研磨装置及研磨方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种在对研磨对象物的周缘进行研磨时抑制对图案形成面造成危害的研磨装置及研磨方法。实施方式的研磨装置是对研磨对象物的周缘进行研磨的研磨装置，具备：载置台，其具有用于研磨对象物的载置面；研磨头，其将研磨面按压在周缘进行研磨；第一流入口，其向研磨面供给液体；以及保护件，其具备第一面，第一面沿着与载置面交叉的第一方向延伸、并且在与第一方向交叉的第二方向上在载置台与研磨头之间具有开口。台与研磨头之间具有开口。台与研磨头之间具有开口。

【技术实现步骤摘要】
研磨装置及研磨方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请享有以日本专利申请2022
‑
043075号(申请日：2022年3月17日)为基础申请的优先权。本申请通过引用该基础申请而包含该基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种研磨装置及研磨方法。

技术介绍

[0004]近年来，已知在制造半导体装置时，对晶片等研磨对象物的周缘进行研磨来去除突起。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的问题为，提供一种在对研磨对象物的周缘进行研磨时抑制对图案形成面造成危害的研磨装置及研磨方法。
[0006]实施方式的研磨装置是对研磨对象物的周缘进行研磨的研磨装置，具备：载置台，其具有用于研磨对象物的载置面；研磨头，其将研磨面按压在周缘进行研磨；第一流入口，其向研磨面供给液体；以及保护件，其具备第一面，第一面沿着与载置面交叉的第一方向延伸、并且在与第一方向交叉的第二方向上在载置台与研磨头之间具有开口。
附图说明
[0007]图1是表示研磨装置的结构例的示意图。
[0008]图2是表示研磨装置的结构例的示意图。
[0009]图3是表示研磨装置的结构例的示意图。
[0010]图4是表示研磨装置的结构例的示意图。
[0011]图5是表示研磨装置的结构例的示意图。
[0012]图6是表示研磨装置的其他结构例的示意图。
[0013]图7是表示研磨装置的其他结构例的示意图。
[0014]图8是用于说明使用了研磨装置100的研磨方法的示例的流程图。
[0015]图9是表示研磨装置的变形例的示意图。
[0016]图10是表示研磨装置的变形例的示意图。
具体实施方式
[0017]以下，参照附图，说明实施方式。在附图中记载的各构成要素的厚度与平面尺寸的关系、各构成要素的厚度的比率等，有时与实物不同。此外，在实施方式中，对实质上相同的构成要素标示相同的符号并适当省略说明。
[0018](研磨装置的结构例)
[0019]图1至图5是表示研磨装置的结构例的示意图。图1及图2是包含X轴、与X轴正交的Y轴、以及分别与X轴及Y轴正交的Z轴的立体图。图3是从X轴方向观察的侧视图。图4是从Y轴方向观察的主视图。图5是从Z轴方向观察的俯视图。
[0020]研磨装置100具有对研磨对象物10的周缘进行研磨的功能，具备载置台1、研磨头2、流入口3、保护件4、以及流入口5。图2至图5为了便于说明以双点划线表示保护件4。
[0021]载置台1例如具有以载置台1的Z轴方向的中心轴为旋转轴使研磨对象物10旋转的功能。载置台1例如也可以通过包含马达的驱动装置被驱动。载置台1具有载置研磨对象物10的表面(载置面)1a。X轴和Y轴例如在与表面1a平行的方向上延伸。Z轴例如与表面1a交叉。
[0022]研磨对象物10的示例可以举出硅晶片等半导体基板。半导体基板也可以具有设置在基板上的绝缘膜和导电膜。研磨对象物10具有图案形成面10a和周缘10b。
[0023]图案形成面10a具有包含凹部或凸部的图案。图案的示例可以举出例如线与空间图案、孔图案等。周缘10b也可以具有平面或曲面等侧面、斜面。
[0024]研磨头2在对研磨对象物10的周缘10b进行研磨时，例如以在Y轴方向上与周缘10b重叠的方式配置。研磨头2例如在Y轴方向上与表面1a重叠。研磨头2具有将研磨面(与周缘10b接触的部分)11a按压在周缘10b进行研磨的功能。研磨头2例如可以沿Y轴方向移动。研磨头2例如也可以通过包含马达的驱动装置被驱动。
[0025]研磨面11a例如设置在研磨带11的表面，具有凹凸。研磨带11通过多个辊12输送。辊12例如也可以通过包含马达的驱动装置被驱动。不限于此，研磨面11a也可以不使用研磨带11而被设置在磨石的表面。磨石例如也可以安装在研磨头2的前端。
