部分被配置为所述去耦电容器，所述去耦电容器包括：导电段，在所述第一电源轨和所述第三电源轨之间沿所述第一方向延伸，其中，所述导
电段被配置为载送所述电源电压；以及多个过孔结构，被配置为将所述导电段耦合到所述第二部分的相应栅极结构。7.根据权利要求1所述的IC器件，其中，所述多个栅极结构和所述第一多个有源区域至所述第四多个有源区域的第二部分被配置为所述天线二极管，所述天线二极管包括：导电段，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄莹，黄昌林，丁婧，孟庆超，
申请(专利权)人：台积电南京有限公司，
类型：发明
国别省市：