压力传感器和电子设备制造技术

本申请实施例提供了一种压力传感器和电子设备，压力传感器包括支撑层，支撑层包括支撑本体、第一空腔和第二空腔；敏感层，敏感层设置于支撑层的第一表面并且覆盖第二空腔，第二空腔的真空度大于第一空腔；压力器件，压力器件设置于敏感层中，第一类压力器件与第一空腔的边缘相对，第二类压力器件与第二空腔的边缘相对；温度器件，温度器件设置于第一类压力器件和第二类压力器件之间。通过温度器件可以同时测量第一类压力器件和第二类压力器件位置的温度，以对第一类压力器件和第二类压力器的压力输出进行温度补偿，提升了压力传感器的压力测试精度和灵敏度。力测试精度和灵敏度。力测试精度和灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
压力传感器和电子设备


[0001]本申请属于传感
，具体地，本申请涉及一种压力传感器和电子设备。

技术介绍

[0002]压阻式压力传感器具有结构尺寸小、重量轻和易集成的特点，并且拥有超高的灵敏度和分辨率，广泛地应用于航天、航空、生物医疗、气象、地质和地震测量等各个领域。
[0003]而电阻的压阻系数对温度具有非常高的敏感性,在压力传感器所处的温度变化时,会造成压力传感器在测量时产生零点漂移和灵敏度温度漂移，严重影响了压力传感器的灵敏度以及测量精度。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的一个目的是提供一种压力传感器和电子设备的新技术方案。
[0005]根据本申请实施例的第一方面，提供了一种压力传感器，包括：
[0006]支撑层，所述支撑层包括支撑本体、第一空腔和第二空腔，所述第一空腔贯穿所述支撑本体，所述第二空腔设置于所述支撑层中并具有位于所述支撑层的第一表面的开口；
[0007]敏感层，所述敏感层设置于所述支撑层的第一表面并且覆盖所述第二空腔，所述第二空腔的真空度大于所述第一空腔；
[0008]压力器件，所述压力器件设置于所述敏感层中，所述压力器件包括第一类压力器件和第二类压力器件，所述第一类压力器件与所述第一空腔的边缘相对，所述第二类压力器件与所述第二空腔的边缘相对；
[0009]温度器件，所述温度器件设置于所述第一类压力器件和所述第二类压力器件之间。
[0010]可选地，所述第二空腔为真空腔体。
[0011]可选地，所述第二空腔呈环形并绕设在所述第一空腔的周侧。
[0012]可选地，所述第一类压力器件包括多个第一压阻件，所述第二类压力器件包括多个第二压阻件，多个所述第一压阻件等间距设置于所述敏感层中并形成第一环形结构，多个所述第二压阻件等间距设置于所述敏感层中并形成第二环形结构；
[0013]所述第二环形结构和所述第一环形结构同心设置。
[0014]可选地，所述第一压阻件与所述第二压阻件一一相对，所述温度器件设置于所述第一压阻件与所述第二压阻件之间。
[0015]可选地，所述温度器件包括P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体结合，并且所述P型半导体靠近所述第二类压力器件设置，所述N型半导体靠近所述第一类压力器件设置。
[0016]可选地，还包括隔离层，所述隔离层设置于所述敏感层中，并位于所述压力器件和所述温度器件之间。
[0017]可选地，还包括电连接件，所述电连接件的一端与所述压力器件电连接，所述电连
接件的另一端从所述敏感层露出。
[0018]可选地，所述敏感层包括氧化层、薄膜层和钝化层，所述氧化层、所述薄膜层和所述钝化层依次贴合设置于所述支撑层的第一表面，所述压力器件设置于所述薄膜层中。
[0019]根据本申请实施例的第二方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括第一方面所述的压力传感器。
[0020]本申请的一个技术效果在于：
[0021]本申请实施例提供的所述压力传感器包括支撑层，所述支撑层包括支撑本体、第一空腔和第二空腔；敏感层，所述敏感层设置于所述支撑层的第一表面并且覆盖所述第二空腔，所述第二空腔的真空度大于所述第一空腔；压力器件，所述压力器件设置于所述敏感层中，所述第一类压力器件与所述第一空腔的边缘相对，所述第二类压力器件与所述第二空腔的边缘相对；温度器件，所述温度器件设置于所述第一类压力器件和所述第二类压力器件之间。通过温度器件可以同时测量第一类压力器件和第二类压力器件位置的温度，以对所述第一类压力器件和所述第二类压力器的压力输出进行温度补偿，提升了所述压力传感器的压力测试精度和灵敏度。
[0022]通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0023]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
[0024]图1为本申请实施例提供的一种压力传感器的俯视图；
[0025]图2为图1中A
‑
A面的截面图；
[0026]图3为本申请实施例提供的一种压力传感器的受压示意图；
[0027]图4为图3中B处的放大图；
[0028]图5为本申请实施例提供的一种压力传感器的第一类压力器件示意图；
[0029]图6为本申请实施例提供的一种压力传感器的第二类压力器件示意图。
[0030]其中：1、支撑层；11、支撑本体；12、第一空腔；13、第二空腔；2、敏感层；21、氧化层；22、薄膜层；23、钝化层；231、第一钝化层；232、第二钝化层；3、压力器件；31、第一类压力器件；32、第二类压力器件；4、温度器件；41、P型半导体；42、N型半导体；5、隔离层；6、电连接件。
具体实施方式
[0031]现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
[0032]下面将详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0033]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0035]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0036]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0037]参照图1和图2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：支撑层(1)，所述支撑层(1)包括支撑本体(11)、第一空腔(12)和第二空腔(13)，所述第一空腔(12)贯穿所述支撑本体(11)，所述第二空腔(13)设置于所述支撑层(1)中并具有位于所述支撑层(1)的第一表面的开口；敏感层(2)，所述敏感层(2)设置于所述支撑层(1)的第一表面并且覆盖所述第二空腔(13)，所述第二空腔(13)的真空度大于所述第一空腔(12)；压力器件(3)，所述压力器件(3)设置于所述敏感层(2)中，所述压力器件(3)包括第一类压力器件(31)和第二类压力器件(32)，所述第一类压力器件(31)与所述第一空腔(12)的边缘相对，所述第二类压力器件(32)与所述第二空腔(13)的边缘相对；温度器件(4)，所述温度器件(4)设置于所述第一类压力器件(31)和所述第二类压力器件(32)之间。2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第二空腔(13)为真空腔体。3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述第二空腔(13)呈环形并绕设在所述第一空腔(12)的周侧。4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第一类压力器件(31)包括多个第一压阻件，所述第二类压力器件(32)包括多个第二压阻件，多个所述第一压阻件等间距设置于所述敏感层(2)中并形成第一环形结构，多个所述第二压阻件等间距设置于所述敏感层(2)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王栋杰，陈磊，张强，胡洪，王雨晨，周汪洋，周志健，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：