电流分配引脚结构及其形成方法技术

本公开涉及电流分配引脚结构及其形成方法。一种集成电路(IC)中的电流分配结构，包括：衬底；以及在衬底上的第一有源区域和第二有源区域。第一组栅极结构和第二组栅极结构与第一有源区域和第二有源区域相应地交叠。第一金属化层中的第一导电结构与第一有源区域交叠，并且电耦合到第一组栅极结构。第一金属化层中的第二导电结构与第二有源区域交叠，并且电耦合到第二组栅极结构。第二金属化层中的第三导电结构电耦合到第一导电结构和第二导电结构。结构电耦合到第一导电结构和第二导电结构。结构电耦合到第一导电结构和第二导电结构。

【技术实现步骤摘要】
电流分配引脚结构及其形成方法


[0001]本公开涉及电流分配引脚结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在金属中，电迁移(EM)是由导体中的阳离子(即，金属离子的正离子)的运动而引起的材料转移，该导体中的阳离子的运动是由于导电电子(即，运动中的电子)和阳离子之间的动量转移而引起的。导体材料的转移有可能在导体中产生断裂，从而形成开路，并且由此阻止电流流动。还有可能将导体材料转移到相邻导体并且造成电短路。在使用高直流(DC)密度的应用(例如，微电子和相关结构)中观察到EM。随着电子产品(例如，集成电路(IC))的结构尺寸减小，EM的实际意义增大。
[0003]随着小型化程度的提高，在超大规模集成(VLSI)和极大规模集成(ULSI)电路中，随着电流密度的增加(例如，随着导体尺寸减小，电流密度增加)，由于EM而引起的故障增加。具体地，随着集成电路(IC)变得越来越小，导线宽度以及导线横截面面积随着时间的推移而继续减小。虽然电流会随着电源电压的降低和栅极电容的不断缩小而减少，但是电流减少会受到频率增加的限制。在电容电路中，随着频率增加，电流和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)中的电流分配结构，所述结构包括：衬底；第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域在所述衬底上在第一方向上相应地延伸，所述第二有源区域与所述第一有源区域在基本垂直于所述第一方向的第二方向上分离；第一组栅极结构和第二组栅极结构，所述第一组栅极结构和所述第二组栅极结构在所述第二方向上延伸并且与所述第一有源区域和所述第二有源区域相应地交叠；第一导电结构，在第一金属化层中，所述第一导电结构在所述第一方向上延伸、至少部分地与所述第一有源区域交叠、并且电耦合到所述第一组栅极结构；第二导电结构，在所述第一金属化层中，所述第二导电结构在所述第一方向上延伸、至少部分地与所述第二有源区域交叠、并且电耦合到所述第二组栅极结构；以及第三导电结构，在第二金属化层中，所述第三导电结构在所述第二方向上延伸、至少部分地与所述第一导电结构和所述第二导电结构交叠、并且电耦合到所述第一导电结构和所述第二导电结构。2.根据权利要求1所述的结构，还包括：第四导电结构，在第三金属化层中，所述第四导电结构在所述第一方向上延伸，并且所述第四导电结构至少部分地与所述第三导电结构交叠并且电耦合到所述第三导电结构。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第四导电结构位于所述第一有源区域和所述第二有源区域之间。4.根据权利要求2所述的结构，还包括：第一过孔，电耦合到所述第三导电结构和所述第四导电结构。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三导电结构位于所述第一组栅极结构和所述第二组栅极结构之间。6.根据权利要求1所述的结构，还包括：第一栅极过孔(VG)，电耦合到所述第一导电结构以及所述第一组栅极结构中的第一相应栅极结构；以及第二VG，电耦合到所述第二导电结构以及所述第二组栅极结构中的第二相应栅极结构。7.根据权利要求6所述的结构，还包括：第三VG，电耦合到所述第一导电结构以及所述第一组栅极结构中的第三相应栅极结构。8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：线怀鑫，张吉宝，严章英，孟庆超，
申请(专利权)人：台积电南京有限公司，
类型：发明
国别省市：