静电保护电路、功率GaN晶体管和设备终端制造技术

本申请涉及静电保护电路、功率GaN晶体管和设备终端，静电保护电路包括双栅GaN晶体管，双栅GaN晶体管从下至上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层和势垒层，势垒层上设置有漏极、源极、第一P型GaN层、第二P型GaN层、第一栅极和第二栅极，第一栅极与第一P型GaN层形成肖特基接触，第二P型GaN层和第二栅极形成肖特基接触，静电保护电路还包括第一二极管、第二二极管和保护电阻，第一二极管的阳极与漏极连接，第一二极管的阴极与第一栅极相连接，第二二极管的阳极与源极相连接，第一二极管的阴极和第二二极管的阴极之间设置有保护电阻，该静电保护电路能有效的避免被保护器件因承受过高的电场而失效。电场而失效。电场而失效。

【技术实现步骤摘要】
静电保护电路、功率GaN晶体管和设备终端


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种静电保护电路、功率GaN晶体管和设备终端。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体的代表之一氮化镓材料具有高禁带宽度、高电子迁移率高、高临界击穿电场强度、高电子饱和速度和高热导率等优点，基于氮化镓材料的半导体器件尤其是氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）成为研究热点并不断应用到功率和射频电子领域。常规的氮化镓半导体器件为耗尽型，为了实现增强型器件，业界提出了多种结构如槽栅、P型GaN层以及超薄势垒层等，出于工艺水平和器件性能的考虑，P型GaN层结构成为当今的主流结构并实现了商业化大规模量产。
[0003]具有P型GaN层的GaNHEMT的栅极具有两个二极管串联结构，其中栅极与P型GaN形成肖特基二极管，P型GaN与AlGaN势垒层形成PN结二极管。栅极加正向偏压时，肖特基二极管反偏，PN结二极管正偏。栅极加负向偏压时，肖特基二极管正偏，PN结二极管反偏。由于栅极这两个二极管在栅极加任何偏置条件情况下始终有一个处于关断状态，因此上述具有P型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，其特征在于，包括双栅GaN晶体管，所述双栅GaN晶体管从下至上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层上设置有漏极、源极、第一P型GaN层、第二P型GaN层、第一栅极和第二栅极，所述漏极与所述源极分别与所述势垒层形成欧姆接触，所述第一栅极与所述第一P型GaN层形成肖特基接触，所述第二P型GaN层和第二栅极形成肖特基接触；所述静电保护电路还包括第一二极管、第二二极管和保护电阻，所述第一二极管的阳极与所述漏极连接，所述第一二极管的阴极与所述第一栅极相连接；所述第二二极管的阳极与所述源极相连接，所述第二二极管的阴极与所述第二栅极相连接；所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极之间设置有所述保护电阻。2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述保护电阻为二维电子气电阻。3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一二极管和/或所述第二二极管为通过将具有P型GaN层的GaN晶体管的栅极与源极短接而形成。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，
申请(专利权)人：成都氮矽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：