半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供提高了可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有引线框；第1接合件，设置于引线框之上；半导体芯片，具有下表面、上表面、在下表面设置并与第1接合件连接的第1电极、在上表面设置的第2电极、以及与第2电极连接的多个电极焊盘，该半导体芯片设置于第1接合件之上；多个第2接合件，分别设置于多个电极焊盘之上；以及第1连接器，与多个第2接合件之中的至少某一个连接，不与第1连接器连接的第2接合件不连接于连接器或导线。接合件不连接于连接器或导线。接合件不连接于连接器或导线。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请享有以日本专利申请2022－44781号(申请日：2022年3月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]具有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等半导体芯片的半导体装置在电力变换等用途中被使用。例如，在上述的半导体装置为纵向型的MOSFET的情况下，在半导体芯片的上表面设置的源极电极例如与在MOSFET之上设置的连接器连接。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供提高了可靠性的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具有：引线框；第1接合件，设置于引线框之上；半导体芯片，具有下表面、上表面、在下表面设置并与第1接合件连接的第1电极、在上表面设置的第2电极、以及与第2电极连接的多个电极焊盘，该半导体芯片设置于第1接合件之上；多个第2接合件，分别设置于多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，具备：引线框；第1接合件，设置于所述引线框之上；半导体芯片，具有下表面、上表面、在所述下表面设置并与所述第1接合件连接的第1电极、在所述上表面设置的第2电极、以及与所述第2电极连接的多个电极焊盘，该半导体芯片设置于所述第1接合件之上；多个第2接合件，分别设置于所述多个电极焊盘之上；以及第1连接器，与所述多个第2接合件之中的至少某一个连接，不与所述第1连接器连接的所述第2接合件不连接于连接器或导线。2.一种半导体装置，其中，具备：引线框；第1接合件，设置于所述引线框之上；半导体芯片，具有下表面、上表面、在所述下表面设置并与所述第1接合件连接的第1电极、在所述上表面设置的第2电极、以及与所述第2电极连接的多个电极焊盘，该半导体芯片设置于所述第1接合件之上；多个第2接合件，分别设置于所述多个电极焊盘之上；第1连接器，与所述多个第2接合件之中的至少某一个连接；以及密封树脂，在不与所述第1连接器电连接的所述第2接合件之上设置。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，还具有第2连接器，该第2连接器与不电连接于所述第1连接器的所述第2接合件连接。4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述密封树脂将不与所述第1连接器电连接的所述第2接合件覆盖。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体芯片还具有：第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极之上；第2导电型...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田圣，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：