一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET制造技术

本实用新型专利技术提供了一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有沟槽；夹断区，所述夹断区设于所述漂移层的上侧面，且所述沟槽穿过所述夹断区；所述夹断区上设有源区；绝缘层，所述绝缘层设于所述沟槽内，所述沟槽内设有屏蔽栅和栅极，所述栅极位于所述屏蔽栅的上方；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面在不影响器件导通电阻的情况下，通过屏蔽栅结构，将栅源电容减少，可以提高器件开关速度。可以提高器件开关速度。可以提高器件开关速度。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET


[0001]本技术涉及一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET。

技术介绍

[0002]碳化硅器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。
[0003]然而在追求功率密度的当下，对于器件的开关速度和导通电阻的折衷意味着效率和功率密度的折衷，所以一种能兼顾导通电阻和开关速度的器件成为必然追求。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题，在于提供一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET，在不影响器件导通电阻的情况下，通过屏蔽栅结构，将栅源电容减少，可以提高器件开关速度。
[0005]本技术是这样实现的：一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET，包括：
[0006]碳化硅衬底；
[0007]漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有沟槽；
[0008]夹断区，所述夹断区设于所述漂移层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有沟槽；夹断区，所述夹断区设于所述漂移层的上侧面，且所述沟槽穿过所述夹断区；所述夹断区上设有源区；绝缘层，所述绝缘层设于所述沟槽内，所述沟槽内设有屏蔽栅和栅极，所述栅极位于所述屏蔽栅的上方；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面。2.如权利要求1所述的一种屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡臻，周海，何佳，吴玲琼，
申请(专利权)人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：