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本申请公开了一种用于硅片加工的胶带研磨方法,包括于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带;设定边抛机的研磨参数及抛光参数;其中,硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间,本申请实施例中,通过采用粒度参数更细的研磨胶带型...该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。
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