发光系统技术方案

本发明专利技术的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明专利技术的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用发光元件的发光系统。
技术介绍
发光元件是自发光元件并且试图用作发光系统。发光元件是表面-发射体灯，而且通过使用用于发光的发光元件可以获得能发出接近自然光的发光系统。发光元件具有包含发光表面的层，发光表面通过应用到阳极和阴极的电场发光(电致发光)。在包含发光物质的层中将从阳极注射的空穴与从阴极注射的电子结合，从而获得发光。从包含光:荧光)、，一和从三线激发态返回基态时获得二i光、(磷光)、。'在使用此类发光元件的发光设备中，在发光方向的电极必须是透明的。但是，通常用作透明电极的透明导电膜常常具有相对高的电阻率，这样在远离电源终端的部分会引起电压降。特别是发光系统常常以相同的亮度从整个表面发光；因此，亮度的在平面上的不均匀性会变得格外引人注意。但是，当发光系统具有很大的面积时，亮度会在电流难于流经的部分降低。换言之，在发光系统的发光区域中的亮度是不均匀的。此外，与用作阴极的金属(如铝)相比，通常用作阳极的ITO电极具有较高的电阻率。因此，在远离电源终端的部分造成电压降，这会导致低亮度。为了解决该问题，参考文献l报道了一种结构，其中至少一部分阳极装配有比阳极电阻率低的的辅助电极(见参考文献1:日本专利公开No.2004- 134282 )。在参考文献l中，在发光元件的长边或短边配备辅助电极。但是，当发光系统具有很大面积时，在远离辅助电极的部分(例如，在发光系统的中央部分)亮度会降低。然而，因为当辅助电极完全地配备在参考文献1的结构中的阳极时从发光层发出的光不能散发到外面，所以辅助电极只能部分配备。因为发光系统常常从整个表面以相同的亮度发光，因此亮度的不均匀性会变得格外引人注意。
技术实现思路
考虑到上述问题，本专利技术的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本专利技术的发光系统的 一个特征，包含发光物质的层在第一电极和第二电极之间形成，并形成第三电极以通过在第二电极和包含发光物质的层上形成的开口连接第一电极。换句话说，发光系统具有包含发光物质的层和在第一电极和辅助电极之间的第二电极；辅助电极排列在第 一 电极的反面与第二电极之间，并且第一电极通过第二电极和包含发光物质的层上形成的开口与辅助电极电连接。注意第一电极和第二电极必须分别与第二电一及和辅助电纟及电绝缘。更具体地，根据本专利技术的另一特征，具有第一开口的包含发光物质的层和具有第二开口的第二电极排列在由透明导电膜形成的第一电极上，以使第二开口与第一开口重叠；绝缘层形成于第二电极上，覆盖第一开口、第二开口和第二开口的侧面，并提供第三开口以暴露第一电极且第三电极形成于绝缘层上，以通过第一到第三开口与第一电极接触。根据本专利技术的另一特征，多个开口形成于发光系统的发光区域。在上述结构中，从包含发光物质的层发出的光从第一电极侧发出。换句话说，第一电极传送光并且其由透明导电膜形成。真体地，可以使用氧化锡铟(以下称作ITO)、含硅氧化锡铟、含2。/。-20。/。氧化锌(ZnO)的氧化铟等。注意优选使用低电阻率的材料作为辅助电极。可通过使用低电阻率的材料来降低由于第 一电极的相对高的电阻率导致的电压降作用。在上述结构中，包含发光物质的层可具有各自包括发光物质的多个层的层叠结构。此外在上述结构中，用于支撑发光系统的基底可以是柔性基底。在上述结构中，除了在辅助电极和第 一 电极的连接部分之外没有光损失，因为辅助电极不是放置在光发出的方向。因此，可以任意地调整辅助电极的材料、厚度或形成位置。在辅助电极和第一个电极的连接部分的面积足够小时，辅助电极的存在可以基本上忽略不计，即使当从光发射侧面观看时。因此，多个开口可形成于发光系统的发光区域。根据本专利技术的另一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线，其中绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互4妄触。