掩膜版图的形成方法、存储介质及终端技术

一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端，其中形成方法包括：建立直径尺寸为的晶圆图形；调入基础曝光区域图形；获取基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸；根据晶圆图形的直径尺寸、基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸，获取掩膜版图沿第一方向和第二方向所需的基础曝光区域图形的第一数量和第二数量；将基础曝光区域图形沿第一方向进行第一数量、以及沿第二方向进行第二数量的阵列处理，形成掩膜版图。通过自动化的建立晶圆圆形、以及自动化的计算出第一数量和第二数量，能够有效解决手动绘制圆形过程中所带来的繁琐性问题，而且还能够有效避免人为计算出现的错误，有效提高掩膜版图的设计效率和准确性。掩膜版图的设计效率和准确性。掩膜版图的设计效率和准确性。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版图的形成方法、存储介质及终端


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，需要大量的掩膜版，通过对掩膜版的曝光、显影，将掩膜版上的图形转移到构成半导体器件的各层材料中。通常来说，掩膜版上的图形包括用于对半导体器件进行性能测试的图形和实现半导体器件所具有的各种预设功能的图形，这类图形需要应用高精度的曝光方式以充分达到图形转移的准确性。
[0003]然而，在形成掩膜版的版图过程中仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端，以提高掩膜版图的设计效率和准确性。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种掩膜版图的形成方法，包括：根据制圆函数建立直径尺寸为d的晶圆图形；调入基础曝光区域图形；获取所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x和长度尺寸y；根据所述晶圆图形的直径尺寸d、所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x和长度尺寸y，获取所述掩膜版图沿第一方向所需的所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版图的形成方法，其特征在于，包括：根据制圆函数建立直径尺寸为d的晶圆图形；调入基础曝光区域图形；获取所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x和长度尺寸y；根据所述晶圆图形的直径尺寸d、所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x和长度尺寸y，获取所述掩膜版图沿第一方向所需的所述基础曝光区域图形的第一数量a、以及沿第二方向所需的所述基础曝光区域图形的第二数量b，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x沿所述第一方向，所述基础曝光区域图形的长度尺寸y沿所述第二方向，所述第一数量a和所述第二数量b均为正偶数；沿所述第一方向及沿所述第二方向基于所述基础曝光区域图形形成所述掩膜版图，其中，所述掩膜版图呈矩阵设置，包括所述第二数量b行及所述第一数量a列的所述基础曝光区域图形，所述掩膜版图的中心点与所述晶圆图形的中心点重合，且所述晶圆图形的投影范围位于所述掩膜版图的投影范围内。2.如权利要求1所述掩膜版图的形成方法，其特征在于，以原点坐标(0，0)作为圆点建立所述晶圆图形。3.如权利要求2所述掩膜版图的形成方法，其特征在于，将所述掩膜版图的中心点与所述晶圆图形的中心点重合，且所述晶圆图形的投影范围位于所述掩膜版图的投影范围内的方法包括：根据所述晶圆图形的直径尺寸d、所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x和长度尺寸y，获取所述掩膜版图沿所述第一方向所需的所述基础曝光区域图形的初始第一数量a
’
、以及沿所述第二方向所需的所述基础曝光区域图形的初始第二数量b
’
；判断所述初始第一数量a
’
和所述初始第二数量b
’
是否为正偶数；若所述初始第一数量a
’
和所述初始第二数量b
’
为正偶数时，则将所述初始第一数量a
’
作为所述第一数量a，将所述初始第二数量b
’
作为所述第二数量b；若所述初始第一数量a
’
和所述初始第二数量b
’
不为正偶数时，将所述初始第一数量a
’
加1获取所述第一数量a，将所述初始第二数量b
’
加1获取所述第二数量b。4.如权利要求3所述掩膜版图的形成方法，其特征在于，所述初始第一数量a
’
和所述初始第二数量b
’
的获取方法包括：将所述晶圆图形的直径尺寸d除以所述基础曝光区域图形的宽度尺寸x后向上取整，获取所述初始第一数量a
’
；将所述晶圆图形的直径尺寸d除以所述基础曝光区域图形的长度尺寸y后向上取整，获取所述初始第二数量b
’
。5.如权利要求3所述掩膜版图的形成方法，其特征在于，判断所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁帼君，李新宇，赵亚楠，姜清华，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：