芍药离体组织培养方法技术

芍药离体组织培养方法，本发明专利技术涉及芍药的组织培养技术领域。剪取带芽鳞芍药茎尖，洗净后吸去水分，置于酒精中消毒，除去芽鳞、切取茎尖，用ＮａＨＣｌＯ溶液消毒，无菌水冲洗干净后，接种至添加Ｖ↓［Ｃ］５０ｍｇ.Ｌ↑［－１］、ｐＨ５．６的１／２ＭＳ培养基中，培养室条件为：温度２５℃±１℃，光照时间１２～１４ｈ／ｄ，光照强度２０００ｌｘ±１００ｌｘ。本发明专利技术为芍药优良品种的快速无性繁殖提供一种高效可行的技术途径。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芍药的组织培养

技术介绍
芍药(Paeonia lactiflora Pall.)为芍药科(Paeoniaceae)芍药属(Paeonia)多年生宿根草本植物，也是我国著名的观赏、药用植物，栽培历史悠久，花大色艳，香气浓郁，被奉为“花相”。经过几千年的人工栽培选育，芍药优良品种的繁殖主要以无性分株法为主，3～5年分株一次，繁殖周期长、繁殖系数低，给芍药的产业化发展带来困难。
技术实现思路
本专利技术目的旨在建立芍药组织培养再生系统，为芍药优良品种的快速无性繁殖提供一种高效可行的技术途径。本专利技术剪取带芽鳞芍药茎尖，洗净后吸去水分，置于酒精中消毒，除去芽鳞、切取茎尖，用NaHClO溶液消毒，无菌水冲洗干净后，接种至添加VC50mg·L-1、pH5.6的1/2MS培养基中。培养室条件为温度25℃±1，光照时间12～14h/d，光照强度2000lx±100lx。本专利技术为芍药优良品种的快速无性繁殖提供一种高效可行的技术途径。上述消毒洒精浓度为70％酒精，消毒时间为10～15s。上述NaHClO溶液的浓度为0.1％，消毒时间为10～15min。冲冼水用无菌水，冲洗3～5次后接种至培养基中。本专利技术的芽增殖培养基以1/2MS+0.5BAmg·L-1+1.0GAmg·L-1为优选。其中，1/2MS培养基中无机盐大量元素重量为MS培养基正常含量的50％。茎尖培养的取材时间在10～11月，或于9月下旬掘起茎芽置4℃条件下冷藏5～6周后接种培养。采用芍药茎尖进行离体组织培养，35～40天后即有幼芽增殖，可实现优良品种的快速繁殖，给芍药栽培的产业化发展带来决胜性依据。具体实例 1材料与方法茎尖培养材料选自重瓣型品种“大富贵(P.lactiflora‘Da Fu Gui’)”休眠芽。于10-11月取地栽芍药休眠芽为供试材料，或于9月下旬掘起茎芽置4℃冷藏预处理5周后取芽离体培养。剪取带芽鳞茎尖，用毛刷在洗洁精溶液中清洗干净，置于流水冲洗30min后，吸水纸吸去水分，转入70％酒精中消毒15s；无菌水冲洗后除去芽鳞、切取茎尖，用0.1％NaHClO溶液消毒15min，无菌水冲洗3～5次，接种至1/2MS+0.5BAmg·L-1+1.0GAmg·L-1培养基中；其中，1/2MS培养基中无机盐大量元素重量为MS培养基正常含量的50％、蔗糖3％、琼脂0.8％、VC50mg·L-1，pH5.6。培养室条件为温度25℃±1，光照时间14h/d，光照强度2000lx。2结果与分析2.1不同取样时间对茎尖培养的影响表1 取材时期对茎尖培养的影响 *培养基1/2MS+0.5BAmg·L-1+1.0GAmg·L-1由表1可以看出，露地栽培品种的适宜取材时间在10～11月或于9月下旬掘起茎芽置4℃冷藏处理5～6周，离体培养的成活率和分化率最高。此时接种，休眠芽萌动和生长迅速；或于9月下旬掘起茎芽置4℃冷藏处理5～6周，分化的试管苗健壮。取材时间在2月或4℃冷藏8～9周处理，大部分材料的芽鳞已经裂开、芽已伸长，导致试材消毒困难、污染率高。其它时间因芽的休眠尚未彻底解除，内部存在抑制物质，生长缓慢，成活率和分化率均较低。2.2不同培养基对芽增殖的影响表2 不同培养基对茎尖培养的影响 *取材时间为1月，每组接种数30，统计平均值。试验结果(表2)表明，BA与GA组合的培养基芽分化效果优于BA与KT组合。1.5BAmg·L-1+0.5KTmg·L-1培养基中的丛生芽、叶片数量较少，苗生长较高。在添加BA、GA的培养基中，丛生芽、叶片数量较多，苗壮。继代培养中，切取单芽接种，35～40d后基部形成新芽；但随着代数增加，丛生芽、叶数量逐渐降低，苗生长转弱，部分芽尖、叶枯死，出现白化苗；到第四代已基本转为玻璃苗、白化苗，且褐变严重。芽增殖培养以1/2MS+0.5BAmg·L-1+1.0GAmg·L-1为最佳培养基。3总结芍药茎尖离体培养，不同取材时间的培养效果不一样，以10-11月份或于9月下旬掘起茎芽置4℃冷藏处理5～6周为最佳。取材过早休眠尚未解除，生长较慢，苗弱；过迟则芽已生长，灭菌困难。丛芽增殖培养周期35～40d，最佳增殖培养基1/2MS+0.5BAmg·L-1+1.0GAmg·L-1。上述MS培养基的全名为Murashige and Skoon(1962)培养基BA的中文化学名为6-苄基氨基嘌呤GA的中文化学名为赤霉素KT的中文化学名为6-糠基氨基嘌呤。本文档来自技高网...

【技术保护点】
芍药离体组织培养方法，其特征在于剪取带芽鳞芍药茎尖，洗净后吸去水分，置于酒精中消毒，除去芽鳞、切取茎尖，用ＮａＨＣｌＯ溶液消毒，无菌水冲洗干净后，接种至添加Ｖ↓［Ｃ］５０ｍｇ.Ｌ↑［－１］、ｐＨ５．６的１／２ＭＳ培养基中，培养室条件为：温度２５℃±１℃，光照时间１２～１４ｈ／ｄ，光照强度２０００ｌｘ±１００ｌｘ。

【技术特征摘要】
1.芍药离体组织培养方法，其特征在于剪取带芽鳞芍药茎尖，洗净后吸去水分，置于酒精中消毒，除去芽鳞、切取茎尖，用NaHClO溶液消毒，无菌水冲洗干净后，接种至添加Vc50mg·L-1、pH5.6的1/2MS培养基中，培养室条件为温度25℃±1℃，光照时间12～14h/d，光照强度2000lx±100lx。2.根据权利要求1所述芍药离体组织培养方法，其特征在于上述消毒用酒精浓度为70％酒精，消毒时间为10～15s。3.根据权利要求1所述芍药离体组织培...

【专利技术属性】
技术研发人员：何小弟，金飚，李良俊，徐纬纬，贾妮，王淼，孙维娟，陈建斌，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]