一种单片式外延炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种单片式外延炉，涉及外延炉技术领域，包括外壳，所述外壳的上表面设置有升降组件，所述外壳的下表面设置有夹持组件；所述夹持组件包括矩形块，所述矩形块的下表面开设有安装槽，所述安装槽的内表面之间转动连接有双向丝杆，所述双向丝杆的右端面滑动贯穿安装槽的内表面并延伸至外侧，所述双向丝杆的右端面固定连接有第一把手。本实用新型专利技术中，转动第一把手，带动双向丝杆转动，从而同时使两个移动块移动，然后通过两个夹持块和挡板可以将不同大小的卤钨灯组加热器安装在矩形块的中心位置，通过卤钨灯组加热器对石英CVD反应腔的外部进行加热，从而减少氯化氢腐蚀时间，提升了工作效率。提升了工作效率。提升了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种单片式外延炉


[0001]本技术涉及外延炉
，尤其涉及一种单片式外延炉。

技术介绍

[0002]单片CVD外延炉一般适用于加工低压薄层参数，如肖特基、低压MOS、CIS器件等，其片内、片间一致性要优于多片外延炉，但是随着大直径硅外延片的发展，片内趋势要求越加严格，但是(因此)工艺难度逐步加大，每加工一片或几片硅外延片就要用氯化氢气体将石英CVD反应腔的内表面和石墨基座表面沉积的多晶硅腐蚀掉，否则会在硅外延层中产生大量被称为“包裹物”的问题。
[0003]现有技术中，如中国专利技术CN217298003U公开了单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉，它包括进气管组、分流导流槽、两个进气导流槽及承载导流槽。进气管组包括一中心进气管及对称分布于中心进气管两侧的外进气管；分流导流槽用于连接进气管组，分流导流槽的中间设有两个连通中心进气管的中分流孔，分流导流槽的两侧设有连通外进气管的外进气孔；进气导流槽上设有与各中分流孔及各外进气孔一一对应连通的中通气道和外通气道；承载导流槽具有加热腔、合流两个中通气道的中进气口及对应连通各外通气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单片式外延炉，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的上表面设置有升降组件(3)，所述外壳(1)的下表面设置有夹持组件(2)；所述夹持组件(2)包括矩形块(201)，所述矩形块(201)的下表面开设有安装槽(203)，所述安装槽(203)的内表面之间转动连接有双向丝杆(202)，所述双向丝杆(202)的右端面滑动贯穿安装槽(203)的内表面并延伸至外侧，所述双向丝杆(202)的右端面固定连接有第一把手(207)，所述双向丝杆(202)的外表面对称螺纹连接有移动块(204)，两个所述移动块(204)的下表面均固定连接有夹持块(206)，两个所述夹持块(206)的下表面均固定连接有挡板(205)。2.根据权利要求1所述的单片式外延炉，其特征在于：所述外壳(1)的上表面中心位置开设有滑槽(5)，所述滑槽(5)的内表面对称开设有限位槽(6)。3.根据权利要求2所述的单片式外延炉，其特征在于：所述升降组件(3)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈恒文，程宣林，金修领，高月华，
申请(专利权)人：江苏艾匹克半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：