用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法和低压氧化处理装置。所述低压氧化处理方法包括步骤：对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成氧自由基；使所述半导体工件暴露于所述氧自由基中，以在所述半导体工件的表面形成氧化物膜。本发明专利技术的方法利用在低压下由包括氢气和氧气的工艺气体形成的氧自由基与半导体工件表面反应，以形成氧化物膜，使得氧化物膜层的均匀度更高，缺陷更少，氧化深度更易控制。氧化深度更易控制。氧化深度更易控制。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及用于半导体工件的低压氧化方法和装置，特别涉及低压氧自由基氧化方法和装置。

技术介绍

[0002]半导体工件，特别是硅晶圆的氧化方法通常在O2、H2O/H2、H2O/O2、O2/H2氛围下进行热处理。常规的热处理工艺可包括热熔炉和快速热处理等方法，在这些方法中，通常要求氧化系统的温度要高于700℃，以提供氧化物在硅晶圆表面生长的活化能，而当温度低于700℃时，会导致氧化不足。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法，和低压氧化处理装置。
[0004]根据本专利技术的一方面，提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法，包括步骤：
[0005]对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；
[0006]向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；
[0007]使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成氧自由基；
[0008]使所述半导体工件暴露于所述氧自由基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工件的低压氧化处理方法，其特征在于，包括步骤：对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成氧自由基；使所述半导体工件暴露于所述氧自由基中，以在所述半导体工件的表面形成氧化物膜。2.根据权利要求1所述的低压氧化处理方法，其中，在750～1100℃下由所述工艺气体生成氧自由基。3.根据权利要求1所述的低压氧化处理方法，其中，所述低压为1～20托。4.根据权利要求1所述的低压氧化处理方法，其中，基于所述工艺气体的总流量，氢气的流量百分比为33％以下且不为零，氧气的流量百分比可为67％以上，且不为100％...

【专利技术属性】
技术研发人员：冀建民，么曼实，李海卫，
申请(专利权)人：北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：