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本申请涉及静电保护电路、功率GaN晶体管和设备终端，静电保护电路包括双栅GaN晶体管，双栅GaN晶体管从下至上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层和势垒层，势垒层上设置有漏极、源极、第一P型GaN层、第二P型GaN层、第一栅极和第二栅极...
该专利属于成都氮矽科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都氮矽科技有限公司授权不得商用。

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