显示装置及制造发光元件的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示装置及其制造方法。更具体地，显示装置包括：多个像素；提供在所述多个像素的每个中的发光元件，发光元件具有彼此相反的第一表面和第二表面；电连接到发光元件的第一表面的第一电极；电连接到发光元件的第二表面的第二电极；以及插置在发光元件的第二表面和第二电极之间的金属氧化物图案。金属氧化物图案覆盖第二表面的一部分并暴露剩余部分，第二电极电连接到第二表面的暴露部分，并且金属氧化物图案包括单晶或多晶氧化铝。且金属氧化物图案包括单晶或多晶氧化铝。且金属氧化物图案包括单晶或多晶氧化铝。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及制造发光元件的方法


[0001]本公开涉及一种具有改善的发光效率的显示装置以及制造发光器件的方法。

技术介绍

[0002]显示装置包括发光器件。发光器件电连接到电极并响应于施加到电极的电压而发光。发光器件可以直接形成在电极上。或者，可以形成发光器件，然后可以将其放置在电极上。
[0003]发光器件可以是发光二极管(LED)。LED是将正向电压施加到pn结二极管时自空穴和电子复合而产生的能量转换成光能的半导体器件。LED可以分为无机LED或有机LED。LED不仅可以应用在诸如手机的小型电子产品中，而且可以应用在诸如电视机的大型电子产品中。

技术实现思路

[0004]技术问题
[0005]本专利技术构思的一实施方式提供了一种图案化的蓝宝石衬底及其制造方法，该图案化的蓝宝石衬底允许选择性区域生长并且没有杂质污染问题。
[0006]本专利技术构思的一实施方式提供一种使用图案化的蓝宝石衬底制造发光器件的方法。
[0007]本专利技术构思的一实施方式提供一种包括发光器件的显示装置。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：多个像素；发光器件，提供在所述多个像素的每个中，所述发光器件具有彼此相反的第一表面和第二表面；第一电极，电连接到所述发光器件的所述第一表面；第二电极，电连接到所述发光器件的所述第二表面；以及金属氧化物图案，插置在所述发光器件的所述第二表面和所述第二电极之间，其中所述金属氧化物图案被提供为覆盖所述第二表面的一部分并暴露所述第二表面的剩余部分，所述第二电极电连接到所述第二表面的暴露的剩余部分，以及所述金属氧化物图案包括单晶氧化铝或多晶氧化铝2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光器件包括由第一小面组成的第一侧壁，所述第一小面是{n
–
n 0k}面，以及指数n和k中的每个是1或更大的整数。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述发光器件进一步包括第二侧壁，所述第二侧壁由第二小面和第三小面组成，所述第二小面是{1 1
‑
2 0}面，所述第三小面是{n n
‑
2n k}面，以及指数n和k中的每个是1或更大的整数。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一小面相对于所述第一表面以第一角度倾斜，所述第二小面相对于所述第一表面以第二角度倾斜，所述第三小面相对于所述第一表面以第三角度倾斜，所述第三角度大于所述第一角度，以及所述第二角度大于所述第三角度。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光器件包括顺序堆叠的p型的第一半导体层、有源层和n型的第二半导体层，所述第一半导体层与所述第一表面相邻，以及所述第二半导体层与所述第二表面相邻。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光器件包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN或其组合中的至少一种。8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：连接图案，在所述发光器件的所述第一表面和所述第一电极之间；以及在所述发光器件的侧壁上的反射图案。9.一种制造发光器件的方法，包括：制备图案化的衬底，所述图案化的衬底包括衬底、在所述衬底上的多晶层以及突出于
所述多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹义埈，吴制鸿，刘晶日，李承旼，金钟明，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：