本实用新型专利技术公开了一种扩散炉，包括：内设有反应腔的炉主体，反应腔的侧壁开设有废气排气口；位于反应腔外部的第一进气管和第二进气管，第一进气管的第一出气端延伸至反应腔内部且位于炉主体前侧；第二进气管的第二出气端延伸至反应腔内部且位于炉主体的中后侧。通过采用上述的结构，通过调整第一进气管和第二进气管输送工艺气体的流量，使得扩散炉可以加长后，反应腔内部的工艺气体浓度前后仍能基本保持一致，因而扩散炉能够一次处理更多的硅片且硅片扩散处理工艺的均匀性更好。本实用新型专利技术还公开了扩散装置，包括输气组件及上述的扩散炉。通过采用上述的扩散炉，使得扩散装置进行扩散工艺处理时，既能够提高产能，而且硅片的扩散处理更加均匀。扩散处理更加均匀。扩散处理更加均匀。
【技术实现步骤摘要】
一种扩散炉及扩散装置
[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种扩散炉及扩散装置。
技术介绍
[0002]众所周知硅片是制作太阳能电池的主要部件，企业在生产过程中需要采用扩散炉对硅片进行掺杂，使得硅片内部形成PN结，具体地，太阳能电池的制造过程中，硅片的表面需要在扩散炉中进行扩散工艺处理，其主要其利用杂质原子向半导体芯片内部扩散的方法，改变半导体芯片表面层的导电类型，从而形成P
‑
N结，这也是形成P
‑
N结的主要工艺，在生产过程中，需要采用石英舟装载待处理的硅片并放置于扩散炉，然后在扩散炉内通入工艺气体进行扩散处理。
[0003]随着光伏产业的不断发展，市场对于太阳能电池的需求也越来越大，进而企业需要不断扩大对硅片进行扩散工艺处理的产能，现有企业主要方法是通过将扩散炉的炉体加长、石英舟加长，加长后的石英舟可以一次性装载更多的硅片，进而可以推送进加长后的扩散炉内进行扩散处理。
[0004]通过采用上述的方法虽然可以扩大硅片的扩散工艺处理产能，但是现有扩散炉的进气方式采用单路进气管结构，具体为从扩散炉的炉体前端的炉口进气，然后从炉体的后端抽取废气的结构，工艺气体从炉体的一端流向另一端，工艺气体的浓度从炉体的前端往后端的方向呈现由高至低的分布，从而导致硅片扩散处理工艺的均匀性变差，且工艺均匀性很难通过温度梯度和压力来补偿。另外加长后的石英舟，从力学分析，石英舟容易出现断裂，另在高温的工艺条件下，石英舟长度越长越容易出现变形，导致石英舟的使用寿命变短。
技术实现思路
[0005]本技术旨在至少一定程度上解决现有技术问题之一。为此，本技术第一方面提出了一种扩散炉，不但可以使得扩散炉一次可以处理更多的硅片，同时有助于使得扩散炉内前后端的工艺气体浓度更加均匀；本技术第二方面提出了一种采用上述扩散炉的扩散装置，既可以扩大硅片的扩散工艺处理，同时可以提高硅片扩散处理工艺的均匀性。
[0006]根据本技术第一方面的一种扩散炉，其特征在于，包括：炉主体，内设有反应腔，所述炉主体前端开设有与所述反应腔相连通的进出口，所述反应腔的侧壁开设有至少一个废气排气口；第一进气管，位于所述炉主体外部，所述第一进气管的第一出气端延伸至所述反应腔内部；第二进气管，位于所述炉主体外部，所述第二进气管的第二出气端延伸至所述反应腔内部；其中，所述第一出气端位于所述炉主体前侧，所述第二出气端位于所述炉主体的中后侧。
[0007]根据本技术的一种扩散炉，具有如下有益效果：
[0008]通过采用第一进气管和第二进气管给炉主体输送工艺气体，且第一进气管的第一
出气端位于反应腔前侧，第二进气管的第二出气端位于反应腔的中后侧，因此本技术的扩散炉的炉主体加长并用于对硅片进行扩散工艺处理时，可通过调整第一进气管和第二进气管输送工艺气体的流量，进而使得反应腔内部的工艺气体浓度前后基本保持一致，解决了传统扩散炉加长后导致工艺气体的浓度从炉主体内部的前端往后端的方向由高至低的分布的技术问题，进而使得本技术的扩散炉可以加长并且能够一次处理更多的硅片，而且反应腔内部前后侧的工艺气体的浓度基本一致，进而使得硅片扩散处理工艺的均匀性更好，很好地满足了企业的生产需求。
[0009]在一些实施方式中，所述第一进气管和所述第二进气管均设置于所述反应腔的内壁底部。
[0010]在一些实施方式中，所述第一出气端位于所述反应腔前侧且临近所述进出口。
[0011]在一些实施方式中，所述第二出气端位于所述反应腔中部。
