处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备制造技术

一种处理基板用的真空腔室包含：腔室本体；及腔室盖，与该腔室本体相结合，其中该腔室盖包含：框架，具有数个开口；及数个平板，与该数个开口相结合，该数个平板中的每一者皆具有比该框架更高的导热性。本发明专利技术的真空腔室可防止因强度提升所致的变形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种用于处理基板的真空腔室，特别是关于一种具有腔 室盖的真空腔室及包含该真空腔室的设备。
技术介绍
一般而言，半导体装置(例如平面显示装置及太阳能电池)的处理包含重复以下步骤沉积薄膜；图案化光阻(PR)层的光微影步骤；及蚀刻 图案的薄膜。沉积步骤及蚀刻步骤可在具有与外部分开的反应空间的设备 的腔室内施行，例如可将包含承载(load-lock)腔室、传送腔室、及处理 腔室的群集型(cluster type)设备用于沉积步骤及蚀刻步骤，传送腔室 及处理腔室在沉积步骤及蚀刻步骤期间可具有真空状态。特别是，由于基 板是由具有大气状态的外部输入至承载腔室内，且基板是由承载腔室传送 至具有真空状态的传送腔室，故承载腔室可交替地具有大气状态及真空状 态。图1为显示根据相关技艺的群集型设备的图式。在图1中，群集型设备10包含基板装载器/卸载器18、承载腔室12、 传送腔室14及数个处理腔室16。将数个基板20输入至基板装载器/卸载器 18内以用于处理，且在处理完成后将数个基板20自基板装载器/卸载器18 输出。承载腔室12被设置于基板装载器/卸载器18与传送腔室14之间， 因此，数个基板20自基板装载器/卸载器18经由承载腔室12而被运送至 传送腔室14。基板装载器/卸载器18包含第一机器人24，其是用以将数个 基板20自基板装载器/卸载器18运送至承载腔室12;而传送腔室14包含 第二机器人22，其是用以将数个基板20自承载腔室12运送至数个处理腔 室16。图2为显示根据相关技艺的群集型设备的承载腔室的展开透视图。 在图2中，承载腔室12包含腔室本体28及腔室盖29，腔室本体28包含第一至第四侧壁30， 32， 34及36，第一及第二侧壁30及32分别具有 用于基板传送的第一及第二狭槽阀31及33，而第三及第四侧壁34及35则 位于第一及第二侧壁30及32之间。结果，(图1的)基板20自(图1的) 基板装载器/卸载器18经由第一狭槽阀31而被输入至承载腔室12，且基板 20自承载腔室12经由第二狭槽阀33而被输出至(图l的)传送腔室14。 第三及第四侧壁34及36中的每一者皆具有观察口 38，其是用以检查承载 腔室12的内侧；可打开观察口 38以进行检查，且其可于检查后关闭。腔 室本体28及腔室盖29可由金属材料例如铝(Al)所形成。再者，可将扩散器40形成于第三及第四侧壁34及36其中一者上，而 真空状态的承载腔室12是借由透过扩散器40所注入的气体加以通气以具 有大气状态，举例而言，可透过扩散器40而使氮气(N2)扩散进入承载腔 室12;将真空泵(未图示)连接至承载腔室12以获得真空状态。此外，将 彼此隔开的数个基板支台42形成于承载腔室12中。将基板20装载于数个 基板支台42上，并将传送腔室14的第二机器人22的手臂嵌入至基板支台 42之间的空间内。因此，利用第二机器人22，基板20即自承载腔室12经 由第二狭槽阀33而被运送至传送腔室14。数个基板支台42可包含用以加 热基板20的加热装置(未图示)。对承载腔室12进行抽气，以由大气状态转换至真空状态；对其进行通 气，以由真空状态转换至大气状态。如此，对于承载腔室12重复地施行抽 气及通气；此外，加热基板20以便具有承载腔室12中的处理温度。由于 承载腔室12是由具有相对低强度的金属材料(例如铝(Al))所形成，故 承载腔室12的腔室本体28及腔室盖29可能因为在一相对高温度下重复抽 气及通气而变形，结果造成承载腔室12的使用寿命缩短。
技术实现思路
因此，本专利技术是针对处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备， 其实质上消除了由于相关技艺的限制及缺点所致的一个以上问题。本专利技术的一目的为提供可防止因强度提升所致的变形的真空腔室。 本专利技术的另一目的为提供真空腔室的腔室盖，其包含框架及数个平板。 本专利技术的另一目的为提供真空腔室的腔室盖，其包含冷却用的流动通道。本专利技术的一种处理基板用的真空腔室包含腔室本体；及腔室盖，与 该腔室本体相结合，其中该腔室盖包含框架，具有数个开口；及数个平 板，与该数个开口相结合，该数个平板中的每一者皆具有比该框架更高的 导热性。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该框架包含第一金属材 料，且该数个平板中的每一者皆包含具有比该第一金属材料更低强度的第 二金属材料。