半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种可靠性较高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一连接器，包括具有第一上表面的板以及连接于板的第一端子，板的第一板部的板厚比第一板部与第一端子之间的板的第二板部的板厚薄；半导体芯片，设于第一上表面之上；第一接合材料，设于第一上表面与半导体芯片之间；第二连接器，设于半导体芯片之上；第三连接器，板设于第一端子与第三连接器之间；第二接合材料，设于第二连接器与半导体芯片之间；以及第三接合材料，设于第二连接器与第三连接器之间。二连接器与第三连接器之间。二连接器与第三连接器之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2022－45800号(申请日：2022年3月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0004]具有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等半导体芯片的半导体装置使用于电力转换等用途。例如，在上述的半导体装置为纵型的MOSFET的情况下，设于半导体芯片的上表面的源极电极例如与设于MOSFET之上的连接器连接。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种可靠性较高的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具备：第一连接器，包括具有第一上表面的板以及连接于板的第一端子，板的第一板部的板厚比第一板部与第一端子之间的板的第二板部的板厚薄；半导体芯片，设于第一上表面之上；第一接合材料，设于第一上表面与半导体芯片之间；第二连接器，设于半导体芯片之上；第三连接器，板设于第一端子与第三连接器之间；第二接合材料，设于第二连接器与半导体芯片之间；以及第三接合材料，设于第二连接器与第三连接器之间。
附图说明
[0007]图1是实施方式的半导体装置的示意俯视图。
[0008]图2是实施方式的半导体装置的示意剖面图。
[0009]图3的(a)、(b)是实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图。
[0010]图4是成为实施方式的第一比较方式的半导体装置的示意剖面图。
[0011]图5是成为实施方式的第二比较方式的半导体装置的示意剖面图。
[0012]图6是成为实施方式的第三比较方式的半导体装置的示意剖面图。
具体实施方式
[0013]以下，一边参照附图一边对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，对相同的部件等标注相同的附图标记，对已说明的部件等适当省略其说明。
[0014]在本说明书中，为了表示部件等的位置关系，将附图的上方向记述为“上”，将附图的下方向记述为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念并非必须是表示与重力方向的关系的词语。
[0015](实施方式)
[0016]实施方式的半导体装置具备：第一连接器，包括具有第一上表面的板以及连接于板的第一端子，板的第一板部的板厚比第一板部与第一端子之间的板的第二板部的板厚薄；半导体芯片，设于第一上表面之上；第一接合材料，设于第一上表面与半导体芯片之间；第二连接器，设于半导体芯片之上；第三连接器，板设于第一端子与第三连接器之间；第二接合材料，设于第二连接器与半导体芯片之间；以及第三接合材料，设于第二连接器与第三连接器之间。
[0017]图1是实施方式的半导体装置100的示意俯视图。图2是实施方式的半导体装置100的示意剖面图。图2是图1中的A－A
’
剖面的示意图。
[0018]使用图1以及图2说明实施方式的半导体装置100。
[0019]漏极连接器(裸片焊盘，第一连接器的一个例子)2是配置半导体芯片10的、包含Cu(铜)等导电性材料的部件。漏极连接器2具有第一板(板的一个例子)3和漏极端子(第一端子的一个例子)6。第一板3具有底面1和第一上表面4。漏极端子6连接于第一板3。漏极端子6用于半导体芯片10与未图示的外部电路的连接。
[0020]这里，定义X方向、相对于X方向垂直地交叉的Y方向以及与X方向和Y方向垂直地交叉的Z方向。底面1以及第一上表面4与XY面平行地配置。漏极端子6设于第一板3的Y方向的一侧。
[0021]第一板3具有第一板部3a和第二板部3b。第二板部3b设于第一板部3a与漏极端子6之间。第一板3的第一板部3a的膜厚t1比第一板3的第二板部3b的膜厚t2薄。
