一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备制造技术

本申请提供一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备，应用于半导体和泛半导体制备技术领域，该掩模版组通过在工作掩模版和工作光源之间设置防护掩模版，并在工作掩模版和/或防护掩模版上设置透明加热系统，可显著减少到达工作掩模版的无效光刻能量，防止掩模版热膨胀造成的光刻图案畸变；并可尽快达到掩模版的热平衡，保持掩模版温度稳定，提升工艺稳定性，减少准备时间，提高生产效率、降低次品率，具有极高的市场应用前景。极高的市场应用前景。极高的市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备


[0001]本申请涉及半导体和泛半导体制造
，具体涉及一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备。

技术介绍

[0002]近些年来半导体行业发展迅猛，越来越多的半导体器件被应用于各种电子应用，如：个人计算机、移动电话、数码相机和其他电子设备，且随着半导体器件按比例缩小，制造集成电路的复杂性日益增加，执行高分辨率光刻工艺的需要亦与日俱增。
[0003]根据现有技术的教导，光刻机通常包括光源、掩模版、晶圆等结构(见图一)，光刻工艺所使用的掩模版上形成有电路图案，在工作光源的照射下将掩模版上的电路图案转移到半导体晶片上。掩模版受工作光源，如紫外光、深紫外光等持续照射，温度相对初始状态上升，将导致不可避免的热致变形，如果掩模版采用的温升太高，或者掩模版材料的热致变形系数太大，掩模版图形变形将超出精度控制可接受的范围。无论是采用整面的光照还是采用扫描的方式，都会有大量的能量抵达掩模版表面，到达掩模版表面的光照中，第一部分穿过掩模版抵达晶圆表面，与晶圆表面的光刻胶反应；第二部分被掩模版表面的阻光层吸收，并在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版组，包括：工作掩模版；其特征在于，还包括：至少一个防护掩模版；所述至少一个防护掩模版设置于工作光源与所述工作掩模版之间；所述防护掩模版上设置有第一阻光层图案和与之互补的第一透光层图案，所述第一透光层图案具有第一面积；所述工作掩模版上设置有第二阻光层图案和与之互补的第二透光层图案，所述第二透光层图案具有第二面积。2.根据权利要求1所述的掩模版组，其特征在于，所述第一面积大于、小于或等于所述第二面积。3.根据权利要求1所述的掩模版组，其特征在于，所述第一透光层图案与所述第二透光层图案相同或不同。4.根据权利要求1
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3任一项所述的掩模版组，其特征在于，所述防护掩模版在不同的区域采用不同的比例或形状。5.根据权利要求1所述的掩模版组，其特征在于，所述掩模版组还包括掩模版组固定架，所述至少一个防护掩模版及所述工作掩模版均固定安装于所述掩模版组固定架。6.根据权利要求5所述的掩模版组，其特征在于，所述固定安装为可拆卸式安装。7.根据权利要求1所述的掩模版组，其特征在于，所述防护掩模版与所述工作掩模版之间存在间隙。8.根据权利要求7所述的掩模版组，其特征在于，所述间隙内填充有气体介质或者被抽真空或与环境条件相同。9.根据权利要求1
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8任一项所述的掩模版组，其特征在于，所述掩模版组还包括冷却系统，所述冷却系统为所述工作掩模版和/或所述防护掩模版降温。10.根据权利要求1或9所述的掩模版组，其特征在于，所述掩模版组还包括加热系统，所述加热系统为所述工作掩模版和/或所述防护掩模版表面加温。11.根据权利要求10所述的掩模版组，其特征在于，所述加热系统设计...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：智慧星空上海工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：