定子结构及具有其的电机结构制造技术

本发明专利技术提供了一种定子结构及具有其的电机结构，其中，定子结构包括：拼接设置的多个定子模块，每个定子模块包括基础绕组结构，包括阵列设置的多个第一线圈；第一补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的第一侧，第一补偿绕组结构包括阵列设置的多个第二线圈；第二补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的第二侧，第二补偿绕组结构包括阵列设置的多个第三线圈，基础绕组结构的第一侧和第二侧为在第一方向上相对设置的两侧；其中，在第一方向上相邻设置的两个定子模块中的一个定子模块的第一补偿绕组结构与另一个定子模块的第二补偿绕组结构搭接设置。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的动子结构在相邻定子模块的拼接缝隙处运动不稳定的问题。处运动不稳定的问题。处运动不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】
定子结构及具有其的电机结构


[0001]本专利技术涉及电机
，具体而言，涉及一种定子结构及具有其的电机结构。

技术介绍

[0002]相关技术中，平面定子通常为内部叠设多层线圈的单个定子模块，多个这样的定子模块在同一平面内组合放置，从而形成大面积的平面磁悬浮系统。然而，从物理的角度上来讲，相邻定子模块的拼接无法做到无缝拼接，由此导致动子结构在跨定子模块运动时，动子结构在相邻定子模块的拼接缝隙处运动不稳定，会产生振动。
[0003]因此，目前在本领域中存在动子结构在相邻定子模块的拼接缝隙处运动不稳定的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种定子结构及具有其的电机结构，以解决相关技术中的动子结构在相邻定子模块的拼接缝隙处运动不稳定的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种定子结构，包括拼接设置的多个定子模块，其中，每个定子模块包括：基础绕组结构，包括阵列设置的多个第一线圈，第一线圈包括沿第二方向延伸设置的多个第一子线圈及沿第一方向延伸设置的多个第二子线圈，其中，第一方向和第二方向垂直设置；第一补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的第一侧，第一补偿绕组结构包括阵列设置的多个第二线圈；第二补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的第二侧，第二补偿绕组结构包括阵列设置的多个第三线圈，基础绕组结构的第一侧和第二侧为在第一方向上相对设置的两侧；其中，在第一方向上相邻设置在两个定子模块中的一个定子模块的第一补偿绕组结构与另一个定子模块的第二补偿绕组结构搭接设置。
[0006]进一步地，基础绕组结构的横截面为矩形结构，定子模块还包括：第三补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的第三侧，第三补偿绕组结构包括阵列设置的多个第四线圈；第四补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的第四侧，第四补偿绕组结构包括阵列设置的多个第五线圈，基础绕组结构的第三侧和第四侧为在第二方向上相对设置的两侧；其中，在第二方向相上相邻设置在两个定子模块中的一个定子模块的第三补偿绕组结构与另一个定子模块的第四补偿绕组结构搭接设置。
[0007]进一步地，定子模块还包括：第五补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的角部位置并与第一补偿绕组结构和第三补偿绕组结构相邻设置，第五补偿绕组结构包括阵列设置的多个第六线圈；第六补偿绕组结构，设置在基础绕组结构的角部位置并与第二补偿绕组结构和第四补偿绕组结构相邻设置，第六补偿绕组结构包括阵列设置的多个第七线圈；其中，以2
×
2阵列设置的四个定子模块中的一个定子模块的第五补偿绕组结构与对角设置的另一个定子模块的第六补偿绕组结构搭接设置。
