一种芯片去层次系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种芯片去层次系统及方法，其中，芯片去层次系统包括激光切割模块、检测模块和控制模块，激光切割模块用于产生激光束对芯片样品的待去除层进行去层次处理；检测模块用于对待去除层的剩余厚度进行监测并根据监测结果生成反馈信号；控制模块用于接收反馈信号并根据反馈信号实时调整对芯片样品进行去层次处理的工作参数，直至待去除层去除完毕。利用激光切割模块对芯片样品的待去除层进行去层次处理，避免对芯片样品的结构造成损坏；且，检测模块对待去除层的剩余厚度实时监测并生成反馈信号以及控制模块基于反馈信号调整工作参数，实现完全自动化的去除待去除层，解放人力。放人力。放人力。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片去层次系统及方法


[0001]本专利技术涉及芯片测试
，特别涉及一种芯片去层次系统及方法。

技术介绍

[0002]芯片失效分析是判断芯片失效性质、分析芯片失效原因，研究芯片失效的预防措施的技术工作，对于提高芯片品质、改善生产方案以及保障产品品质具有重要意义。芯片的失效往往发生在多层结构下层的层间金属化或有源区，所以对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性，这就需要对芯片进行去层处理，去层主要包括：去钝化层、金属化层、去层间介质等。
[0003]现有技术中，一般通过FIB(FocusedIonBeam，聚焦离子束)去除层次，聚焦离子束是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像，以完成微。纳米级表面形貌加工。
[0004]然而，采用聚焦离子束表面加工存在以下缺陷：
[0005]1、离子束轰击样品表面会导致待测结构中累积大量电荷，当待测结构中的电荷积累到一定程度时会发生放电击穿，进而导致测试结构被破坏。
[0006]2、聚焦离子束表面加工去除层次难以判断“层”的去除情况，容易发生欠加工或者过加工的可能，过加工会导致结构被破坏。
[0007]3、聚焦离子束表面加工去除层次操作复杂且效率低。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种芯片去层次系统及方法，以解决在对芯片样品进行去层次处理时存在的低效、易损伤芯片样品且操作复杂浪费人力的问题。
[0009]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种芯片去层次系统及方法，其中，所述芯片去层次系统包括激光切割模块，所述激光切割模块用于产生激光束对芯片样品的待去除层进行去层次处理；检测模块，所述检测模块用于对所述待去除层的剩余厚度进行监测并根据监测结果生成反馈信号；控制模块，所述控制模块用于接收来自所述检测模块的所述反馈信号并根据所述反馈信号实时调整对所述芯片样品进行去层次处理的工作参数，直至所述待去除层去除完毕。
[0010]优选的，在所述芯片去层次系统中，所述控制模块包括存储单元比较单元和调整单元；所述存储单元用于存储具有设定激光能量的所述激光束对所述待去除层进行一次轰击所去除的所述待去除层的厚度数据的大小；所述比较单元用于根据所述反馈信号获取当前所述待去除层的所述剩余厚度，并比较所述剩余厚度与存储于所述存储单元内的所述厚度数据；所述调整单元用于实时调整对所述芯片样品进行去层次处理的工作参数，若所述剩余厚度大于或等于所述厚度数据，则将所述激光束进行下次轰击的激光能量调整为大于或等于所述设定激光能量，和/或将所述激光束对所述待去除层进行下次轰击的次数调整为大于或等于一次；若所述剩余厚度小于所述厚度数据，则将所述激光束进行下次轰击的
激光能量调整为小于所述设定激光能量。
[0011]优选的，在所述芯片去层次系统中，所述芯片样品包括待测层和覆盖于所述待测层上的覆盖层，所述待测层具有待测区域，所述待去除层为所述覆盖层位于所述待测区域上的部分；所述芯片去层次系统还包括对准模块，所述对准模块用于获取所述芯片样品的所述待去除层的位置信息，并根据所述位置信息移动以带动所述激光切割模块至与所述待去除层对准。
[0012]优选的，在所述芯片去层次系统中，所述对准模块包括低倍镜头和高倍镜头，所述低倍镜头和所述高倍镜头用于搜寻并获取所述芯片样品的所述待去除层的位置信息，并根据所述位置信息移动以带动所述激光切割模块至与所述待去除层对准。
[0013]优选的，在所述芯片去层次系统中，所述低倍镜头和所述高倍镜头相对所述激光切割模块可转动地设置，且所述低倍镜头将获取的所述位置信息传递至所述高倍镜头，以使对所述待去除层进行去层次处理的所述激光束位于所述高倍镜头的视野范围内。
[0014]本专利技术还提供一种芯片去层次方法，包括产生激光束对芯片样品的待去除层进行去层次处理；在对所述芯片样品进行去层次处理时，对所述待去除层的剩余厚度进行监测并根据监测结果生成反馈信号；以及，接收所述反馈信号并根据所述反馈信号实时调整对所述芯片样品进行去层次处理的工作参数，直至所述待去除层去除完毕。
