高能量密度圆筒形二次电池制造技术

本发明专利技术提供一种高能量密度圆筒形二次电池，其包括外壳、盖帽组件、第一极耳和第二极耳。外壳包括主筒和端片。盖帽组件包括顶盖、外绝缘片、极柱和防爆片。顶盖、外绝缘片和极柱三者热压为一体，顶盖连接于主筒的另一端，顶盖背对端片的一侧中部设置有第一限位槽，第一限位槽的底部设置有第一通孔，其直径小于第一限位槽的直径。外绝缘片为环形，其位于第一限位槽内，极柱包括主体片，主体片连接于外绝缘片远离端片的一侧，极柱与顶盖隔离设置。本发明专利技术的高能量密度圆筒形二次电池，其封装时不需要在外壳形成辊槽，不会额外占用电池的高度空间，有效提高了电池能量密度。有效提高了电池能量密度。有效提高了电池能量密度。

【技术实现步骤摘要】
高能量密度圆筒形二次电池


[0001]本专利技术涉及电池
，特别涉及一种高能量密度圆筒形二次电池。

技术介绍

[0002]二次电池被广泛应用于太阳能灯具、草坪灯具、后备能源、电动工具和玩具模型上。现有技术中的二次电池，其包括外壳、顶盖、PTC元件、爆破片和密封圈。顶盖、PTC元件和爆破片依次堆叠在一起，密封圈包裹在上述三者的外部，并对外壳进行卷边，将顶盖、PTC元件、爆破片和密封圈封装，同时外壳形成辊槽。因辊槽占据了部分高度空间，导致现有技术中的二次电池能量密度较低。
[0003]故需要提供一种高能量密度圆筒形二次电池来解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种高能量密度圆筒形二次电池，其不需要在外壳形成辊槽，不会额外占用电池的高度空间，有效提高了电池能量密度。
[0005]本专利技术的技术方案为：
[0006]一种高能量密度圆筒形二次电池，其包括：
[0007]外壳，其包括主筒和端片，所述端片连接于所述主筒的一端；
[0008]盖帽组件，其包括顶盖、外绝缘片、极柱和防爆片，所述顶盖、所述外绝缘片和所述极柱三者热压为一体，所述顶盖连接于所述主筒的另一端，所述顶盖背对所述端片的一侧中部设置有第一限位槽，所述第一限位槽的底部设置有第一通孔，其直径小于所述第一限位槽的直径，所述顶盖背对所述端片的一侧偏心位置设置有第二限位槽，所述第二限位槽的底部设置有第二通孔，其直径小于所述第二限位槽的直径，所述外绝缘片为环形，其位于所述第一限位槽内，所述极柱包括主体片，所述主体片连接于所述外绝缘片远离所述端片的一侧，所述极柱与所述顶盖隔离设置，所述防爆片位于所述第二限位槽中；以及，
[0009]第一极耳和第二极耳，两者均位于所述主筒内，所述第一极耳连接于所述极柱，所述第二极耳连接于所述端片。
[0010]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述外绝缘片的外缘与所述第一限位槽的内壁抵接，所述第一限位槽的深度与所述外绝缘片的厚度相同，所述第一限位槽为圆形，所述外绝缘片为与所述第一限位槽对应的圆形。
[0011]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述顶盖朝向所述端片的一侧其边缘设置有L形的止口槽，所述主筒的一端位于所述止口槽内。
[0012]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述极柱还包括圆柱状的第一凸台，其凸出于所述主体片靠近所述端片的一侧，并穿设于所述外绝缘片和所述第一通孔；所述第一极耳连接于所述第一凸台。
[0013]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述第一凸台的侧面与所述外绝缘片的内缘相接；所述第一凸台的直径小于所述第一通孔的直径。
[0014]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述第一凸台由所述主体片向靠近所述端片的方向凹陷形成。
[0015]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述极柱还包括锥台状的连接台和圆柱状的第二凸台，所述连接台连接在所述主体片和所述第二凸台之间，所述连接台和所述第二凸台均穿设于所述外绝缘片和所述第一通孔，所述连接台的尺寸从靠近所述主体片的一端至远离所述主体片的一端逐渐变小；所述外绝缘片包括弯折段，其由所述外绝缘片的内缘弯折形成，所述弯折段环绕于所述连接台；所述第一极耳连接于所述第二凸台。
[0016]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述外绝缘片的内缘设置有多条切割线，多条所述切割线沿所述外绝缘片的周向均匀分布，且多条所述切割线的延长线交汇于所述外绝缘片的中心。
[0017]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述主体片在所述外绝缘片上的投影位于所述外绝缘片的内部。
[0018]本专利技术所述的高能量密度圆筒形二次电池中，所述高能量密度圆筒形二次电池还包括电芯、第一内绝缘片和第二内绝缘片，三者均位于所述主筒内，所述第一极耳和所述第二极耳均连接所述电芯，所述第一内绝缘片连接于所述电芯靠近所述顶盖的一端，所述第一内绝缘片上设置有第一穿孔，所述第一极耳穿设于所述第一穿孔；所述第二内绝缘片连接于所述电芯靠近所述端片的一端，所述第二内绝缘片上设置有第二穿孔，所述第二极耳穿设于所述第二穿孔。