[0026]研磨带11的示例包含无纺布研磨带、磨粒研磨带等。磨粒带例如可以具有金刚石、碳化硅、立方氮化硼、碳化硼或氧化铝等磨粒。
[0027]流入口(Inlet)3例如也可以设置在研磨头2的上方。流入口3是具有向研磨面11a供给(流入)液体13的功能的管。液体13的示例列举水。液体13的流量例如可以通过与流入口3连接的质量流量控制器来控制。研磨装置100也可以具有用于排出液体13的流出口(Outlet)。
[0028]保护件4例如是为了保护研磨对象物10的图案形成面10a不受液体13的影响而设置。保护件4具有上表面41、下表面42、正面43、左侧面44、以及右侧面45。
[0029]上表面41和下表面42沿X轴方向和Y轴方向延伸，并且设置为在Z轴方向夹着研磨带11、辊12和研磨头2。保护件4也可以以流入口3贯通上表面41的方式形成。
[0030]正面43沿着X轴方向和Z轴方向延伸，并且在Y轴方向上在载置台1的表面1a与研磨头2之间具有开口4a。正面43例如也可以在Y轴方向上与辊12、流入口3、流入口5重叠。开口4a的Z轴方向的宽度例如与研磨对象物10的厚度相比而较大，与研磨头2的Z轴方向的宽度相比而较小。开口4a的X轴方向的宽度没有特别限定，只要研磨对象物10的周缘10b的一部分能够通过即可。开口4a也可以从正面43延伸到左侧面44及右侧面45。
[0031]左侧面44和右侧面45沿Y轴方向和Z轴方向延伸，并且设置为在X轴方向上夹着研磨带11、辊12和研磨头2。研磨面11a的周缘10b的一部分通过开口4a从保护件4露出。保护件4的材料只要是液体13不通过就没有特别限定，例如包含聚氯乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯等树脂材料。
[0032]在使用研磨带11对周缘10b进行研磨的情况下，正面43和研磨带11在它们之间形成液体13能够通过的流道40。保护件4被设置为部分地划分包含研磨头2和流道40的区域R1、以及包含载置台1的区域R2。由此，例如能够抑制液体13在研磨对象物10的图案形成面10a流动。图3的流道40内的箭头表示液体13流动的方向。流道40也可以形成为在上表面41与研磨带11之间、以及下表面42与研磨带11之间延伸。由此，能够增加研磨带11与液体13的接触面积。
[0033]保护件4的形状不限于图1至图5所示的形状。图6和图7是表示研磨装置的其他结构例的示意图，是包含X轴、Y轴和Z轴的立体图。图6所示的保护件4不具有上表面41和下表面42。图7所示的保护件4不具有上表面41和下表面42，并且不具有左侧面44的一部分和右侧面45的一部分，左侧面44和右侧面45各自的表面积与正面43的表面积相比而较小。左侧面44和右侧面45也可以在X轴方向上不与辊12的一部分重叠。如图6及图7所示，通过省略保护件4的至少一个面的至少一部分而减小保护件4的表面积，能够降低保护件4的成本。关于其他的说明，可以适当地引用图1至图5的说明。
[0034]流入口5例如设置在载置台1的上方。为了便于说明，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨装置，是对研磨对象物的周缘进行研磨的研磨装置，具备：载置台，其具有用于所述研磨对象物的载置面；研磨头，其将研磨面按压在所述周缘进行研磨；第一流入口，其向所述研磨面供给液体；以及保护件，其具备第一面，所述第一面沿着与所述载置面交叉的第一方向延伸、并且在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述载置台与所述研磨头之间具有开口。2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，还具备第二流入口，所述第二流入口设置在所述载置台的上方，向所述研磨对象物的图案形成面供给喷射的气体。3.根据权利要求1或2所述的研磨装置，其特征在于，所述第一流入口设置在所述研磨头的上方，所述研磨面设置在研磨带，所述研磨带及所述第一面在它们之间形成所述液体能够通过的流道。...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊地武志，中山卓行，足立将芳，杉山大介，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：