一种用于硅片加工的胶带研磨方法技术

本申请公开了一种用于硅片加工的胶带研磨方法，包括于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；设定边抛机的研磨参数及抛光参数；其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间，本申请实施例中，通过采用粒度参数更细的研磨胶带型号减小硅片研磨部分的机械损伤层，同时对硅片的BCF、ACF和TOP部分设置不同的研磨时间，由于硅片BCF部分的研磨时间参数大于ACF、TOP部分的研磨时间，使得硅片ACF部分产生的机械损伤层相对于BCF部分更小，在缩短边缘抛光时间的基础上保证硅片ACF部分良好的加工表面，避免直接缩短边缘抛光时间导致硅片外延产生滑移线和层错，同时极大的提高了硅片的研磨及抛光效率，从而提升了单台边抛机的产能。单台边抛机的产能。单台边抛机的产能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片加工的胶带研磨方法


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，尤其涉及一种用于硅片加工的胶带研磨方法。

技术介绍

[0002]硅片边缘抛光的加工步骤为端面腐蚀或胶带研磨加边缘抛光，边缘抛光的时间根据硅片掺杂类型的不同随之改变，传统的硅片边抛工艺为端面处理，即采用研磨胶带对每个面进行研磨处理，正面、背面和侧面加工时间相同，然后再进行边缘抛光处理。
[0003]就目前而言，以P+品硅片为例，边抛机的边抛工艺时间为39秒，出片速率大约为73秒/枚，日产能约为900枚，若需要提高产能，则需要增加边抛机的数量，而在既有的设备数量下提升产能，通常的做法是缩短边缘抛光时间，然而缩短边缘抛光时间可能会影响到边抛质量，甚至会有外延滑移线和层错的风险，难以保证硅片表面CVD膜的去除效果，导致硅片的整体性能降低。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种研磨效率更高且损伤小的用于硅片加工的胶带研磨方法。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现。
[0006]本申请提供了一种用于硅片加工的胶带研磨方法，包括：
[0007]于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；
[0008]设定边抛机的研磨参数及抛光参数；
[0009]基于所述研磨参数执行硅片边缘研磨，并于边缘研磨完毕后基于抛光参数执行边缘抛光；
[0010]其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间。
[0011]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，所述研磨参数包括BCF、ACF、TOP部分的研磨时间以及研削台的行进速率以及行进幅度。
[0012]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，所述抛光参数包括抛光时间、抛光路径以及研削台的行进速率以及行进幅度。
[0013]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，执行边缘抛光之后还包括：
[0014]获取硅片表面CVD膜残留检测结果。
[0015]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，获取硅片表面CVD膜残留检测结果之后还包括：
[0016]基于硅片表面CVD膜残留检测结果执行合格下料或返工。
[0017]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，获取硅片表面CVD膜残留检测结果之后还包括：
[0018]基于BCF、ACF、TOP部分的检测达标情况，调整边抛机对应部分的研磨时间参数和/
或抛光时间参数。
[0019]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，获取硅片表面CVD膜残留检测结果之后还包括：
[0020]于硅片表面CVD膜残留达标下获取减小的抛光时间修正参数；
[0021]基于所述抛光时间修正参数调整边抛机的抛光参数。
[0022]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，所述研磨胶带沿BCF部分、TOP部分、ACF部分依次且单向抛光。
[0023]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，所述研磨胶带沿BCF部分、TOP部分、ACF部分依次抛光，且于ACF部分执行折返多次抛光。
[0024]进一步限定，上述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其中，所述研磨胶带采用3000#或4000#型号。
[0025]本专利技术至少具有以下有益效果：
[0026]1、通过采用粒度参数更细的研磨胶带型号减小硅片研磨部分的机械损伤层，同时对硅片的BCF、ACF和TOP部分设置不同的研磨时间，由于硅片BCF部分的研磨时间参数大于ACF、TOP部分的研磨时间，使得硅片ACF部分产生的机械损伤层相对于BCF部分更小，在缩短边缘抛光时间的基础上保证硅片ACF部分良好的加工表面，避免直接缩短边缘抛光时间导致硅片外延产生滑移线和层错，同时极大的提高了硅片的研磨及抛光效率，从而提升了单台边抛机的产能；
[0027]2、在硅片表面CVD膜残留达标下，边抛机的抛光时间参数有一定的缩小余量，通过抛光时间修正参数的迭代，最终能够获取满足达标要求下的最小抛光时间参数，从而最大程度的缩短加工时间。
附图说明
[0028]图1为本申请实施例用于硅片加工的胶带研磨方法的流程图；
[0029]图2为本申请实施例用于硅片加工的胶带研磨方法中硅片的研磨面示意图；
[0030]图3为本申请实施例用于硅片加工的胶带研磨方法中硅片边缘抛光路径示意图；
[0031]图4为本申请实施例用于硅片加工的胶带研磨方法中硅片边缘抛光路径示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域
[0033]普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0035]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的用于硅片加工的胶带研磨方法进行详细地说明。
[0036]如图1所示，本申请实施例提供了一种用于硅片加工的胶带研磨方法，包括：
[0037]S1、选择并于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；
[0038]S2、设定边抛机的研磨参数及抛光参数，其中硅片BCF部分的研磨时间参数大于ACF、TOP部分的研磨时间参数；
[0039]S3、执行硅片边缘研磨，并于边缘研磨完毕后执行抛光。
[0040]可以理解的是，如图2所示，硅片的边缘研磨及抛光区域包括BCF(背面边缘)、ACF(正面边缘)、TOP(侧边缘)，不同掺杂类型的硅片的加工工艺不同，以8英寸重掺类型的硅片为例，通常包括以下主要步骤：切片
→
倒角
→
磨片
→
化学拋光
→
APCVD(化学气相沉积技术)
→
端面处理(氢氟酸处理或胶带研磨)
→
边缘抛光
→
单面抛光
→
去蜡清洗
→
最终清洗。
[0041]其中，在步骤S1中，由于胶带研磨的加工目的是去除硅片边缘的CVD膜，若采用粒度参数小于2000#的胶带进行研磨处理，损伤层较深，需要的边缘抛光时间较长，若减少边缘抛光时间会导致损伤层去除不干净，导致后续加工过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，包括：于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；设定边抛机的研磨参数及抛光参数；基于所述研磨参数执行硅片边缘研磨，并于边缘研磨完毕后基于抛光参数执行边缘抛光；其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间。2.根据权利要求1所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，所述研磨参数包括BCF、ACF、TOP部分的研磨时间以及研削台的行进速率以及行进幅度。3.根据权利要求1所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，所述抛光参数包括抛光时间、抛光路径以及研削台的行进速率以及行进幅度。4.根据权利要求1所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，执行边缘抛光之后还包括：获取硅片表面CVD膜残留检测结果。5.根据权利要求4所述的用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，获取硅片表面CVD膜残留检测结果之后还包括：基于硅片表面CVD膜残留检测结果执行合格下...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴芬琦，庄云娟，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：