存储器以及存储器的读取方法技术

本发明专利技术提供一种存储器，包括选中存储单元区块以及第一感测放大装置。选中存储单元区块以及第一感测放大装置均耦接至第一共同位线。第一感测放大装置用以：在漏电流检测模式中，检测选中存储单元区块在第一共同位在线漏电流以产生漏电流信息；在读取数据模式中，根据漏电流信息以提供参考信号，通过比较第一共同位在线的读取信号以及参考信号来产生读出数据，其中漏电流检测模式发生在读取数据模式前。前。前。

【技术实现步骤摘要】
存储器以及存储器的读取方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器以及存储器的读取方法，尤其涉及一种可针对漏电流进行补偿的存储器以及存储器的读取方法。

技术介绍

[0002]在闪存中，存储单元的擦除动作，可能因为各种原因而发生暂停，并进而发生擦除动作不完全的现象。这样的现象可能造成存储器在进行读取动作时，未选中的存储单元发生漏电流的现象，如图1为的已知的存储器读取动作的示意图。其中，存储单元MC2是未完成擦除动作的存储单元。在存储器100针对共同位线GBL执行读取动作，存储单元MC1为选中存储单元而存储单元MC2为未选中存储单元时，存储单元MC1以及MC2会分别提供读出电流IC以及漏电流IL。如此一来，针对共同位线GBL上的总电流值进行读出数据的感测动作就有可能因为漏电流IL的干扰产生错误，导致读取不正确的读出数据。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，存储器包括选中存储单元区块以及第一感测放大装置。选中存储单元区块以及第一感测放大装置均耦接至第一共同位线。第一感测放大装置用以：在漏电流感测模式中，感测选中存储单元区块在第一共同位在线漏电流以产生漏电流信息；在读取数据模式中，根据漏电流信息以提供参考信号，通过比较第一共同位在线的读取信号以及参考信号来产生读出数据，其中漏电流感测模式发生在读取数据模式前。
[0004]根据本专利技术的实施例，存储器的读取方法包括：提供第一感测放大装置以耦接第一共同位线；在漏电流感测模式中，使第一感测放大装置感测选中存储单元区块在第一共同位在线漏电流以产生漏电流信息；在读取数据模式中，使第一感测放大装置根据所述漏电流信息以提供参考信号，通过比较第一共同位在线的读取信号以及参考信号来产生读出数据，其中漏电流感测模式发生在读取数据模式前。
[0005]根据上述，本专利技术的存储器在进行读取动作前，可先针对共享位线执行漏电流感测动作以获得一漏电流信息。并且，在数据读取动作中，根据漏电流信息来进行补偿，并经以获得精确的读出数据。
附图说明
[0006]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0007]图1为已知的存储器读取动作的示意图；
[0008]图2为本专利技术一实施例的存储器的示意图；
[0009]图3为本专利技术另一实施例的存储器的实施方式的示意图；
[0010]图4为本专利技术实施例的存储器获得漏电流信息的动作流程图；
[0011]图5为本专利技术实施例的存储器的读取动作的时序图。
[0012]图6A以及图6B为本专利技术实施例的存储器的漏电流感测模式的多个实施方式的示意图；
[0013]图7A以及图7B为本专利技术实施例的存储器的读取数据模式的多个实施方式的示意图；
[0014]图8为本专利技术实施例的存储器的读取动作的流程图。
[0015]附图标号说明
[0016]50：XX；
[0017]60：YY。
[0018]200、300、601、602、701、702：存储器；
[0019]210、310、SMC：选中存储单元区块；
[0020]220、320、721：感测放大装置；
[0021]311～31n：分部；
[0022]321：比例控制器；
[0023]322、SA～SA
’
：感测放大器；
[0024]611、612：存储单元阵列；
[0025]621、622：比例控制器；
[0026]CR：比较结果；
[0027]DOUT：读出数据；
[0028]GBL：共同位线；
[0029]IE～IE
’
：输入端；
[0030]IL：漏电流；
[0031]ILD：漏电流信息；
[0032]IR：电流参考信号；
[0033]ISET：设定信号；
[0034]ITH：临界信号；
[0035]MC1、MC2、MC1～MCn+i
‑
1：存储单元；
[0036]RS：读取信号；
[0037]S410～S450、S511～S532、S810～S830：步骤；
[0038]VR：电压参考信号；
[0039]WL[0]～WL[n+i
‑
1]：字符线。
具体实施方式
