有机电致发光显示设备及其制造方法技术

有机电致发光显示设备及其制造方法。一种有机电致发光显示设备包括：相互面对并具有像素区和非像素区的第一基板和第二基板；所述第一基板的内表面上的薄膜晶体管和阵列层；所述第二基板的内表面上的第一电极；所述第一电极上的非像素区中的缓冲层；所述缓冲层上的遮光图案；所述遮光图案上的分隔件；所述第一电极上的所述像素区中的发光层；所述发光层上的第二电极；以及，所述第一基板和第二基板之间的连接电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示设备以及制造显示设备的方法，更具体地，涉及一种有机电致发光显示(OELD)设备，以及制造OELD设备的方法。
技术介绍
过去，许多显示设备采用阴极射线管(CRT)来显示图像。然而，目前正在开发作为替代CRT的各种平板显示器，例如液晶显示(LCD)设备、等离子体显示板(PDP)设备、场发射显示(FED)设备、以及电致发光显示(ELD)设备。在这些各种平板显示器中，PDP具有显示尺寸大的优点，但缺点是质量大，功耗高。类似地，LCD设备的优点是外形薄、功耗低，但缺点是尺寸小。然而OELD为发光显示器，优点是响应时间短、亮度高、视角宽。图1是根据现有技术的OELD的剖面图。如图1所示，OELD设备包括相互面对并利用密封剂70接合在一起的第一基板10和第二基板60。第一基板10包括薄膜晶体管T、阵列层AL和有机发光二极管E。有机发光二极管E包括位于像素区P内的第一电极48和有机发光层54；以及，第二电极56。第二基板60具有凹部62，其内填充有用于阻止外部潮气进入的干燥剂64。在图1中，当第一电极48由透明材料制成时，从有机发光层54发射的光向第一基板10透射。因此，将该OELD设备分类为底部发光型OELD设备。图2A是根据现有技术的OELD设备的像素区的平面图，图2B是示出了沿图2的线IIb-IIb截取的驱动薄膜晶体管的剖面图。如图2A所示，在第一基板10的像素区P中，有相互交叉的数据线42和选通线22、开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、电源线28和有机发光二极管E。如图2B所示，在第一基板10上布置有缓冲层12。半导体图案14和第一电容电极16布置在缓冲层12上。选通绝缘层18和栅极20布置在半导体图案14上。半导体图案14包括位于中心部分的有源区AR、位于左部的漏极区DR、和位于右部的源极区SR。在栅极20上布置有第一钝化层24。在第一钝化层24上与第一电容电极16相对应地布置有从电源线28延伸的作为第二电容电极的电源电极26。作为第二电容电极的电源电极26和第一电容电极16限定了储能电容器Cst。在电源电极26上布置有第二钝化层30。第一钝化层24和第二钝化层30具有用于露出源极区SR和漏极区DR的第一接触孔32和第二接触孔34。此外，第二钝化层30具有用于露出电源电极26的第三接触孔36。在第二钝化层30上布置有源极38和漏极40。源极38和漏极40分别通过第一接触孔32和第二接触孔34与源极区SR和漏极区DR接触。此外，源极38通过第三接触孔36与电源电极26接触。在源极38和漏极40上布置有第三钝化层44，并且第三钝化层44具有露出漏极40的第四接触孔46。在第三钝化层44上布置有包括第一电极48、有机发光层54和第二电极56的有机发光二极管E。第一电极48被布置在第三钝化层44上，并通过第四接触孔46与漏极40相接触。中间层50覆盖第一电极48的端部，并具有露出第一电极48的开口51。有机发光层54覆盖开口51和中间层50的一部分。第二电极56整个布置在具有有机发光层54的基板10上。在现有技术的OELD设备中，因为开关驱动薄膜晶体管和有机发光二极管都形成在第一(下)基板上，所以降低了OELD的生产率。例如，当制造之后确定开关驱动薄膜晶体管和有机发光二极管之一有缺陷时，则第一(下)基板被认为是不可接受的，并因此降低了OELD设备的生产率。此外，当OELD设备为底部发光型OELD(其中有机发光二极管的第一电极由透明材料制成)时，因为开关驱动薄膜晶体管和金属线阻挡了底部发射的光，所以降低了OELD设备的孔径比，并难以实现高的分辨率。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于一种OELD设备和一种制造OELD设备的方法，其基本上消除由于现有技术的局限和缺点引起的一个或多个问题。