【技术实现步骤摘要】
本揭露的部分实施方式是关于集成电路装置。
技术介绍
1、一种类型的集成电路记忆体是静态随机存取记忆体(static random accessmemory，sram)装置。sram记忆体装置包含位元单元阵列，其中每一位元单元具有连接于上参考电位与下参考电位之间的六个晶体管。每一位元单元具有可储存信息的两个储存节点。第一节点储存所需信息，而补充信息储存于第二储存节点处。sram单元具有在不需要再新的情况下保存数据的有利特征。
技术实现思路
1、根据本技术的一些实施例，一种集成电路装置包含多个静态随机存取记忆体(static random access memory，sram)单元、第一位元线、电容器、写入驱动器晶体管及负电压产生器电路。第一位元线与sram单元的行耦接，其中第一位元线实质上沿着第一方向延伸。电容器包含第一电极及与第一电极间隔开的第二电极。在俯视图中，第一电极具有实质上沿着第一方向延伸的至少一条第一金属线，且至少一条第一金属线的长度小于第一位元线的长度。写入驱动器晶体管耦接于第...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，其中在该俯视图中，该第一电极的该至少一条第一金属线与该静态随机存取记忆体单元重叠。
3.如权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，其中与该第一电极的该至少一条第一金属线重叠的所述多个静态随机存取记忆体单元的一数目少于与该第一位元线重叠的所述多个静态随机存取记忆体单元的一数目。
4.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，其中在该俯视图中，该第二电极具有实质上沿着该第一方向延伸的至少一条第二金属线，且该至少一条第二金属线的一长度小于该第一位
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，其中在该俯视图中，该第一电极的该至少一条第一金属线与该静态随机存取记忆体单元重叠。
3.如权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，其中与该第一电极的该至少一条第一金属线重叠的所述多个静态随机存取记忆体单元的一数目少于与该第一位元线重叠的所述多个静态随机存取记忆体单元的一数目。
4.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，其中在该俯视图中，该第二电极具有实质上沿着该第一方向延伸的至少一条第二金属线，且该至少一条第二金属线的一长度小于该第一位元线的该长度。
5.一种集成电路装...
【专利技术属性】
技术研发人员：林姿均，黄健羽，李政宏，刘俊丞，周晏圻，徐绍轩，
申请(专利权)人：台积电南京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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