根据本专利技术，可以获得具有优选的亮度平面均匀性的发光系统。因为辅助电极不是放置在光发出的方向，所以由辅助电极导致很少的光损失，且可以任意地调整辅助电极的材料、厚度或形成位置。附图说明图1A和旧各自是根据本专利技术某一方面的发光系统的发光区域的横截面图和俯视图2A-2D各自说明了根据本专利技术某一方面的发光系统的生产方法；明某一方面的发光系统的生产方法；图4A-4C各自说明了根据本专利技术某 一 方面的发光系统的生产方法；图5A和5B各自是根据本专利技术某一方面的发光系统的发光区域的横截面图和俯视图6A-6C各自说明了根据本专利技术某一方面的发光系统的生产方法；图7A和7B各自说明了根据本专利技术某一方面的发光系统的生产方法；图8A和8B各自是根据本专利技术某一方面的发光系统的俯视图和横截面图9说明了使用根据本专利技术某一方面的发光系统的设备的实施例；图10A-1OC各自说明了使用根据本专利技术某 一 方面的发光系统的设备的实施例；图11说明了根据本专利技术某一方面的发光系统的含发光物质层的实施例；图12说明了根据本专利技术某一方面的发光系统的含发光物质层的实施例；图13A和13B各自解释了根据本专利技术某一方面的发光系统的模式；图14A-14C各自解释了根据本专利技术某一方面的发光系统的生产方法；图15A-15C各自解释了根据本专利技术某一方面的发光系统的生产方法；图16A和16B各自解释了根据本专利技术某一方面的发光系统的模式；具体实施例方式本专利技术的实施方式将参考附图进行详细地描述。但是，本专利技术不局限于下述描述。如本领域熟练技术人员容易知道的，在不脱离本专利技术目的和范围的前提下可对本专利技术的方式和细节进行各种改进。因此，本专利技术不解释为限制于实施方式的下述描述。实施方式1根据本专利技术的发光系统的结构参考图1A和旧进行描述。图1A和旧中的所示的发光系统是一种从基底侧发光的底部发射发光系统。注意图1B是本专利技术发光系统的发光区域的俯视图，图1A是发光区域中开口附近的横截面图(沿着图1B的A-A，线)。图1A和旧中，基底101用作导光基底。具体地，可以使用诸如玻璃、塑料、聚酯或丙烯酸树脂的导光材料。基底101可以是柔性的。透明导电膜形成于基底101上，其作为第一电极102。例如，氧化锡铟(以下称作ITO)、含硅氧化锡铟、含2%-20%氧化锌(ZnO)的氧化铟等可用作透明导电膜。包含发光物质的层103形成于第一电极102上。包含发光物质的层103可使用已知的材料制成，并且还可以使用低分子量材料或高分子量材料。用于形成包含发光物质的层的材料不仅包括仅仅由有机化合物形成的材料，还包括部分含有无机化合物的材料。包含发光物质的层是通过适当地将空穴注射层、空穴传递层、空穴阻挡层、发光层、电子传递层、电子注射层等等组合而形成。包含发光物质的层可以是单一层或具有多个层的层叠结构。图ll说明了一种结构的实施例，其中包含发光物质的层包括空穴注射层、空穴传递层、发光层、电子传递层、电子注射层。在图ll中，在基底1100上形成了第一电极(阳极)1101、包含发光物质的层1102、和第二电极(阴极)1103。包含发光物质的层1102包括空穴注射层1111、空穴传递层1112、发光层1113、电子传递层1114、电子注射层1115。提示本专利技术发光系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光系统，所述发光系统包括　第一电极；　以栅格形式位于所述第一电极上的绝缘层，其中所述绝缘层包含凹陷部分和设置在所述凹陷部分中的开口；　设置在所述绝缘层的凹陷部分并通过所述开口与所述第一电极连接的布线；　覆盖所述 绝缘层和布线的包含发光物质的层；和　位于所述包含发光物质的层上的第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：濑尾哲史，荒井康行，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]