一种掩模版及其制造方法技术

公开了一种掩模版及其制造方法，其中，掩模版包括：第一衬底以及第一相移结构，第一衬底包括第一区域和第二区域，第一相移结构位于第二区域上；第二衬底以及第二相移结构，第二衬底包括第三区域和第四区域，第二相移结构位于第三区域上，第一相移结构和第二相移结构的透光率不同；其中，第一衬底设置有第一相移结构的一侧与第二衬底设置有第二相移结构的一侧相互粘接，且第一衬底的第一区域与第二衬底的第三区域相对设置，第一衬底的第二区域与第二衬底的第四区域相对设置。二衬底的第四区域相对设置。二衬底的第四区域相对设置。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模版及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩模版及其制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，需要采用光刻技术将掩模版的图案转移至晶圆上，其中，相移掩模版(Phase Shift Mask，PSM)具有更高的分辨率和聚焦深度，从而得到广泛应用。
[0003]相移掩模版通常包括透明衬底以及位于透明衬底上的相移层，不同的图案往往对相移层的透光率要求不同，因此，通常需要采用多张掩模版进行多次图案转移，以将不同的图案转移至同一晶圆上，如此，增加了工艺成本。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种掩模版，包括：
[0005]第一衬底以及第一相移结构，所述第一衬底包括第一区域和第二区域，所述第一相移结构位于所述第二区域上；
[0006]第二衬底以及第二相移结构，所述第二衬底包括第三区域和第四区域，所述第二相移结构位于所述第三区域上，所述第一相移结构和所述第二相移结构的透光率不同；其中，
[0007]所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接，且所述第一衬底的第一区域与所述第二衬底的第三区域相对设置，所述第一衬底的第二区域与所述第二衬底的第四区域相对设置。
[0008]在一些实施例中，所述掩模版还包括：
[0009]位于所述第一衬底的第二区域上的第一遮蔽结构，所述第一遮蔽结构覆盖部分所述第一相移结构并沿所述第一衬底的边缘设置，且与位于所述第四区域的所述第二衬底的边缘对应粘接；<br/>[0010]位于所述第二衬底的第三区域上的第二遮蔽结构，所述第二遮蔽结构覆盖部分所述第二相移结构并沿所述第二衬底的边缘设置，且与位于所述第一区域的所述第一衬底的边缘对应粘接。
[0011]在一些实施例中，位于所述第一区域的所述第一衬底的边缘具有第一台阶结构，所述第一台阶结构与所述第一相移结构位于所述第一衬底的同一侧，且所述第一台阶结构的台阶面朝向远离所述第二衬底的方向凹陷，所述第二遮蔽结构与所述第一台阶结构吻合；
[0012]位于所述第四区域的所述第二衬底的边缘具有第二台阶结构，所述第二台阶结构与所述第二相移结构位于所述第二衬底的同一侧，且所述第二台阶结构的台阶面朝向远离所述第一衬底的方向凹陷，所述第一遮蔽结构与所述第二台阶结构吻合，以使所述第一相移结构和所述第二相移结构位于同一平面。
[0013]在一些实施例中，所述掩模版还包括：第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层
位于所述第二遮蔽结构和所述第一衬底之间；第二粘接层位于所述第一遮蔽结构和所述第二衬底之间。
[0014]本公开还提供一种掩模版的制造方法，包括：
[0015]提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一区域和第二区域，所述第二衬底包括第三区域和第四区域；
[0016]在所述第一衬底的第二区域上形成第一相移结构，并在所述第二衬底的第三区域上形成第二相移结构，所述第一相移结构和所述第二相移结构的透光率不同；
[0017]将所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接，且所述第一衬底的第一区域与所述第二衬底的第三区域相对设置，所述第一衬底的第二区域与所述第二衬底的第四区域相对设置。
[0018]在一些实施例中，在所述第一衬底的第二区域上形成第一相移结构，包括：
[0019]形成第一相移材料层，所述第一相移材料层覆盖所述第一衬底的第一区域和第二区域；
[0020]刻蚀所述第一相移材料层，以在所述第一衬底的第二区域上形成所述第一相移结构；
[0021]在所述第二衬底的第三区域上形成第二相移结构，包括：
[0022]形成第二相移材料层，所述第二相移材料层覆盖所述第二衬底的第三区域和第四区域；
[0023]刻蚀所述第二相移材料层，以在所述第二衬底的第三区域上形成所述第二相移结构。
[0024]在一些实施例中，在形成第一相移材料层之后，还包括：形成第一遮蔽材料层，所述第一遮蔽材料层覆盖所述第一相移材料层；
[0025]在刻蚀所述第一相移材料层，以在所述第一衬底的第二区域上形成所述第一相移结构之前，还包括：刻蚀所述第一遮蔽材料层，以在所述第一衬底的第二区域上形成第一遮蔽结构，所述第一遮蔽结构对应覆盖所述第一相移结构；
[0026]在将所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接之前，所述方法还包括：去除位于所述第一衬底的中间区域的所述第一遮蔽结构，保留的所述第一遮蔽结构覆盖部分所述第一相移结构并沿所述第一衬底的边缘设置。
[0027]在一些实施例中，在形成第二相移材料层之后，还包括：形成第二遮蔽材料层，所述第二遮蔽材料层覆盖所述第二相移材料层；
