【技术实现步骤摘要】
降低抛光后凹坑缺陷的工艺方法
[0001]本专利技术涉及硅片晶圆加工
，具体涉及一种降低抛光后凹坑缺陷的工艺方法。
技术介绍
[0002]随着经济的发展，能源短缺与环境污染的尖锐矛盾成为全世界各个国家都面临的问题。在众多的新型能源中，太阳能具有清洁无污染、安全可靠、制约少、用之不尽取之不竭、可持续利用等优点，从而具有不可比拟的优势。随着太阳能光伏发电技术的逐渐成熟和普及，对太阳能光伏电池的需求将会呈现几何级数的增长。另一方面随着信息技术的深入发展，集成电路的需求量也正在逐年提高。晶硅抛光片的加工与检测工艺技术是太阳能电池与集成电路制作的基础，因此晶硅抛光片的检测与加工技术正越来越收到重视。
[0003]存在缺陷的晶硅抛光片进入电路雕刻与气相沉积等工序而制作成集成电路或光伏电池势必留有隐患，其检测技术手段将更为复杂，造成更大的损失。及早检测出晶硅抛光片的缺陷并加以修复或剔除可以明显降低集成电路或光伏电池的生产成本，提高产品合格率。随着超大规模集成电路的发展、集成度的不断提高、线宽的不断减小，对晶硅抛光片表面质量的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种降低抛光后凹坑缺陷的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：取若干硅片，在清洗槽中加入500ml的NCW1002活性剂进行去污；第二步：经过活性剂进行去污后的硅片，再进入去离子水溢流槽清洗；第三步：完成第一次去离子水清洗后的硅片，经过两道SC
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1溶液清洗；第四步：最后硅片进行去离子水溢流槽；第五步：完成清洗后的硅片通过甩干机甩干；第六步：硅片甩干完保存至内含风机过滤器的洁净小车中搬运至贴付前；第七步：硅片贴付受入，经过一道背面刷洗；第八步：硅片进行均匀涂蜡，再进行烘烤；第九步：硅片贴付，保证机械手臂水平；第十步：抛光加工，加工时间每个加工定盘6min，完成剥离过程；第十一步：进行硅片的去蜡洗净；第十二步：采用ADE平整度测试仪进行硅片抛光后平整度的检测。2.根据权利要求1所述的降低抛光后凹坑缺陷的工艺方法，其特征在于：活性剂去污、去离子水清洗、两道SC
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【专利技术属性】
技术研发人员：张森阳，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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