[0015]优选的，在所述芯片去层次方法中所述根据所述反馈信号实时调整所述芯片样品进行去层次处理的工作参数的方法包括：存储具有设定激光能量的所述激光束对所述待去除层进行一次轰击所去除的所述待去除层的厚度数据的大小；根据所述反馈信号获取当前所述待去除层的所述剩余厚度，并比较所述剩余厚度与所述厚度数据；若所述剩余厚度大于或等于所述厚度数据，则将所述激光束进行下次轰击的所述激光能量调整为大于或等于所述设定激光能量，和/或将所述激光束对所述待去除层进行下次轰击的次数调整为大于或等于一次；若所述剩余厚度小于所述厚度数据，则将所述激光束对所述待去除层进行下次轰击的激光能量调整为小于所述设定激光能量。
[0016]优选的，在所述芯片去层次方法中，所述芯片样品包括待测层和覆盖于所述待测层上的覆盖层，所述待测层具有待测区域，所述待去除层为所述覆盖层位于所述待测区域上的部分；在对芯片样品的待去除层进行去层次处理之前，所述芯片去层次方法还包括：获取所述芯片样品的所述待去除层的位置信息，并根据所述位置信息调整所述激光束的位置使所述激光束与所述待去除层对准。
[0017]优选的，在所述芯片去层次方法中，所述获取所述芯片样品的所述待去除层的位置信息的方法包括：利用低倍镜头搜寻所述待去除层，并根据搜寻结果对准所述待去除层。
[0018]优选的，在所述芯片去层次方法中，所述获取所述芯片样品的所述待去除层的的方法还包括：利用高倍镜头接收所述搜寻结果，同时转动所述高倍镜头，以使所述待去除层位于所述高倍镜头的视野范围内。
[0019]综上所述，本专利技术提供一种芯片去层次系统及方法，其中，所述芯片去层次系统包括激光切割模块，所述激光切割模块用于产生激光束对芯片样品的待去除层进行去层次处理；检测模块，所述检测模块用于对所述待去除层的剩余厚度进行监测并根据监测结果生成反馈信号；控制模块，所述控制模块用于接收来自所述检测模块的所述反馈信号并根据所述反馈信号实时调整对所述芯片样品进行去层次处理的工作参数，直至所述待去除层去
除完毕。
[0020]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0021]1、利用所述激光束对所述芯片样品的所述待去除层进行去层次处理，避免对所述芯片样品的结构造成损坏。
[0022]2、在对所述芯片样品进行去层次处理时，通过所述检测模块对所述待去除层的剩余厚度实时监测并生成反馈信号以及所述控制模块基于所述反馈信号调整工作参数，实现完全自动化的去除所述待去除层，解放人力。
附图说明
[0023]图1是本专利技术一实施例的芯片去层次方法流程图；
[0024]图2是本专利技术一实施例的芯片去层次系统示意图；
[0025]图3是本专利技术一实施例的芯片去层次前后的俯视图；
[0026]其中，各附图标记如下：
[0027本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片去层次系统，其特征在于，包括：激光切割模块，所述激光切割模块用于产生激光束对芯片样品的待去除层进行去层次处理；检测模块，所述检测模块用于对所述待去除层的剩余厚度进行监测并根据监测结果生成反馈信号；控制模块，所述控制模块用于接收来自所述检测模块的所述反馈信号并根据所述反馈信号实时调整对所述芯片样品进行去层次处理的工作参数，直至所述待去除层去除完毕。2.如权利要求1所述的芯片去层次系统，其特征在于，所述控制模块包括存储单元、比较单元和调整单元；所述存储单元用于存储具有设定激光能量的所述激光束对所述待去除层进行一次轰击所去除的所述待去除层的厚度数据的大小；所述比较单元用于根据所述反馈信号获取当前所述待去除层的所述剩余厚度，并比较所述剩余厚度与存储于所述存储单元内的所述厚度数据；所述调整单元用于实时调整对所述芯片样品进行去层次处理的工作参数，若所述剩余厚度大于或等于所述厚度数据，则将所述激光束进行下次轰击的激光能量调整为大于或等于所述设定激光能量，和/或将所述激光束对所述待去除层进行下次轰击的次数调整为大于或等于一次；若所述剩余厚度小于所述厚度数据，则将所述激光束进行下次轰击的激光能量调整为小于所述设定激光能量。3.如权利要求1所述的芯片去层次系统，其特征在于，所述芯片样品包括待测层和覆盖于所述待测层上的覆盖层，所述待测层具有待测区域，所述待去除层为所述覆盖层位于所述待测区域上的部分；所述芯片去层次系统还包括对准模块，所述对准模块用于获取所述芯片样品的所述待去除层的位置信息，并根据所述位置信息移动以带动所述激光切割模块至与所述待去除层对准。4.如权利要求3所述的芯片去层次系统，其特征在于，所述对准模块包括低倍镜头和高倍镜头，所述低倍镜头和所述高倍镜头用于搜寻并获取所述芯片样品的所述待去除层的位置信息，并根据所述位置信息移动以带动所述激光切割模块至与所述待去除层对准。5.如权利要求4所述的芯片去层次系统，其特征在于，所述低倍镜头和所述高倍镜头相对所述激光切割模块可转动地设置，且所述低倍镜头将获取的所述位置信息传递至...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱亚龙，丁德建，曹茂庆，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：