[0040]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0041]请参照图2，图2为本专利技术一实施例的存储器的示意图。存储器200包括选中存储单元区块210以及感测放大装置220。选中存储单元区块210中具有多个存储单元，并共同耦接至共同位线GBL。感测放大装置220通过共同位线GBL耦接至选中存储单元区块210。在本实施例中，当选中存储单元区块210中的一个或多个存储单元选中以执行读取动作时，感测放大装置220可在漏电流感测模式中，感测选中存储单元区块210在共同位线GBL上漏电流以
产生一漏电流信息。接着，感测放大装置220可在读取数据模式中，根据漏电流信息以提供参考信号，并通过比较共同位线GBL上的读取信号RS以及参考信号来产生一读出数据DOUT。
[0042]在本实施例中，漏电流感测模式可发生在读取数据模式之前。并且，在漏电流感测模式下，对应共同位线GBL的多个存储单元所接收的多条字符线信号都为禁能的状态。也就是说，在漏电流感测模式下，选中存储单元区块210中的存储单元皆为非存取的状态。此时，感测放大装置220可接收共同位线GBL上所产生的漏电流IL，并经以产生漏电流信息。
[0043]进一步而言，感测放大装置220可接收一设定信号ISET，并根据一设定比例来调整设定信号ISET以产生一漏电流复制信号。感测放大装置220并使漏电流复制信号与共同位线GBL上的漏电流IL来进行比较来产生比较结果。若比较结果的初始值为一第一逻辑电平时，感测放大装置220可在当比较结果维持为第一逻辑电平时，进行设定比例的调整动作，并进行下一次的漏电流复制信号与漏电流IL的比较动作。一旦比较结果由第一逻辑电平转态为第二逻辑电平时，感测放大装置220可记录目前的漏电流复制信号来产生漏电流信息。
[0044]附带一提的，在其他实施例中，感测放大装置220也可记录目前的设定比例来产生漏电流信息。
[0045]在本实施例中，设定信号ISET可以默认为一个具有相对高数值的信号，在此条件下，感测放大装置220可逐步调低设定比例来进行漏电流复制信号与漏电流IL的比较动作。在初始阶段，漏电流复制信号可大于漏电流IL，并使比较结果为第一逻辑电平。而随着设定比例的调低，漏电流复制信号可被调整为小于或等于漏电流IL，感测放大装置220可产生为第二逻辑电平的比较结果。此时的漏电流复制信号为最接近于漏电流IL的状态。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括：选中存储单元区块，耦接至第一共同位线；以及第一感测放大装置，耦接所述第一共同位线，用以：在漏电流感测模式中，感测所述选中存储单元区块在所述第一共同位在线的漏电流以产生漏电流信息；在读取数据模式中，根据所述漏电流信息以提供参考信号，通过比较所述第一共同位在线的读取信号以及所述参考信号来产生读出数据，其中所述漏电流感测模式发生在所述读取数据模式前。2.根据权利要求1所述的存储器，其中在所述漏电流感测模式中，所述选中存储单元区块对应的所有字符线均为禁能的状态。3.根据权利要求2所述的存储器，其中在所述读取数据模式中，多个所述字符线的其中一选中字符线被致能，多个所述字符线的至少一未选中字符线被禁能。4.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一感测放大装置包括：感测放大器，具有第一输入端耦接所述第一共同位线；以及比例控制器，耦接所述感测放大器的第二输入端，所述比例控制器接收设定信号，根据设定比例调整所述设定信号以产生漏电流复制信号，其中在所述漏电流感测模式中，所述感测放大器比较所述第一共同位在线的漏电流以及所述漏电流复制信号以产生比较结果，所述比例控制器并根据所述比较结果以调整所述设定比例，当所述比较结果由第一逻辑电平转态为第二逻辑电平时，所述漏电流复制信号等于所述漏电流信息。5.根据权利要求4所述的存储器，其中所述设定信号、所述漏电流复制信号以及所述参考信号均为电流信号。6.根据权利要求5所述的存储器，还包括：第二感测放大器，耦接至第二共同位线；以及电流镜，耦接在所述第一感测放大器以及所述第二感测放大器间，在所述漏电流感测模式中，镜射所述漏电流复制信号以产生传送至所述第二感测放大器的镜射漏电流复制信号。7.根据权利要求4所述的存储器，还包括：电流镜，设置在所述第一感测放大器的输入端上，在所述读取数据模式中，根据所述漏电流信息镜射所述设定信号以产生所述参考信号，其中所述漏电流信息为电流信号。8.根据权利要求4所述的存储器，其中所述参考信号为电压信号，在所述读取数据模式中，所述感测放大器调整输入端上的阻抗以根据所述漏电流信息来产生所述参考信号。9.根据权利要求4所述的存储器，其中在所述读取数据模式中，所述感测放大装置结合所述漏电流信息以及默认的临界信号以产生所述参考信号。10.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文乔，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：