芯片转移方法及其装置制造方法及图纸

本申请涉及一种芯片转移方法及其装置。该芯片转移方法包括提供至少一个第一基板和第二基板，第一基板上承载有多个芯片，第二基板上设置有多个待安装位置；获取每一第一基板上的多个芯片的光电参数，将每一第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有芯片确定为目标芯片组；将所有第一基板中的至少一个第一基板上的目标芯片组转移至第二基板上，直至第二基板上的多个待安装位置均对应安装有芯片，这样可保证转移至第二基板上的所有芯片的光电参数落入同一光电参数范围内，从而可保证转移至第二基板上的芯片亮度分布均匀，提高芯片转移良率。提高芯片转移良率。提高芯片转移良率。

【技术实现步骤摘要】
芯片转移方法及其装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种芯片转移方法及其装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)，因具有高效率、高亮度、高可靠度、节能以及反应速度快等诸多优点，得到广泛应用。随着显示技术的不断发展，像素密度不断增大，芯片尺寸越来越小，LED芯片向微型化发展，需要封装的芯片的数量呈几何倍数增加，对于Micro LED、Mini LED等微米级芯片，其数量更加巨大，数量可达到数十万至数千万颗不等。
[0003]Mini/Micro LED显示装置的生产包括芯片的制备、芯片转移等。在芯片的生产过程中，不可避免地产生工艺控制误差，导致同一晶膜上的不同位置的芯片的亮度和波长有一定差异，甚至存在不合格品，更甚至存在死灯(即芯片不亮)。
[0004]相关技术，在芯片转移过程中，容易将亮度和波长等光电参数差异大的芯片转移至同一阵列基板上，使得阵列基板上容易出现局部的麻点和色块的问题，降低转移良率。

