一种单片式外延炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种单片式外延炉，涉及外延炉技术领域，包括外壳，所述外壳的上表面设置有升降组件，所述外壳的下表面设置有夹持组件；所述夹持组件包括矩形块，所述矩形块的下表面开设有安装槽，所述安装槽的内表面之间转动连接有双向丝杆，所述双向丝杆的右端面滑动贯穿安装槽的内表面并延伸至外侧，所述双向丝杆的右端面固定连接有第一把手。本实用新型专利技术中，转动第一把手，带动双向丝杆转动，从而同时使两个移动块移动，然后通过两个夹持块和挡板可以将不同大小的卤钨灯组加热器安装在矩形块的中心位置，通过卤钨灯组加热器对石英CVD反应腔的外部进行加热，从而减少氯化氢腐蚀时间，提升了工作效率。提升了工作效率。提升了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种单片式外延炉


[0001]本技术涉及外延炉
，尤其涉及一种单片式外延炉。

技术介绍

[0002]单片CVD外延炉一般适用于加工低压薄层参数，如肖特基、低压MOS、CIS器件等，其片内、片间一致性要优于多片外延炉，但是随着大直径硅外延片的发展，片内趋势要求越加严格，但是(因此)工艺难度逐步加大，每加工一片或几片硅外延片就要用氯化氢气体将石英CVD反应腔的内表面和石墨基座表面沉积的多晶硅腐蚀掉，否则会在硅外延层中产生大量被称为“包裹物”的问题。
[0003]现有技术中，如中国专利技术CN217298003U公开了单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉，它包括进气管组、分流导流槽、两个进气导流槽及承载导流槽。进气管组包括一中心进气管及对称分布于中心进气管两侧的外进气管；分流导流槽用于连接进气管组，分流导流槽的中间设有两个连通中心进气管的中分流孔，分流导流槽的两侧设有连通外进气管的外进气孔；进气导流槽上设有与各中分流孔及各外进气孔一一对应连通的中通气道和外通气道；承载导流槽具有加热腔、合流两个中通气道的中进气口及对应连通各外通气道的外进气口。本技术通过设置至少三路进气管，扩展气流调整的空间和范围，提升外延片生长厚度的一致性，从而改善器件的离散度。
[0004]上述专利中，虽然该单片CVD外延炉提升外延片生长厚度的一致性，从而改善器件的离散度，但是为了减少氯化氢腐蚀时间，在氯化氢腐蚀过程中要尽可能升高石英生长腔内表面的温度，而提出的一种单片式外延炉。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是解决现有技术中存在为了减少氯化氢腐蚀时间，在氯化氢腐蚀过程中要尽可能升高石英生长腔内表面的温度的问题，而提出的一种单片式外延炉。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种单片式外延炉，包括外壳，所述外壳的上表面设置有升降组件，所述外壳的下表面设置有夹持组件；所述夹持组件包括矩形块，所述矩形块的下表面开设有安装槽，所述安装槽的内表面之间转动连接有双向丝杆，所述双向丝杆的右端面滑动贯穿安装槽的内表面并延伸至外侧，所述双向丝杆的右端面固定连接有第一把手，所述双向丝杆的外表面对称螺纹连接有移动块，两个所述移动块的下表面均固定连接有夹持块，两个所述夹持块的下表面均固定连接有挡板。
[0007]优选的，所述外壳的上表面中心位置开设有滑槽，所述滑槽的内表面对称开设有限位槽。
[0008]优选的，所述升降组件包括U型架，所述U型架的上表面螺纹贯穿有螺纹杆，所述螺纹杆的螺纹连接有螺纹套筒，所述螺纹套筒的外表面对称固定连接有限位块，所述螺纹套筒的外表面远离限位块的一侧对称固定连接有卡合块，所述螺纹杆的上端面固定连接有第二把手。
[0009]优选的，所述螺纹套筒的外表面与滑槽的外表面呈滑动设置，所述限位块的外表面均与两个所述限位槽的内表面呈滑动设置。
[0010]优选的，所述矩形块的上表面与螺纹套筒的下端面固定连接，所述移动块的外表面与安装槽的外表面呈滑动设置。
[0011]优选的，两个所述夹持块的外表面之间设置有卤钨灯组加热器。
[0012]与现有技术相比，本技术的优点和积极效果在于，
[0013]1、本技术中，转动第一把手，带动双向丝杆转动，从而同时使两个移动块移动，然后通过两个夹持块和挡板可以将不同大小的卤钨灯组加热器安装在矩形块的中心位置，通过卤钨灯组加热器对石英CVD反应腔的外部进行加热，从而减少氯化氢腐蚀时间，提升了工作效率。
[0014]2、本技术中，通过第二把手、螺纹杆、卡合块、螺纹套筒、滑槽和限位槽配合使用，起到了可以调节卤钨灯组加热器的高低，从而增加卤钨灯组加热器的使用率。
附图说明
[0015]图1为本技术提出一种单片式外延炉的立体图；
