一种用于硅片加工的胶带研磨方法技术

本申请公开了一种用于硅片加工的胶带研磨方法，包括于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；设定边抛机的研磨参数及抛光参数；其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间，本申请实施例中，通过采用粒度参数更细的研磨胶带型号减小硅片研磨部分的机械损伤层，同时对硅片的BCF、ACF和TOP部分设置不同的研磨时间，由于硅片BCF部分的研磨时间参数大于ACF、TOP部分的研磨时间，使得硅片ACF部分产生的机械损伤层相对于BCF部分更小，在缩短边缘抛光时间的基础上保证硅片ACF部分良好的加工表面，避免直接缩短边缘抛光时间导致硅片外延产生滑移线和层错，同时极大的提高了硅片的研磨及抛光效率，从而提升了单台边抛机的产能。单台边抛机的产能。单台边抛机的产能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片加工的胶带研磨方法


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，尤其涉及一种用于硅片加工的胶带研磨方法。

技术介绍

[0002]硅片边缘抛光的加工步骤为端面腐蚀或胶带研磨加边缘抛光，边缘抛光的时间根据硅片掺杂类型的不同随之改变，传统的硅片边抛工艺为端面处理，即采用研磨胶带对每个面进行研磨处理，正面、背面和侧面加工时间相同，然后再进行边缘抛光处理。
[0003]就目前而言，以P+品硅片为例，边抛机的边抛工艺时间为39秒，出片速率大约为73秒/枚，日产能约为900枚，若需要提高产能，则需要增加边抛机的数量，而在既有的设备数量下提升产能，通常的做法是缩短边缘抛光时间，然而缩短边缘抛光时间可能会影响到边抛质量，甚至会有外延滑移线和层错的风险，难以保证硅片表面CVD膜的去除效果，导致硅片的整体性能降低。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种研磨效率更高且损伤小的用于硅片加工的胶带研磨方法。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现。
>[0006]本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，包括：于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；设定边抛机的研磨参数及抛光参数；基于所述研磨参数执行硅片边缘研磨，并于边缘研磨完毕后基于抛光参数执行边缘抛光；其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间。2.根据权利要求1所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，所述研磨参数包括BCF、ACF、TOP部分的研磨时间以及研削台的行进速率以及行进幅度。3.根据权利要求1所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，所述抛光参数包括抛光时间、抛光路径以及研削台的行进速率以及行进幅度。4.根据权利要求1所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，执行边缘抛光之后还包括：获取硅片表面CVD膜残留检测结果。5.根据权利要求4所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，获取硅片表面CVD膜残留检测结果之后还包括：基于硅片表面CVD膜残留检测结果执行合格下...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴芬琦，庄云娟，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：