[0028]在刻蚀所述第二相移材料层，以在所述第二衬底的第三区域上形成所述第二相移结构之前，还包括：刻蚀所述第二遮蔽材料层，以在所述第二衬底的第三区域上形成第二遮蔽结构，所述第二遮蔽结构对应覆盖所述第二相移结构；
[0029]在将所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接之前，所述方法还包括：去除位于所述第二衬底的中间区域的所述第二遮蔽结构，保留的所述第二遮蔽结构覆盖部分所述第二相移结构并沿所述第二衬底的边缘设置。
[0030]在一些实施例中，在将所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二
衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接之前，所述方法还包括：
[0031]刻蚀所述第一衬底，以在位于所述第一区域的所述第一衬底的边缘形成第一台阶结构，所述第一台阶结构与所述第一相移结构位于所述第一衬底的同一侧，且所述第二遮蔽结构与所述第一台阶结构吻合；
[0032]刻蚀所述第二衬底，以在位于所述第四区域的所述第二衬底的边缘形成第二台阶结构，所述第二台阶结构与所述第二相移结构位于所述第二衬底的同一侧，且所述第一遮蔽结构与所述第二台阶结构吻合，以使所述第一相移结构和所述第二相移结构位于同一平面。
[0033]在一些实施例中，将所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接，包括：
[0034]在位于所述第一区域的所述第一衬底的边缘位置形成第一粘接层，所述第一粘接层与所述第一相移结构形成于所述第一衬底的同一侧，并在位于所述第四区域的所述第二衬底的边缘位置形成第二粘接层，所述第二粘接层与所述第二相移结构形成于所述第二衬底的同一侧；
[0035]将所述第一遮蔽结构与所述第二衬底通过所述第二粘接层进行粘接，并将所述第二遮蔽结构与所述第一衬底通过所述第一粘接层进行粘接。
[0036]本公开实施例提供的掩模版及其制造方法，其中，掩模版包括：第一衬底以及第一相移结构，所述第一衬底包括第一区域和第二区域，所述第一相移结构位于所述第二区域上；第二衬底以及第二相移结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，包括：第一衬底以及第一相移结构，所述第一衬底包括第一区域和第二区域，所述第一相移结构位于所述第二区域上；第二衬底以及第二相移结构，所述第二衬底包括第三区域和第四区域，所述第二相移结构位于所述第三区域上，所述第一相移结构和所述第二相移结构的透光率不同；其中，所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接，且所述第一衬底的第一区域与所述第二衬底的第三区域相对设置，所述第一衬底的第二区域与所述第二衬底的第四区域相对设置。2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：位于所述第一衬底的第二区域上的第一遮蔽结构，所述第一遮蔽结构覆盖部分所述第一相移结构并沿所述第一衬底的边缘设置，且与位于所述第四区域的所述第二衬底的边缘对应粘接；位于所述第二衬底的第三区域上的第二遮蔽结构，所述第二遮蔽结构覆盖部分所述第二相移结构并沿所述第二衬底的边缘设置，且与位于所述第一区域的所述第一衬底的边缘对应粘接。3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，位于所述第一区域的所述第一衬底的边缘具有第一台阶结构，所述第一台阶结构与所述第一相移结构位于所述第一衬底的同一侧，且所述第一台阶结构的台阶面朝向远离所述第二衬底的方向凹陷，所述第二遮蔽结构与所述第一台阶结构吻合；位于所述第四区域的所述第二衬底的边缘具有第二台阶结构，所述第二台阶结构与所述第二相移结构位于所述第二衬底的同一侧，且所述第二台阶结构的台阶面朝向远离所述第一衬底的方向凹陷，所述第一遮蔽结构与所述第二台阶结构吻合，以使所述第一相移结构和所述第二相移结构位于同一平面。4.根据权利要求2或3所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层位于所述第二遮蔽结构和所述第一衬底之间；第二粘接层位于所述第一遮蔽结构和所述第二衬底之间。5.一种掩模版的制造方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一区域和第二区域，所述第二衬底包括第三区域和第四区域；在所述第一衬底的第二区域上形成第一相移结构，并在所述第二衬底的第三区域上形成第二相移结构，所述第一相移结构和所述第二相移结构的透光率不同；将所述第一衬底设置有所述第一相移结构的一侧与所述第二衬底设置有所述第二相移结构的一侧相互粘接，且所述第一衬底的第一区域与所述第二衬底的第三区域相对设置，所述第一衬底的第二区域与所述第二衬底的第四区域相对设置。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述第一衬底的第二区域上形成第一相移结构，包括：形成第一相移材料层，所述第一相移材料层覆盖所述第一衬底的第一区域和第二区域；刻蚀所述第一相移材料层，以在所述第一衬底的第二区域上形成所述第一相移结构；
在所述第二衬底的第三区域上形成第二相移结构，包括：形成第二相移材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓磊，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：