技术实现思路

[0005]基于此，本申请提供一种芯片转移方法及其装置，以提高芯片转移良率。
[0006]第一方面，本申请提供了一种芯片转移方法，包括：
[0007]提供至少一个第一基板和第二基板，所述第一基板上承载有多个芯片，所述第二基板上设置有多个待安装位置；
[0008]获取每一所述第一基板上的所述多个芯片的光电参数，将每一所述第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组；
[0009]将所有所述第一基板中的至少一个所述第一基板上的所述目标芯片组转移至所述第二基板上，直至所述第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片。
[0010]上述芯片转移方法，通过提供至少一个第一基板和第二基板，第一基板上承载有多个芯片，第二基板上设置有多个待安装位置；获取每一第一基板上的多个芯片的光电参数，将每一第一基板上落入预先设置的同一光电参数范围内的所有芯片确定为目标芯片组；将所有第一基板中的至少一个第一基板上的目标芯片组转移至第二基板上，直至第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片，如此可保证转移至第二基板上的所有芯片的光电参数落入同一光电参数范围内，从而可保证转移至第二基板上的芯片亮度分布均匀，提高芯片转移良率。
[0011]在一些实施例中，所述获取每一所述第一基板上的所述多个芯片的光电参数，将每一所述第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组的步骤，具体包括：
[0012]采用光束激发每一所述第一基板上的多个所述芯片，以使所述第一基板上的多个所述芯片发光；
[0013]对所有所述芯片发光的所述第一基板进行图像采集，得到第一图像；
[0014]根据获取的所述第一图像确定所述第一基板上的各所述芯片的光电参数，将每一所述第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组。
[0015]在一些实施例中，所述根据获取的所述第一图像确定所述芯片的光电参数，将每一所述第一基板上落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组的步骤，具体包括：
[0016]根据获取的所述第一图像确定每一所述芯片的像素密度；
[0017]根据所述像素密度确定每一所述芯片的光电参数，并将每一所述第一基板上落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组。
[0018]在一些实施例中，所述将所有所述第一基板中的至少一个所述第一基板上的所述目标芯片组转移至所述第二基板上，直至所述第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片的步骤，具体包括：
[0019]按照目标芯片组包含的芯片数量逐渐递减的顺序，将所有所述第一基板中的至少一个所述第一基板上的目标芯片组逐次转移至第二基板上，直至所述第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片。
[0020]在一些实施例中，每次将一所述第一基板上的所述目标芯片组转移至所述第二基板，该所述目标芯片组的转移过程中至少执行一次对位转移操作，直至所述目标芯片组中的剩余所述芯片的数量小于预设值；所述对位转移操作包括：
[0021]获取所述目标芯片组中的所述芯片与对应的所述待安装位置的偏移量；
[0022]将所述目标芯片组中的各所述芯片分组为至少两个芯片组，将包含所述芯片数量最多的所述芯片组确定为待转移芯片组，并确定出所述待转移芯片组中各所述芯片的修正量；其中，所述分组按照所述目标芯片组中各所述芯片的偏移量是否落入预先设置的至少两个偏移量范围中进行，所述修正量位于所述待转移芯片组对应的所述偏移量范围中；
[0023]根据所述修正量调整所述第一基板和所述第二基板的相对位置，并将所述待转移芯片组中的所有所述芯片转移至对应的所述待安装位置。
[0024]在一些实施例中，所述芯片组包括第一芯片组和第二芯片组，所述偏移量包括沿第一方向的第一偏移量和沿第二方向的第二偏移量；所述偏移量范围包括沿第一方向的第一偏移量范围和沿第二方向的第二偏移量范围；
[0025]所述将所述目标芯片组中的各所述芯片分组为至少两个芯片组，将包含所述芯片数量最多的所述芯片组确定为待转移芯片组的步骤，具体包括：
[0026]将所述目标芯片组中的各所述芯片分组为至少两个第一芯片组，将包含所述芯片数量最多的所述第一芯片组确定为待定芯片组；其中，所述分组按照所述目标芯片组中的各所述芯片的第一偏移量是否落入预先设置的至少两个第一偏移量范围内进行；
[0027]将所述待定芯片组中各芯片分组为至少两个所述第二芯片组，在各所述第二芯片组中，将包含所述芯片数量最多的所述第二芯片组确定为所述待转移芯片组；其中，所述分组按照所述待定芯片组中的各所述芯片的第二偏移量是否落入预先设置的至少两个第二偏移量范围内进行。
[0028]在一些实施例中，所述修正量包括沿第一方向的第一修正量和沿第二方向的第二
修正量，所述待转移芯片组对应的所述偏移量范围包括所述第一偏移量范围和所述第二偏移量范围；
[0029]所述确定出所述待转移芯片组中各所述芯片的修正量的步骤包括：
[0030]在第一偏移量范围中选取所述第一修正量；在所述第二偏移量范围中选取所述第二修正量。
[0031]在一些实施例中，所述获取所述目标芯片组中的所述芯片与所述待安装位置的偏移量的步骤，具体包括：
[0032]将所述目标芯片组所在的所述第一基板和所述第二基板进行初对位；
[0033]对初对位的所述第一基板和所述第二基板进行图像采集，并根据采集的图像确定所述目标芯片组中各所述芯片与对应的各所述待安装位置的所述偏移量。
[0034]在一些实施例中，所述将所述目标芯片组所在的所述第一基板和所述第二基板进行初对位的步骤，具体包括：
[0035]确定第一基板上的所述目标芯片组所在区域的第一中心位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：提供至少一个第一基板和第二基板，所述第一基板上承载有多个芯片，所述第二基板上设置有多个待安装位置；获取每一所述第一基板上的所述多个芯片的光电参数，将每一所述第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组；将所有所述第一基板中的至少一个所述第一基板上的所述目标芯片组转移至所述第二基板上，直至所述第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片。2.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述获取每一所述第一基板上的所述多个芯片的光电参数，将每一所述第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组的步骤，具体包括：采用光束激发每一所述第一基板上的多个所述芯片，以使所述第一基板上的多个所述芯片发光；对所有所述芯片发光的所述第一基板进行图像采集，得到第一图像；根据获取的所述第一图像确定所述第一基板上的各所述芯片的光电参数，将每一所述第一基板上光电参数落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组。3.根据权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述根据获取的所述第一图像确定所述芯片的光电参数，将每一所述第一基板上落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组的步骤，具体包括：根据获取的所述第一图像确定每一所述芯片的像素密度；根据所述像素密度确定每一所述芯片的光电参数，并将每一所述第一基板上落入预先设置的同一光电参数范围内的所有所述芯片确定为目标芯片组。4.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将所有所述第一基板中的至少一个所述第一基板上的所述目标芯片组转移至所述第二基板上，直至所述第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片的步骤，具体包括：按照目标芯片组包含的芯片数量逐渐递减的顺序，将所有所述第一基板中的至少一个所述第一基板上的目标芯片组逐次转移至第二基板上，直至所述第二基板上的所述多个待安装位置均对应安装有所述芯片。5.根据权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，每次将一所述第一基板上的所述目标芯片组转移至所述第二基板，该所述目标芯片组的转移过程中至少执行一次对位转移操作，直至所述目标芯片组中的剩余所述芯片的数量小于预设值；所述对位转移操作包括：获取所述目标芯片组中的所述芯片与对应的所述待安装位置的偏移量；将所述目标芯片组中的各所述芯片分组为至少两个芯片组，将包含所述芯片数量最多的所述芯片组确定为待转移芯片组，并确定出所述待转移芯片组中各所述芯片的修正量；其中，所述分组按照所述目标芯片组中各所述芯片的偏移量是否落入预先设置的至少两个偏移量范围中进行，所述修正量位于所述待转移芯片组对应的所述偏移量范围中；根据所述修正量调整所述第一基板和所述第二基板的相对位置，并将所述待转移芯片组中的所有所述芯片转移至对应的所述待安装位置。6.根据权利要求5所述的芯片转移方法，其特征在于，所述芯片组包括第一芯片组和第
二芯片组，所述偏移量包括沿第一方向的第一偏移量和沿第二方向的第二偏移量；所述偏移量范围包括沿第一方向的第一偏移量范围和沿第二方向的第二偏移量范围；所述将所述目标芯片组中的各所述芯片分组为至少两个芯片组，将包含所述芯片数量最多的所述芯片组确定为待转移芯片组的步骤，具体包括：将所述目标芯片组中的各所述芯片分组为至少两个第一芯片组，将包含所述芯片数量最多的所述第一芯片组确定为待定芯片组；其中，所述分组按照所述目标芯片组中的各所述芯片的第一偏移量是否落入预先设置的至少两个第一偏移量范围内进行；将所述待定芯片组中各芯片分组为至少两个所述第二芯片组，在各所述第二芯片组中，将包含所述芯片数量最多的所述第二芯片组确定为所述待转移芯片组；其中，所述分组按照所述待定芯片组中的各所述芯片的第二偏移量是否落入预先设置的至少两个第二偏移量范围内进行。7.根据权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，所述修正量包括沿第一方向的第一修正量和沿第二方向的第二修正量，所述待转移芯片组对应的所述偏移量范围包括所述第一偏移量范围和所述第二偏移量范围；所述确定出所述待转移芯片组中各所述芯片的修正量的步骤包括：在第一偏移量范围中选取所述第一修正量；在所述第二偏移量范围中选取所述第二修正量。8.根据权利要求5所述的芯片转移方法，其特征在于，所述获取所述目标芯片组中的所述芯片与对应所述待...

【专利技术属性】
技术研发人员：王朝，朱卫强，李晓军，申中华，
申请(专利权)人：深圳市洲明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：