发光芯片键合层的制作方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种发光芯片键合层的制作方法和显示面板，涉及显示技术领域，其中，发光芯片键合层的制作方法，包括：提供键合材料提供基板，键合材料提供基板包括第一基板和位于第一基板上的键合材料层；提供芯片承载基板，芯片承载基板包括第二基板和位于第二基板上的若干个发光芯片，发光芯片包括电极；将键合材料提供基板与芯片承载基板相对放置，且电极与键合材料层接触键合；将键合材料提供基板与芯片承载基板相互分离，其中，键合材料层的至少部分保留于发光芯片的电极上。显示面板包括上述发光芯片键合层。本申请与现有技术相比，无需使用光刻工艺，简化了工艺流程，制作方法更加简便，有利于降低成产成本，有利于提高生产效率。产效率。产效率。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片键合层的制作方法和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种发光芯片键合层的制作方法和显示面板。

技术介绍

[0002]发光二极管显示技术在亮度、反应速度、寿命、工作温度等方面，远远优于LCD显示技术，在显示领域具有广阔的应用空间，成为近年业界研究的热点。
[0003]发光芯片包括键合层，相关技术中，键合层采用在驱动背板上贴附ACF(Anisotropic Conductive Film，异方性导电胶膜)，或通过光刻图形、蒸镀金属的方式直接在发光芯片上或者驱动背板上形成焊料层，但是，ACF会在非焊接区域残留导电粒子和树脂层，降低背板的透过率，影响后续封装制程，同时，光刻图形、蒸馏金属制程复杂，影响生产效率。
[0004]因此，如何解决上述问题成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种发光芯片键合层的制作方法和显示面板，用以改善键合层制作影响背板透过率、制程复杂等问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种发光芯片键合层的制作方法，包括：
[0007]提供键合材料提供基板，所述键合材料提供基板包括第一基板和位于所述第一基板上的键合材料层；
[0008]提供芯片承载基板，所述芯片承载基板包括第二基板和位于所述第二基板上的若干个发光芯片，所述发光芯片包括电极；
[0009]将所述键合材料提供基板与所述芯片承载基板相对放置，且所述电极与所述键合材料层接触键合；
[0010]将所述键合材料提供基板与所述芯片承载基板相互分离，其中，所述键合材料层的至少部分保留于所述发光芯片的所述电极上。
[0011]第二方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面所述的发光芯片键合层。
[0012]与现有技术相比，本专利技术提供的一种发光芯片键合层的制作方法和显示面板，至少实现了如下的有益效果：
[0013]本申请提供了一种发光芯片键合层的制作方法和显示面板，其中，本申请提供的发光芯片键合层的制作方法中，将键合材料层设置于键合材料提供基板上，将发光芯片设置于芯片承载基板上，通过将键合材料提供基板和芯片承载基板相对放置，并使发光芯片的电极和键合材料层接触键合，以在将键合材料提供基板与芯片承载基板相互分离后，键合材料层能够部分保留在发光芯片的电极表面，以形成发光芯片键合层；如此设置，与现有技术相比，发光芯片键合层的制作中无需使用ACF，有利于减少非焊接区域导电粒子的残
留，从而降低对后续封装制程的影响，并且，无需使用光刻工艺，简化了工艺流程，制作方法更加简便，有利于降低成产成本，有利于提高生产效率。
[0014]当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0015]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0016]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0017]图1所示为现有技术中形成发光芯片键合层的一种结构示意图；
[0018]图2所示为本申请实施例提供的发光芯片键合层的制作方法的一种实施例流程图；
[0019]图3所示为图2中执行步骤S101的一种结构示意图；
[0020]图4所示为图2中执行步骤S102的一种结构示意图；
[0021]图5所示为图2中执行步骤S103的一种结构示意图；
[0022]图6所示为图2中执行步骤S104的一种结构示意图；
[0023]图7所示为本申请实施例提供的发光芯片键合层的制作方法的另一种实施例流程图；
[0024]图8所示为图7中执行步骤S101的一种结构示意图；
[0025]图9所示为图7中执行步骤S1041的一种结构示意图；
[0026]图10所示为本申请发光芯片键合层的制作方法的再一种实施例流程图；
[0027]图11所示为图10中执行步骤S1031的一种结构示意图；
[0028]图12所示为图10中执行步骤S1031的另一种结构示意图；
[0029]图13所示为图2中执行步骤S102的另一种结构示意图；
[0030]图14所示为图2中执行步骤S102的另一种结构示意图；
[0031]图15所示为图2中执行步骤S102的另一种结构示意图；
