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本发明提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法和低压氧化处理装置。所述低压氧化处理方法包括步骤：对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成...
该专利属于北京屹唐半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京屹唐半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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