[0019]本专利技术相较于现有技术，其有益效果为：本专利技术的高能量密度圆筒形二次电池，其顶盖、外绝缘片和极柱依次堆叠，并热压形成一体结构，顶盖与外壳连接，防爆片设置于第二限位槽中，从而形成高能量密度圆筒形二次电池的外部壳体结构。上述封装结构不需要在外壳形成辊槽，不会额外占用电池的高度空间，有效提高了电池能量密度。并且，顶盖的外侧面设置第一限位槽，外绝缘片位于第一限位槽中，使得盖帽组件的厚度较薄，进一步提高了电池能量密度。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，下面描述中的附图仅为本专利技术的部分实施例相应的附图。
[0021]图1为现有技术中的二次电池的结构示意图。
[0022]图2为本专利技术第一优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池的整体截面示意图。
[0023]图3为本专利技术第一优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池的局部截面示意图。
[0024]图4为本专利技术第一优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池的盖帽组件的截面结构示意图。
[0025]图5为本专利技术第一优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池的盖帽组件的分解结构示意图。
[0026]图6为本专利技术第一优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池的分解结构示意图。
[0027]图7为本专利技术第二优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池部分结构热压前的截面结构示意图。
[0028]图8为本专利技术第二优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池部分结构热压后的截面结构示意图。
[0029]图9为本专利技术第二优选实施例提供的高能量密度圆筒形二次电池外绝缘片的结构示意图。
[0030]其中，图1的标识如下：
[0031]10、外壳，101、辊槽，20、顶盖、30、PTC元件、40、爆破片、50、密封圈，
[0032]图2
‑
图6的标识如下：
[0033]11、外壳，111、主筒，112、端片，
[0034]12、盖帽组件，
[0035]121、顶盖，
[0036]1211、第一限位槽，1212、第一通孔，1213、第二限位槽，1214、第二通孔，1215、止口槽，
[0037]122、外绝缘片，
[0038]123、极柱，1231、主体片，1232、第一凸台，
[0039]124、防爆片，
[0040]13、第一极耳，
[0041]14、第二极耳，
[0042]15、电芯，
[0043]16、第一内绝缘片，161、第一穿孔，
[0044]17、第二内绝缘片，171、第二穿孔。
[0045]图7、图8和图9的标识如下：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高能量密度圆筒形二次电池，其特征在于，包括：外壳，其包括主筒和端片，所述端片连接于所述主筒的一端；盖帽组件，其包括顶盖、外绝缘片、极柱和防爆片，所述顶盖、所述外绝缘片和所述极柱三者热压为一体，所述顶盖连接于所述主筒的另一端，所述顶盖背对所述端片的一侧中部设置有第一限位槽，所述第一限位槽的底部设置有第一通孔，其直径小于所述第一限位槽的直径，所述顶盖背对所述端片的一侧偏心位置设置有第二限位槽，所述第二限位槽的底部设置有第二通孔，其直径小于所述第二限位槽的直径，所述外绝缘片为环形，其位于所述第一限位槽内，所述极柱包括主体片，所述主体片连接于所述外绝缘片远离所述端片的一侧，所述极柱与所述顶盖隔离设置，所述防爆片位于所述第二限位槽中；以及，第一极耳和第二极耳，两者均位于所述主筒内，所述第一极耳连接于所述极柱，所述第二极耳连接于所述端片。2.根据权利要求1所述的高能量密度圆筒形二次电池，其特征在于，所述外绝缘片的外缘与所述第一限位槽的内壁抵接，所述第一限位槽的深度与所述外绝缘片的厚度相同，所述第一限位槽为圆形，所述外绝缘片为与所述第一限位槽对应的圆形。3.根据权利要求1所述的高能量密度圆筒形二次电池，其特征在于，所述顶盖朝向所述端片的一侧其边缘设置有L形的止口槽，所述主筒的一端位于所述止口槽内。4.根据权利要求1所述的高能量密度圆筒形二次电池，其特征在于，所述极柱还包括圆柱状的第一凸台，其凸出于所述主体片靠近所述端片的一侧，并穿设于所述外绝缘片和所述第一通孔；所述第一极耳连接于所述第一凸台。5.根据权利要求4所述的高能量密度圆筒形二次电池，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周攀，陈航，
申请(专利权)人：路华置富电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：