[0008]进一步地，基础绕组结构与第一补偿绕组结构分体设置，基础绕组结构与第一补
偿绕组结构通过第一连接件电连接；和/或，基础绕组结构与第二补偿绕组结构分体设置，基础绕组结构与第二补偿绕组结构通过第二连接件电连接。
[0009]进一步地，基础绕组结构包括第一基体，第一线圈设置在第一基体上，第一补偿绕组结构包括第二基体，第二线圈设置在第二基体上，第二补偿绕组结构包括第三基体，第三线圈设置在第三基体上，其中，第一基体、第二基体和第三基体为一体结构。
[0010]进一步地，多个第二线圈的线圈相位规律与多个第一子线圈的线圈相位规律连续，多个第二线圈形成至少一个三相绕组结构；和/或，多个第三线圈的线圈相位规律与多个第二线圈的线圈相位规律连续，多个第三线圈形成至少一个三相绕组结构。
[0011]进一步地，沿第三方向，第一补偿绕组结构与第二补偿绕组结构错位设置，其中，第三方向为定子结构的高度方向；基础绕组结构的厚度t1、第一补偿绕组结构的厚度t2和第二补偿绕组结构的厚度t3之间满足：t1≥t2+t3；或者，基础绕组结构的厚度t1、第一补偿绕组结构的厚度t2和第二补偿绕组结构的厚度t3之间满足：t2＝t3＝0.5t1。
[0012]进一步地，第一补偿绕组结构中设置有第一磁传感结构，第二补偿绕组结构中设置有第二磁传感结构；第一磁传感结构包括沿第一方向设置的至少三个第一磁传感器；和/或，第二磁传感结构包括沿第一方向设置的至少三个第二磁传感器。
[0013]进一步地，第一补偿绕组结构的宽度和第二补偿绕组结构的宽度相同，在第一方向上邻设置在两个定子模块中的一个定子模块的第一补偿绕组结构与另一个定子模块的第二补偿绕组结构在第一方向上的重合率≥80％。
[0014]进一步地，第一补偿绕组结构的多个第二线圈分层设置形成多个第一线圈层，所有第一线圈层中的第二线圈均沿同一方向延伸，第二补偿绕组结构的多个第三线圈分层设置形成多个第二线圈层，所有第二线圈层中的第三线圈均沿同一方向延伸，其中，第二线圈的延伸方向与第三线圈的延伸方向呈角度设置；或者，第一补偿绕组结构的多个第二线圈分层设置形成第三线圈层和第四线圈层，第三线圈层中的第二线圈的延伸方向与第四线圈层中的第二线圈的延伸方向呈角度设置。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供了一种电机结构，电机结构包括动子结构，动子结构包括磁铁阵列；上述的定子结构，磁铁阵列用于与基础绕组结构、第一补偿绕组结构、第二补偿绕组结构中的至少一者磁耦合。
[0016]进一步地，磁铁阵列包括第一磁组和第二磁组，第一磁组包括按列设置的多个第一磁体，第二磁组包括按列设置的多个第二磁体，其中，第一磁组的布置方向与第二磁组的布置方向相交设置。
[0017]进一步地，第一磁组还包括多个第三磁体，多个第一磁体位于第一磁组的中部，多个第一磁体的两端分别设置有第三磁体，第一磁体的宽度大于第三磁体的宽度；和/或，第二磁组还包括多个第四磁体，多个第二磁体位于第二磁组的中部，多个第二磁体的两端分别设置有第四磁体，第二磁体的宽度大于第四磁体的宽度。
[0018]进一步地，第一磁组还包括多个第五磁体和多个第六磁体，多个第一磁体的两端均设置有第五磁体和第六磁体，第五磁体位于第一磁体和第六磁体之间，其中，第一磁体的宽度大于第五磁体的宽度，第五磁体的宽度大于第六磁体的宽度。
[0019]应用本专利技术的技术方案，定子结构由多个定子模块拼接设置而成，每个定子模块包括基础绕组结构、第一补偿绕组结构和第二补偿绕组结构，其中基础绕组结构包括阵列
设置的多个第一线圈，以为动子结构提供驱动力；第一补偿绕组结构设置在基础绕组结构的第一侧，第二补偿绕组结构设置在基础绕组结构的第二侧，进行定子模块的拼接时，沿第一方向相邻设置的两个定子模块的第一偿绕组结构和第二补偿绕组结构搭接设置，这样，当动子结构经过相邻两个定子模块之间的拼接位置处时，会分别经过第一补偿绕组结构与相邻的定子模块之间的接缝以及第二补偿绕组结构与相邻的定子模块之间的接缝，当经过第一补偿绕组结构与相邻的定子模块的接缝的间隙时，第二补偿绕组结构及与其连接的基础绕组结构为动子结构提供驱动力；当经过第二补偿绕组结构与相邻的定子模块的接缝的间隙时，第一补偿绕组结构及与其连接的基础绕