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本申请实施例提出了一种半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法，其中，所述半导体结构包括至少一个晶体管，所述晶体管包括：沟道，所述沟道包括第一半导体层和环绕所述第一半导体层设置的第二半导体层；所述第二半导体层在所述沟道中引入应变。体层在所...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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