[0032]图16所示为图2中执行步骤S103的另一种结构示意图；
[0033]图17所示为本申请发光芯片键合层的制作方法的又一种实施例流程图；
[0034]图18所示为图17中执行步骤S1011的一种结构示意图；
[0035]图19所示为图17中执行步骤S1011的另一种结构示意图；
[0036]图20所示为图2中执行步骤S103的再一种结构示意图；
[0037]图21所示为图2中执行步骤S102的另一种结构示意图；
[0038]图22所示为本申请显示面板的一种实施例的示意图；
[0039]图23所示为本申请显示面板的另一种实施例的示意图；
[0040]图24所示为本申请显示面板的再一种实施例的示意图；
[0041]图25所示为本申请显示面板的又一种实施例的示意图。
具体实施方式
[0042]现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具
体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。
[0043]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0044]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0045]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0046]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0047]现有技术中，发光芯片的键合层的形成具有两种方式，其一为，在驱动背板上贴附ACF(Anisotropic Conductive Film，异方性导电胶膜)，图1所示为现有技术中形成发光芯片键合层的一种结构示意图，如图1所示，采用ACF会在非焊接区域残留导电粒子71
’
和树脂层70
’
，降低背板透过率，影响后续封装制程；其二为，通过光刻图形、蒸馏金属的方式形成焊料层，此方式中的光刻工艺和显示面板中其它膜层的光刻工艺的控制条件不同，单独的光刻工艺制程繁琐，且费用高。
[0048]有鉴于此，本专利技术提供了一种发光芯片键合层的制作方法和显示面板，用以改善上述问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，包括：提供键合材料提供基板，所述键合材料提供基板包括第一基板和位于所述第一基板上的键合材料层；提供芯片承载基板，所述芯片承载基板包括第二基板和位于所述第二基板上的若干个发光芯片，所述发光芯片包括电极；将所述键合材料提供基板与所述芯片承载基板相对放置，且所述电极与所述键合材料层接触键合；将所述键合材料提供基板与所述芯片承载基板相互分离，其中，所述键合材料层的至少部分保留于所述发光芯片的所述电极上。2.根据权利要求1所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，所述将所述键合材料提供基板与所述芯片承载基板相互分离，具体为：移除所述第一基板；或，移除所述第一基板和未与所述发光芯片接触键合的至少部分所述键合材料层。3.根据权利要求1所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，所述电极与所述键合材料层接触键合，具体为：在温度T1对所述电极与所述键合材料层热压键合；所述键合材料层的熔融温度为T2，T1≤T2。4.根据权利要求1所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，所述电极与所述键合材料层接触键合，具体为：采用激光照射所述第一基板远离所述第二基板的一侧表面，使至少部分所述键合材料层保留至所述电极远离所述第二基板的一侧表面。5.根据权利要求4所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，所述激光照射至所述第一基板所在平面的区域、与所述电极在所述第一基板所在平面的正投影至少部分交叠。6.根据权利要求1所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，还包括：所述电极包含助焊剂，和/或，所述键合材料层包含助焊剂；所述助焊剂通过喷涂方式制作。7.根据权利要求1所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，所述发光芯片包括半导体结构和位于所述半导体结构远离所述第二基板一侧的所述电极，与任一所述半导体结构对应设置的所述电极包括第一电极和第二电极；所述电极与所述键合材料层接触键合，具体为：所述第一电极和所述第二电极远离所述第二基板的一侧表面与所述键合材料层接触键合。8.根据权利要求7所述的发光芯片键合层的制作方法，其特征在于，还包括：在所述提供所述键合材料提供基板之后，对所述键合材料层进行图案化；所述图案化的所述键合材料层包括多个第一子片，所述第一子片与所述第一电极和/或所述第二电极一...

【专利技术属性】
技术研发人员：席克瑞，张灿源，顾强，周波，钟健升，秦锋，彭旭辉，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：