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一种集成电路装置包含多个静态随机存取记忆体(SRAM)单元、一第一位元线、一电容器、一写入驱动器晶体管及一负电压产生器电路。该第一位元线与所述多个SRAM单元的一行耦接，其中该第一位元线实质上沿着一第一方向延伸。该电容器包含一第一电极及与该...
该专利属于台积电（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台积电（南京）有限公司授权不得商用。

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