本专利技术的优点是提供一种能够具有提高的孔径比和高的分辨率的OELD设备。本专利技术的另一优点是提供一种能够具有提高的生产率的制造OELD的方法。本专利技术的其他特征和优点在下面的说明中阐明，部分地通过该说明中而明确，或者可通过对本专利技术的实践而获知。通过在书面的说明书及其权利要求和附图所特别指出的结构可以实现并且获得本专利技术的这些优点。为实现这些和其他的优点，并根据本专利技术的目的，如所具体实现并广义描述的，一种电致发光显示设备包括相互面对并具有像素区和非像素区的第一基板和第二基板；位于第一基板的内表面上的薄膜晶体管和阵列层；位于第二基板的内表面上的第一电极；位于第一电极上的非像素区中的缓冲层；位于缓冲层上的遮光图案；位于遮光图案上的分隔件；位于第一电极上的像素区中的发光层；位于发光层上的第二电极；以及位于所述第一基板和第二基板之间的连接电极。另一方面，一种制造用于电致发光显示设备的基板的方法包括在具有像素区和非像素区的基板上形成第一电极；在第一电极上的非像素区中形成缓冲层；在缓冲层上形成遮光图案；在遮蔽层上形成分隔件；在第一电极上的像素区中形成发光层；以及在发光层上形成第二电极。应该理解，上述的一般说明和一下的详细说明都是示例性和解释性的，旨在对要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明所包括的附图用于对本专利技术提供进一步的理解，其被并入并构成说明书的一部分，示出了本专利技术的实施例，并与说明书一起用来解释本专利技术的原理。在附图中图1是根据现有技术的OELD设备的剖面图；图2A是根据现有技术的OELD设备的像素区的平面图；图2B是示出了沿图2A的线的线IIb-IIb截取的驱动薄膜晶体管的剖面图；图3是根据本专利技术第一实施例的OELD设备的剖面图；图4是根据本专利技术第二实施例的OELD设备的平面图；图5是沿图4的V-V线截取的剖面图；图6是根据本专利技术第三实施例的OELD设备的剖面图；图7是根据本专利技术第四实施例的OELD设备的剖面图；图8是根据本专利技术第五实施例的OELD设备的剖面图；图9是根据本专利技术第六实施例的OELD设备的剖面图；图10是根据本专利技术第七实施例的OELD设备的剖面图；图11是根据本专利技术第八实施例的OELD设备的平面图；图12是沿图11的线XII-XII截取的剖面图；图13A到图13E是根据本专利技术的制造OELD设备的方法的剖面图。具体实施例方式现在将详细说明本专利技术的实施例，其示例在附图中示出。图3是根据本专利技术第一实施例的OELD设备的剖面图。如图3所示，该OELD设备包括相互面对并通过密封剂180接合在一起的第一基板110和第二基板130。在该OELD设备中，限定有显示图像的像素区P和布置在相邻像素区P之间的非像素区NP。第一基板110包括布置在第一基板110的内表面上的薄膜晶体管T和阵列层AL。薄膜晶体管T布置在像素区P中，并与阵列层AL相连。虽然在附图中未示出，但薄膜晶体管T可以具有栅极、源极和漏极以及半导体图案，如图2A所示。薄膜晶体管T可以与开关驱动薄膜晶体管相对应。虽然图中未示出，但阵列层AL可以包括导电图案，例如限定了像素区P的选通线和数据线以及电源线。第二基板130包括位于第二基板的内表面上的有机发光二极管E、缓冲层148和分隔件154。有机发光二极管E包括第二基板130上的第一电极144，以及在第一电极144上的像素区P中的有机发光层156和第二电极158。作为阳极的第一电极144可以由透明导电材料(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致发光显示设备，包括：相互面对并具有像素区和非像素区的第一基板和第二基板；位于所述第一基板的内表面上的薄膜晶体管和阵列层；位于所述第二基板的内表面上的第一电极；位于所述第一电极上的所述非像素区中的缓冲层 ；位于所述缓冲层上的遮光图案；位于所述遮光图案上的分隔件；位于所述第一电极上的所述像素区中的发光层；位于所述发光层上的第二电极；以及位于所述第一基板和第二基板之间的连接电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑仁宰，金棋容，裵晟埈，朴宰用，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]