[0022]例如，第一上表面4在第一上表面4之上具有倾斜部30。倾斜部30设为从第二板部3b朝向第一板部3a变低。倾斜部30具有第二上表面32。
[0023]第二上表面32与第一上表面4所成的角θ优选为0.2度以上3度以下。另外，在实施方式的图中，为了使倾斜部30的图示便于观察，将θ设为大于3度而进行图示。
[0024]半导体芯片10设于漏极连接器2的第一上表面4之上或者漏极连接器2的倾斜部30之上。半导体芯片10例如是在Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaAs(砷化镓)或者GaN(氮化镓)等半导体基板上设有纵型的MOSFET或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等的芯片。
[0025]如图2所示，实施方式的半导体芯片10具有凸部11d。实施方式的半导体芯片10具有向上凸的形状。在半导体装置100中，以向上凸起的方式配置有凸部11d。换言之，凸部11d在第二金属膜(源极电极)18侧具有凸的形状。即，半导体芯片10具有向设有第二连接器50的一侧凸起的形状。另外，即使是不具有向上凸起的形状的半导体芯片10，也能够优选地用于实施方式的半导体装置100。
[0026]半导体芯片10具有第三上表面11a。第三上表面11a具有第一边11b和与第一边11b对置的第二边11c。从上方观察时，第一边11b设于第二边11c与第三连接器54之间。
[0027]第一接合材料70设于第一上表面4与半导体芯片10之间。在第一上表面4具有倾斜部30的情况下，第一接合材料70设于倾斜部30与半导体芯片10之间。第一接合材料70将第一上表面4或者倾斜部30与半导体芯片10接合。例如，在半导体芯片10上设有MOSFET的情况下，第一接合材料70将第一上表面4或者倾斜部30与未图示的半导体芯片10的漏极电极接合。
[0028]优选的是从上方观察时的倾斜部30的面积比从上方观察时的半导体芯片10的面积大。
[0029]另外，倾斜部30可以设于第一上表面4之上的整个面，也可以设于第一上表面4之上的一部分。
[0030]第一接合材料70也可以在第一接合材料70之中具有空隙(气泡)72。图2中示出了空隙72a以及空隙72b。
[0031]第一金属膜16设于半导体芯片10之上。第一金属膜16例如包含Al(铝)。
[0032]绝缘膜12设于第一金属膜16之上。例如，绝缘膜12设于半导体芯片10的端部之上以及第一金属膜16的端部之上。绝缘膜12例如包含聚酰亚胺等绝缘材料。
[0033]第二金属膜18设于第一金属膜16之上。第二金属膜18在第一金属膜16之上被绝缘膜12包围。第二金属膜18例如包含Ni以及Au。
[0034]例如，在半导体芯片10上设有MOSFET的情况下，第一金属膜16以及第二金属膜18相当于MOSFET的源极电极。
[0035]第三连接器(第一柱部的一个例子)54具有第二板58和源极端子(第二端子的一个例子)56。第三连接器54包含Cu等导电性材料。第三连接器54用于半导体芯片10与未图示的外部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一连接器，包括具有第一上表面的板以及连接于所述板的第一端子，所述板的第一板部的板厚比所述第一板部与所述第一端子之间的所述板的第二板部的板厚薄；半导体芯片，设于所述第一上表面之上；第一接合材料，设于所述第一上表面与所述半导体芯片之间；第二连接器，设于所述半导体芯片之上；第三连接器，所述板设于所述第一端子与第三连接器之间；第二接合材料，设于所述第二连接器与所述半导体芯片之间；以及第三接合材料，设于所述第二连接器与所述第三连接器之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片具有向设有第二连接器的一侧凸起的形状。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一上表面在所述第一上表面之上具有从所述第二板部朝向所述第一板部而变低的倾斜部。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，从上方观察时的所述倾斜部的面积比从上方观察时的所述半导体芯片的面积大。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木健之，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：