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该腔室本体包含该第一 金属材料，且该第一金属材料包含不锈钢，而该第二金属材料包含铝。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该腔室本体包含构成具 有第一凸出部的顶部的数个侧壁，其中该框架包含具有第二凸出部及中央 部的边缘部，其中该边缘部与该顶部相结合，以使该第二凸出部借由该第 一凸出部加以支撑，且将该中央部嵌入于由该数个侧壁所形成的空间内， 且其中将第一衬垫及第一密封装置设置于该第一及第二凸出部之间。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该第一及第二凸出部分 别包含第一及第二沟槽，且其中该第一衬垫被嵌入于该第二沟槽内，而该 第一密封装置被嵌入于该第一沟槽内。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该第一衬垫包含铁氟龙(Teflon)而该第一密封装置包含O形环。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该顶部的侧表面与该边 缘部的侧表面相隔开。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该数个开口中的每一者 皆包含悬吊部及敞开部，且其中该数个平板中的每一者皆包含由该悬吊部 加以支撑的上部及被嵌入于该敞开部内的下部。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该悬吊部及该上部是借 由数个螺栓而彼此结合，且其中将第二衬垫及第二密封装置设置于该悬吊 部与该上部之间。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该上部包含第三沟槽且 该悬吊部包含第四沟槽，且其中该第二衬垫被嵌入于该第三沟槽内，而该第二密封装置被嵌入于该第四沟槽内。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于将该数个螺栓设置于该 第二衬垫与该第二密封装置之间。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该上部的侧表面与该数个 开口中的每一者的边界侧表面相隔第一间隙距离。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该第一间隙距离在约50匪至约150 mm的范围内。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该悬吊部的侧表面与该 下部的侧表面相隔第二间隙距离。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该第二间隙距离在约5mm 至约15 mm的范围内。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该数个平板中的每一者皆包含第一流动通道，且该框架包含连接至该第一流动通道的第二流动通 道，且其中冷媒流经该第一及第二流动通道。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于是将该数个平板焊接至 该框架内。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于还包含在该腔室本体中 的数个基板支台。所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于还包含连接至该腔室本 体以获得真空状态的真空泵及在该腔室本体中用以获得大气状态的扩散器o所述的处理基板用的真空腔室，其特征在于该真空腔室为承载腔室 (load-lock chamber)及处理腔室其中一者。综上所述，本专利技术的真空腔室可防止因强度提升所致的变形，根据本 专利技术的群集型设备中，由于腔室盖包含具有相对高强度的第一金属材料的 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板用的真空腔室，包含：　腔室本体；及　腔室盖，与该腔室本体相结合，其中该腔室盖包含：　框架，具有数个开口；及　数个平板，与该数个开口相结合，该数个平板中的每一者皆具有比该框架更高的导热性。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贤范，车安基，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]