【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，显示装置在人们的日常生活中的使用越来越广泛。
2、相关技术中，在制备显示装置中的显示面板时，例如会采用电子束蒸镀的方式制备显示面板中的相关膜层，例如金属层，但是电子束蒸镀时会产生x射线，x射线穿透力强，照射至位于显示面板的驱动电路的半导体层时，会造成半导体层中的薄膜晶体管的电性能参数发生改变，使薄膜晶体管的阈值电压漂移，进而影响驱动电路的正常工作。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，提高了驱动电路的工作稳定性，进而提高了显示面板的电性能稳定性。
2、第一方面，本公开提供了一种显示面板，包括：
3、衬底；
4、位于所述衬底上的驱动电路的半导体层；
5、位于所述半导体层背离所述衬底一侧的第一金属层；
6、其中，所述半导体层和所述第一金属层之间还设置有辐射吸收层
7、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层包括Ⅲ-Ⅴ族或Ⅳ族半导体材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层的材料带隙范围为1.0至5.0eV。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层包括非晶硅层和/或非晶硒层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述非晶硅层背离和/或朝向所述衬底的一侧设置有保护层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述保护层包括氧化硅层或氮化硅层。
<...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层包括ⅲ-ⅴ族或ⅳ族半导体材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层的材料带隙范围为1.0至5.0ev。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层包括非晶硅层和/或非晶硒层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述非晶硅层背离和/或朝向所述衬底的一侧设置有保护层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述保护层包括氧化硅层或氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层包括闪烁晶体层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述闪烁晶体层包括csi、cdte、cdse，以及钙钛矿材料中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辐射吸收层包括荧光材料和/或量子点材料掺杂层。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多个微发光二极管；
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括第二金属层；所述第二金属层位于所述第一金属层朝向所述衬底的一侧；所述第二金属层包括第二电极；所述驱动电路通过所述第二电极与所述键合结构电连接；所述辐射吸收层与所述第二电极同层设置，且包括镂空区，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：何伟，冯彦贵，刘秀，曹炳俊，禹少荣，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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