半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法技术

本申请实施例提出了一种半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法，其中，所述半导体结构包括至少一个晶体管，所述晶体管包括：沟道，所述沟道包括第一半导体层和环绕所述第一半导体层设置的第二半导体层；所述第二半导体层在所述沟道中引入应变。体层在所述沟道中引入应变。体层在所述沟道中引入应变。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及其制造方法、 存储器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的微型化、高密度化、高集成度化，存储器尺寸的不断缩 小，半导体器件中的晶体管特征尺寸缩小到纳米尺度后，晶体管的功耗密度、 迁移率等到达物理极限，对提高晶体管的性能带来了更大的挑战。相关技术中 的晶体管受限于功耗密度、迁移率等物理极限，难以降低晶体管的功耗、提高 晶体管的速度等。

技术实现思路

[0003]为解决相关技术问题，本申请实施例提出了一种半导体结构及其制造方法、 存储器及其制造方法。
[0004]本申请实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括至少一个晶体 管，所述晶体管包括：
[0005]沟道，所述沟道包括第一半导体层和环绕所述第一半导体层设置的第二半 导体层；所述第二半导体层在所述沟道中引入应变。
[0006]上述方案中，所述晶体管还包括：
[0007]栅极，覆盖所述沟道的至少一个侧面；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括至少一个晶体管，所述晶体管包括：沟道，所述沟道包括第一半导体层和环绕所述第一半导体层设置的第二半导体层；所述第二半导体层在所述沟道中引入应变。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管还包括：栅极，覆盖所述沟道的至少一个侧面；源极和漏极，分别位于所述沟道的延伸方向的两端。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极环绕所述沟道设置。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体层包含的第一元素的晶格常数与所述第二半导体层的包含的第二元素的晶格常数不同。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体层的材料包括硅锗，所述第二半导体层的材料包括硅。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道截面形状包括以下之一：圆形；椭圆形；矩形。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个晶体管，所述多个晶体管对应的多个所述沟道沿第一方向和第二方向阵列排布；所述第一方向和所述第二方向均与所述沟道的延伸方向垂直；其中，沿所述第一方向排布的每一排晶体管中每个晶体管的栅极相互物理连接；沿所述第一方向排布的相邻的两排晶体管之间的栅极相互电隔离。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管为N型，所述应变为拉应变；或者，所述晶体管为P型，所述应变为压应变。9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成沟道；所述沟道包括第一半导体层和环绕所述第一半导体层设置的第二半导体层；所述第二半导体层在所述沟道中引入应变。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：形成覆盖所述沟道的至少一个侧面的晶体管的栅极；在所述沟道的延伸方向的两端分别形成所述晶体管的源极和漏极。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层的材料包括硅锗，所述第二半导体层的材料包括硅。12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成沟道，包括：提供有源层；部分蚀刻所述有源层，形成柱状的第一半导体层；所述第一半导体层沿垂直于所述有源层的表面方向延伸；在所述第一半导体层的侧壁和顶面形成第二半导体层。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述有源层中形成截面形状为矩形的第一半导体层；通过氧化工艺，使所述第一半导体层的截面形状由矩形变化为椭圆形。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括多个晶体管，所述多个晶体管对应多个所述沟道；形成多个所述沟道，包括：提供有源层；部分刻蚀所述有源层，形成多条沿第一方向延伸的第一沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，余泳，邵光速，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：