【技术实现步骤摘要】
一种静电保护电路
[0001]本专利技术涉及静电保护
，尤其涉及一种静电保护电路。
技术介绍
[0002]随着半导体工艺技术的进步，芯片规模越来越大，电路功能日益复杂，同时，芯片的集成度越来越高，使得芯片对静电事件的敏感程度也变得更高，并且静电所产生的放电电压在几千甚至几万伏之间，对芯片造成不可恢复的损伤，因此，对集成电路行业而言，静电事件对其影响是相当严重的，而且出于对信号完整性的考虑，对保护电路的要求也越来越高。
[0003]但是目前的静电防护电路通常采用叉指结构的场效应管，这会导致场效应管内可能只有2～3根叉指优先导通，存在导通不均匀的问题，降低静电防护能力。
技术实现思路
[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种静电保护电路，包括：
[0005]一电流引导模块，所述电流引导模块的第一输入端连接一芯片端口，所述电流引导模块的第二输入端连接地端；
[0006]一电流泄放模块，所述电流泄放模块的输入端连接所述电流引导模块的输出端，所述电流泄放模块的输出端连接地端...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，其特征在于，包括:一电流引导模块，所述电流引导模块的第一输入端连接一芯片端口，所述电流引导模块的第二输入端连接地端；一电流泄放模块，所述电流泄放模块的输入端连接所述电流引导模块的输出端，所述电流泄放模块的输出端连接地端，所述电流泄放模块内设有栅极耦合结构；所述芯片端口产生正向静电脉冲时，通过所述电流引导模块将所述正向静电脉冲引导至所述电流泄放模块，并通过所述电流泄放模块的所述栅极耦合结构将所述正向静电脉冲泄放至地端进行静电保护；所述地端产生负向静电脉冲时，通过所述电流引导模块将所述负向静电脉冲泄放至所述芯片端口。2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述电流引导模块为第一引导模块，所述第一引导模块的第一输入端连接一低压芯片端口，所述第一引导模块的第二输入端连接地端，通过所述第一引导模块将所述低压芯片端口产生的低压正向静电脉冲引导至所述电流泄放模块；以及将所述地端产生的所述负向静电脉冲泄放至所述低压芯片端口。3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一引导模块包括：一第一二极管，所述第一二极管的正极连接所述低压芯片端口，所述第一二极管的负极连接所述电流泄放模块的输入端；一第二二极管，所述第二二极管的负极连接所述低压芯片端口，所述第二二极管的正极连接所述地端；所述第一二极管的正极作为所述第一引导模块的所述第一输入端，所述第二二极管的正极作为所述第一引导模块的所述第二输入端，所述第一二极管的负极作为所述第一引导模块的所述输出端；所述芯片端口产生所述低压正向静电脉冲时，所述第一二极管导通，所述第二二极管截止，通过所述第一二极管将所述低压正向静电脉冲引导至所述电流泄放模块；所述地端产生所述负向静电脉冲时，所述第二二极管导通，所述第一二极管截止，通过所述第二二极管将所述负向静电脉冲引导至所述低压芯片端口。4.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管为降容二极管。5.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述电流泄放模块为第一泄放模块，所述第一泄放模块内设有一个所述栅极耦合结构，所述第一泄放模块包括：一第三二极管，所述第三二极管的负极连接所述第一引导模块的输出端；一第一场效应管，所述第一场效应管的栅极连接所述第三二极管的正极，所述第一场效应管的漏极连接所述第三二极管的负极，所述第一场效应管的源极连接所述地端；一第一电阻，所述第一电阻的一端连接所述第一场效应管的栅极，所述第一电阻的另一端连接所述第一场效应管的源极；所述第三二极管的负极作为所述第一泄放模块的输入端，所述第一场效应管的源极作为所述第一泄放模块的输出端；所述低压正向静电脉冲传输至所述第三二极管的负极并击穿所述第三二极管以提高所述第一场效应管的栅极电压，并在所述栅极电压大于预设的第一阈值时完全导通所述第
一场效应管以泄放所述低压正向静电脉冲至所述地端。6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述第三二极管为齐纳二极管。7.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述电流引导模块为第二引导模块，所述第二引导模块的第一输入端连接一高压芯片端口，所述第二引导模块的第二输入端连接地端，通过所述第二引导模块将所述芯片端口产生的高压正向静电脉冲引导至所述电流泄放模块；以及将所述地...
【专利技术属性】
技术研发人员：许建蓉，姚和平，苏海伟，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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