组结构为动子结构提供驱动力，减轻了动子结构的振动，使得动子结构平稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种定子结构，其特征在于，包括拼接设置的多个定子模块(10)，其中，每个所述定子模块(10)包括：基础绕组结构(20)，包括阵列设置的多个第一线圈(21)，所述第一线圈(21)包括沿第二方向(b)延伸设置的多个第一子线圈(211)及沿第一方向(a)延伸设置的多个第二子线圈(212)，其中，所述第一方向(a)和所述第二方向(b)垂直设置；第一补偿绕组结构(30)，设置在所述基础绕组结构(20)的第一侧，所述第一补偿绕组结构(30)包括阵列设置的多个第二线圈(31)；第二补偿绕组结构(40)，设置在所述基础绕组结构(20)的第二侧，所述第二补偿绕组结构(40)包括阵列设置的多个第三线圈(41)，所述基础绕组结构(20)的第一侧和第二侧为在所述第一方向(a)上相对设置的两侧；其中，在所述第一方向(a)上相邻设置的两个所述定子模块(10)中的一个所述定子模块(10)的所述第一补偿绕组结构(30)与另一个所述定子模块(10)的所述第二补偿绕组结构(40)搭接设置。2.根据权利要求1所述的定子结构，其特征在于，所述基础绕组结构(20)的横截面为矩形结构，所述定子模块(10)还包括：第三补偿绕组结构(50)，设置在所述基础绕组结构(20)的第三侧，所述第三补偿绕组结构(50)包括阵列设置的多个第四线圈(51)；第四补偿绕组结构(60)，设置在所述基础绕组结构(20)的第四侧，所述第四补偿绕组结构(60)包括阵列设置的多个第五线圈(61)，所述基础绕组结构(20)的第三侧和第四侧为在所述第二方向(b)上相对设置的两侧；其中，在所述第二方向(b)相上相邻设置在两个所述定子模块(10)中的一个所述定子模块(10)的所述第三补偿绕组结构(50)与另一个所述定子模块(10)的所述第四补偿绕组结构(60)搭接设置。3.根据权利要求2所述的定子结构，其特征在于，所述定子模块(10)还包括：第五补偿绕组结构(70)，设置在所述基础绕组结构(20)的角部位置并与所述第一补偿绕组结构(30)和所述第三补偿绕组结构(50)相邻设置，所述第五补偿绕组结构(70)包括阵列设置的多个第六线圈(71)；第六补偿绕组结构(80)，设置在所述基础绕组结构(20)的角部位置并与所述第二补偿绕组结构(40)和所述第四补偿绕组结构(60)相邻设置，所述第六补偿绕组结构(80)包括阵列设置的多个第七线圈(81)；其中，以2
×
2阵列设置的四个所述定子模块(10)中的一个所述定子模块(10)的所述第五补偿绕组结构(70)与对角设置的另一个所述定子模块(10)的所述第六补偿绕组结构(80)搭接设置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的定子结构，其特征在于，所述基础绕组结构(20)与所述第一补偿绕组结构(30)分体设置，所述基础绕组结构(20)与所述第一补偿绕组结构(30)通过第一连接件电连接；和/或，所述基础绕组结构(20)与所述第二补偿绕组结构(40)分体设置，所述基础绕组结构(20)与所述第二补偿绕组结构(40)通过第二连接件电连接。5.根据权利要求1至3中任一项所述的定子结构，其特征在于，所述基础绕组结构(20)
包括第一基体，所述第一线圈(21)设置在所述第一基体上，所述第一补偿绕组结构(30)包括第二基体，所述第二线圈(31)设置在所述第二基体上，所述第二补偿绕组结构(40)包括第三基体，所述第三线圈(41)设置在所述第三基体上，其中，所述第一基体、所述第二基体和所述第三基体为一体结构。6.根据权利要求1所述的定子结构，其特征在于，多个所述第二线圈(31)的线圈相位规律与多个所述第一子线圈(211)的线圈相位规律连续，多个所述第二线圈(31)形成至少一个三相绕组结构；和/或，多个所述第三线圈(41)的线圈相位规律与多个所述第二子线圈(212)的线圈相位规律连续，多个所述第三线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：池峰，李文华，何亚鹏，
申请(专利权)人：上海果栗自动化科技有限公司，
类型：发明
国别省市：