[0012]在一些实施方式中，所述炉主体后端侧壁开设有第一过孔和第二过孔，所述第一进气管穿过所述第一过孔并插装于所述反应腔内部，所述第二进气管穿过所述第二过孔并插装于所述反应腔内部。
[0013]在一些实施方式中，所述废气排气口开设于所述所述反应腔后端的侧壁。
[0014]在一些实施方式中，所述反应腔的侧壁开设有至少一个连接通道，一个所述连接通道内安装有温度检测装置。
[0015]在一些实施方式中，所述反应腔内部容纳有至少两个石英舟，所有的所述石英舟沿着所述炉主体的长度方向依次放置。
[0016]根据本技术第二方面的扩散装置，包括输气组件及上述的扩散炉，所述输气组件用于向所述第一进气管和所述第二进气管输送工艺气体。
[0017]根据本技术的扩散装置，具有如下有益效果：
[0018]通过采用上述的扩散炉，使得扩散装置能够一次对更多的硅片进行硅片扩散工艺处理，大大提高了企业的生产效率，而且可以使得硅片扩散处理工艺的均匀性更好，很好地满足企业的生产需求。
[0019]在一些实施方式中，所述输气组件包括设置于所述第二进气管的第二进气端的流量调节阀。
附图说明
[0020]图1是本技术某些实施例的扩散炉的结构示意图；
[0021]图2是图1中示出的扩散炉的另一个角度的结构示意图；
[0022]图3是图1中示出的扩散炉沿A
‑
A线的剖面示意图；
[0023]图4是图1中示出的扩散炉沿B
‑
B线的剖面示意图；
[0024]图5是采用本技术某些实施例的扩散装置的结构原理示意图。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本实施方式的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实施方式，而不能理解为对本实施方式的限制。
[0026]本实施方式所使用的附图为示意性的、原理性的，仅是为了便于描述本实施方式和简化描述，因此不能理解为对本实施方式的限制。
[0027]在本实施方式的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0028]本实施方式的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实施方式中的具体含义。
[0029]图1至图4是本技术的一种扩散炉的某种实施方式的示意图。
[0030]参照图1至图4，并主要参照图3和图4，根据本实施方式的一种扩散炉(为便于说明，后面有时仅称“扩散炉”)，用于对硅片进行硅片进行扩散工艺处理，使得硅片内部形成PN结，具体地，太阳能电池的制造过程中，硅片的表面需要在扩散炉中进行扩散工艺处理，其主要其利用杂质原子向半导体芯片内部扩散的方法，改变半导体芯片表面层的导电类型，从而形成P
‑
N结，这也是形成P
‑
N结的主要工艺。
[0031]本实施例的扩散炉，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种扩散炉，其特征在于，包括：炉主体，内设有反应腔，所述炉主体前端开设有与所述反应腔相连通的进出口，所述反应腔的侧壁开设有至少一个废气排气口；第一进气管，位于所述炉主体外部，所述第一进气管的第一出气端延伸至所述反应腔内部；第二进气管，位于所述炉主体外部，所述第二进气管的第二出气端延伸至所述反应腔内部；其中，所述第一出气端位于所述炉主体前侧，所述第二出气端位于所述炉主体的中后侧。2.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于：所述第一进气管和所述第二进气管均设置于所述反应腔的内壁底部。3.根据权利要求1或2所述的扩散炉，其特征在于：所述第一出气端位于所述反应腔前侧且临近所述进出口。4.根据权利要求3所述的扩散炉，其特征在于：所述第二出气端位于所述反应腔中部。5.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于：所述炉主体后端侧壁开设...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晨光，杨宝立，陈淳才，蒋能明，何子民，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。