一种高可靠SiC模块制造技术

本发明专利技术公开了一种高可靠SiC模块，涉及电力电子功率模块技术领域。该高可靠SiC模块包括底板、塑封体，塑封体包括塑封外壳、绝缘基板、芯片组、电路电极和紧固端子；塑封体除底部与底板通过焊层连接外，其外部的紧固端子也与底板连接；除了必要的焊层外，塑封体与底板之间还设有辅助固定二者的紧固端子。通过紧固端子与底板之间加强连接，能够在应用至振动工况时，降低振动传递至塑封体的幅度，对底部焊层起到保护作用，同时加强塑封体与底板之间的连接强度。接强度。接强度。

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠SiC模块


[0001]本专利技术涉及电力电子功率模块
，特别是涉及一种高可靠SiC模块。

技术介绍

[0002]近几十年来，以新发展起来的第三代宽禁带功率半导体材料碳化硅(SiC)为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。与第一代半导体材料和第二代半导体材料相比，SiC的禁带宽度更宽，耐高温特性更强，开关频率更高，损耗更低，稳定性更好，被广泛应用于替代硅基材料或硅基材料难以适应的应用场合。
[0003]封装是芯片应用的重要一环，由于SiC模块的封装难度高，一般需要结合其特性，采用塑封、铜带绑定、银烧结、直接烧结等架构，其中塑封是最常见的封装形式。
[0004]图1为目前最常见的6in1塑封模块封装形式，其上部的塑封体与底板仅通过焊层连接，连接方式简单。
[0005]当该模块应用于存在振动的工况时，振动所带来的冲击力会通过端子传递到模块的焊层，对焊层产生周期的疲劳损伤，进而影响模块的长期可靠性，降低模块的性能和寿命。

技术实现思路

[0006]为了解决以上技术问题，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高可靠SiC模块，其特征在于：包括底板(2)和若干组固定在所述底板(2)上的塑封体(1)，所述塑封体(1)包括塑封外壳、封装在所述塑封外壳中的芯片组(5)和电路电极(4)，以及固定于所述塑封外壳上的紧固端子(3)；所述塑封体(1)底部与所述底板(2)通过焊层相对固定；所述紧固端子(3)与所述底板(2)之间固定连接，二者固定连接的方式为焊接或机械锁固。2.根据权利要求1所述的一种高可靠SiC模块，其特征在于：所述紧固端子(3)与所述底板(2)焊接时，选择钎焊、超声焊或激光焊中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的一种高可靠SiC模块，其特征在于：所述紧固端子(3)与所述底板(2)机械锁固时，选择...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨阳，刘杰，郝凤斌，李聪成，肖建祥，
申请(专利权)人：扬州国扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：