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本实用新型提供了一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有沟槽；夹断区，所述夹断区设于所述漂移层的上侧面，且所述沟槽穿过所述夹断区；所述夹断区上设有源区；绝缘层，所述...
该专利属于浏阳泰科天润半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浏阳泰科天润半导体技术有限公司授权不得商用。

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