【技术实现步骤摘要】
掩模坯料、转印用掩模的制造方法及显示装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及掩模坯料、转印用掩模、掩模坯料的制造方法、转印用掩模 的制造方法、及显示装置的制造方法。
技术介绍
[0002]近年来,对于以LCD(液晶显示器,Liquid Crystal Display)为代表的 FPD(平板显示器,Flat Panel Display)等显示装置而言,不仅正在快速进行大 画面化、宽视角化,而且正在快速进行高精细化、高速显示化。为了该高精 细化、高速显示化,不可缺少的要素之一是制作微细且尺寸精度高的元件、 布线等电子电路图案。该显示装置用电子电路的图案化大多使用光刻法。因 此,需要形成有微细且高精度图案的显示装置制造用的相移掩模。
[0003]例如,专利文献1中公开了一种相移掩模坯料、及使用该相移掩模坯料 制造的相移掩模,所述相移掩模坯料具备:透光性基板、形成于透光性基板 的主表面上的由金属硅化物类材料形成的光半透射膜、以及形成于该光半透 射膜上的由铬类材料形成的蚀刻掩模膜,在光半透射膜与蚀刻掩模膜的界面 形成有组成倾 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模坯料,其在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜,其中,所述薄膜含有金属、硅及氮,所述蚀刻掩模膜含有铬,所述蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于所述蚀刻掩模膜的除所述外周部以外的部分的膜厚,所述薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于所述薄膜的除所述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。2.根据权利要求1所述的掩模坯料,其中,用所述薄膜的所述外周部的氮含量相对于硅含量的比率除以所述薄膜的除所述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率而计算出的比率为1.1以上。3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,所述薄膜的氧的含量为10原子%以下。4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,所述薄膜的金属、硅及氮的合计含量为90原子%以上。5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,所述薄膜至少含有钼。6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,所述蚀刻掩模膜在厚度方向的至少一部分具有柱状结构。7.根据权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员:浅川敬司,田边胜,安森顺一,打田崇,
申请(专利权)人:HOYA株式会社,
类型:发明
国别省市:
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