[0016]图2为本技术提出一种单片式外延炉的夹持组件结构示意图；
[0017]图3为本技术提出一种单片式外延炉的升降组件结构示意图；
[0018]图4为本技术提出一种单片式外延炉的外壳结构示意图。
[0019]图例说明：1、外壳；2、夹持组件；201、矩形块；202、双向丝杆；203、安装槽；204、移动块；205、挡板；206、夹持块；207、第一把手；3、升降组件；301、螺纹套筒；302、限位块；303、螺纹杆；304、U型架；305、第二把手；306、卡合块；4、卤钨灯组加热器；5、滑槽；6、限位槽。
具体实施方式
[0020]为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本技术做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0021]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是，本技术还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本技术并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。
[0022]实施例1，如图1－图4所示，本技术提供了一种单片式外延炉，包括外壳1，外壳1的上表面设置有升降组件3，外壳1的下表面设置有夹持组件2；夹持组件2包括矩形块201，矩形块201的下表面开设有安装槽203，安装槽203的内表面之间转动连接有双向丝杆202，双向丝杆202的右端面滑动贯穿安装槽203的内表面并延伸至外侧，双向丝杆202的右端面固定连接有第一把手207，双向丝杆202的外表面对称螺纹连接有移动块204，两个移动块204的下表面均固定连接有夹持块206，两个夹持块206的下表面均固定连接有挡板205，移动块204的外表面与安装槽203的外表面呈滑动设置，两个夹持块206的外表面之间设置有卤钨灯组加热器4。
[0023]其整个实施例1达到的效果为，当单片式外延炉在工作时石英CVD反应腔的内表面的温度不足时，将卤钨灯组加热器4放置在矩形块201上，然后转动第一把手207，使双向丝
杆202在安装槽203中转动，从而使两个移动块204同时在双向丝杆202上前后移动，通过两个夹持块206和挡板205配合使用，起到了将不同大小卤钨灯组加热器4安装在矩形块201上的作用，且卤钨灯组加热器4的位置始终处于矩形块201中心位置，然后启动卤钨灯组加热器4对石英CVD反应腔的外部进行辅助加热，减少氯化氢腐蚀时间，提升了工作效率。
[0024]实施例2，如图1－图4所示，外壳1的上表面中心位置开设有滑槽5，滑槽5的内表面对称开设有限位槽6，升降组件3包括U型架304，U型架304的上表面螺纹贯穿有螺纹杆303，螺纹杆303的螺纹连接有螺纹套筒301，螺纹套筒301的外表面对称固定连接有限位块302，螺纹套筒301的外表面远离限位块302的一侧对称固定连接有卡合块306，螺纹杆303的上端面固定连接有第二把手305，螺纹套筒301的外表面与滑槽5的外表面呈滑动设置，限位块302的外表面均与两个限位槽6的内表面呈滑动设置，矩形块201的上表面与螺纹套筒301的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单片式外延炉，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的上表面设置有升降组件(3)，所述外壳(1)的下表面设置有夹持组件(2)；所述夹持组件(2)包括矩形块(201)，所述矩形块(201)的下表面开设有安装槽(203)，所述安装槽(203)的内表面之间转动连接有双向丝杆(202)，所述双向丝杆(202)的右端面滑动贯穿安装槽(203)的内表面并延伸至外侧，所述双向丝杆(202)的右端面固定连接有第一把手(207)，所述双向丝杆(202)的外表面对称螺纹连接有移动块(204)，两个所述移动块(204)的下表面均固定连接有夹持块(206)，两个所述夹持块(206)的下表面均固定连接有挡板(205)。2.根据权利要求1所述的单片式外延炉，其特征在于：所述外壳(1)的上表面中心位置开设有滑槽(5)，所述滑槽(5)的内表面对称开设有限位槽(6)。3.根据权利要求2所述的单片式外延炉，其特征在于：所述升降组件(3)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈恒文，程宣林，金修领，高月华，
申请(专利权)人：江苏艾匹克半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：