一种掩膜板及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开一种掩膜板及其制备方法，所述掩膜板包括设置有蒸镀开口的支撑层；设置于所述支撑层一侧的掩膜层，所述掩膜层包括金属掩膜层和第一辅助掩膜层，所述金属掩膜层设置有第二开孔；所述第一辅助掩膜层设置有第三开孔；其中，所述第二开孔与所述第三开孔一一对应，所述第二开孔和第三开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口。本发明专利技术通过设置支撑层作为掩膜板框架，起到支撑掩膜片的作用，并在所述支撑层上开设蒸镀开口，在蒸镀开口对应的金属掩膜层和第一辅助掩膜层上制备高精度开孔，通过第一辅助掩膜层辅助形成高精度开孔，提高了成孔精度，通过设置金属掩膜层，增强了掩膜板的机械强度，提高了制备良率。提高了制备良率。提高了制备良率。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示基板制备
更具体地，涉及一种掩膜板及其制备方法。

技术介绍

[0002]在制作显示基板工艺中，通常使用高真空蒸镀的方法制作器件的有机层。蒸镀工艺中需要用到FMM(Fine Metal Mask，高精度金属掩膜板)来制备子像素发光层。
[0003]随着科技的发展，市场对高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)显示设备的需求越来越高，传统FMM的工艺已达到了工艺极限，已无法满足更高分辨率要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种掩膜板及其制备方法，以解决相关技术存在的问题中的至少一个。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]本专利技术第一方面提供了一种掩膜板，包括：
[0007]设置有蒸镀开口的支撑层；
[0008]设置于所述支撑层一侧的掩膜层，所述掩膜层包括金属掩膜层和第一辅助掩膜层，
[0009]所述金属掩膜层设置有第二开孔；所述第一辅助掩膜层设置有第三开孔；
[0010]其中，所述第二开孔与所述第三开孔一一对应，所述第二开孔和第三开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口。
[0011]在一个具体示例中，所述第一辅助掩膜层为设置于所述金属掩膜层远离所述支撑层一侧的硅掩膜层，所述硅掩膜层的厚度小于所述支撑层的厚度。
[0012]在一个具体示例中，所述掩膜板还包括设置于所述支撑层与金属掩膜层之间的第一种子层以及设置于所述金属掩膜层与第一辅助掩膜层之间的第二种子层。
[0013]在一个具体示例中，所述掩膜板还包括设置于所述金属掩膜板靠近所述支撑层一侧的第二辅助掩膜层；
[0014]所述第二辅助掩膜层设置有第四开孔；
[0015]其中，所述第四开孔与所述第三开孔一一对应；所述第二开孔、第三开孔和第四开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口区。
[0016]在一个具体示例中，所述第一辅助掩膜层为设置于金属掩膜层靠近所述支撑层一侧的绝缘层，所述绝缘层的厚度小于所述支撑层的厚度。
[0017]在一个具体示例中，所述金属掩膜层采用因瓦合金膜片；
[0018]所述掩膜板还包括由所述绝缘层贯穿至支撑层的环形开口，所述环形开口沿所述支撑层的边缘设置，所述环形开口在所述支撑层上的正投影围绕所述蒸镀开口在所述支撑层上的正投影；
[0019]所述环形开口内填充有金属材料。
[0020]在一个具体示例中，所述环形开口的深度大于等于100微米并且小于等于300微米，所述环形开口的径向宽度大于等于1毫米并且小于等于3毫米。
[0021]本专利技术第二方面提供了一种制备方法，包括：
[0022]提供一支撑层；
[0023]在所述支撑层上形成掩膜层；
[0024]在所述支撑层上形成蒸镀开口；
[0025]其中，所述掩膜层包括金属掩膜层和第一辅助掩膜层；
[0026]在所述第一辅助掩膜层上开设第三开孔；
[0027]将具备第三开口的第一辅助掩膜层作为硬掩膜，在所述金属掩膜层上开设第二开孔，所述第二开孔与所述第三开孔一一对应；所述第二开孔和第三开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口区。
[0028]在一个具体示例中，所述在所述支撑层上形成掩膜层包括：
[0029]在支撑层上形成第一种子层，在所述第一种子层上形成第一金属子掩膜层，在第一辅助掩膜层上形成第二种子层，在所述第二种子层上形成第二金属子掩膜层，将所述第一金属子掩膜层和第二金属子掩膜层键合在一起，得到所述金属掩膜层。
[0030]在一个具体示例中，所述在所述支撑层上形成掩膜层包括：
[0031]在所述支撑层上依次形成氧化层和第二辅助掩膜层；
[0032]在所述第二辅助掩膜层上形成第一种子层，在所述第一种子层上形成第一金属子掩膜层，在所述第一辅助掩膜层上形成第二种子层，在所述第二种子层上形成第二金属子掩膜层，将所述第一金属子掩膜层和第二金属子掩膜层键合在一起，得到所述金属掩膜层；
[0033]所述制备方法还包括：
[0034]在所述第二辅助掩膜层上形成第四开孔；
[0035]所述第四开孔与所述第三开孔一一对应；
[0036]所述第二开孔、第三开孔和第四开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口区。
[0037]在一个具体示例中，所述在所述支撑层上形成掩膜层包括：
[0038]在所述支撑层上形成第一辅助掩膜层，所述辅助掩膜层为绝缘层；
[0039]形成由所述第一辅助掩膜层贯穿至支撑层的环形开口，所述环形开口沿所述支撑层的边缘设置，所述环形开口在所述支撑层上的正投影围绕所述蒸镀开口在所述支撑层上的正投影；
[0040]在所述环形开口形成覆盖内壁的第三种子层，并形成填充所述环形开口的金属材料。
[0041]本专利技术的有益效果如下：
[0042]本专利技术通过设置支撑层作为掩膜板框架，起到支撑掩膜片的作用，并在所述支撑层上开设蒸镀开口，在蒸镀开口对应的金属掩膜层和第一辅助掩膜层上制备高精度开孔，通过第一辅助掩膜层辅助形成高精度开孔，提高了成孔精度，通过设置金属掩膜层，增强了掩膜板的机械强度，提高了制备良率，降低了工艺成本。
附图说明
[0043]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0044]图1示出现有技术提出的一种掩膜板的结构示意图。
[0045]图2示出图1中掩膜板在A处的局部放大图。
[0046]图3示出本申请的一个实施例提出的一种掩膜板的结构示意图。
[0047]图4示出本申请的一个实施例提出的一种掩膜板的结构示意图。
[0048]图5示出本申请的一个实施例提出的一种掩膜板的结构示意图。
[0049]图6示出本申请的一个实施例提出的一种掩膜板的制备方法的流程图。
[0050]图7
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8示出图3中掩膜板的制备流程示意图。
[0051]图9
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10示出图4中掩膜板的制备流程示意图。
[0052]图11
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12示出图5中掩膜板的制备流程示意图。
具体实施方式
[0053]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0054]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0055]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：设置有蒸镀开口的支撑层；设置于所述支撑层一侧的掩膜层，所述掩膜层包括金属掩膜层和第一辅助掩膜层，所述金属掩膜层设置有第二开孔；所述第一辅助掩膜层设置有第三开孔；其中，所述第二开孔与所述第三开孔一一对应，所述第二开孔和第三开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一辅助掩膜层为设置于所述金属掩膜层远离所述支撑层一侧的硅掩膜层，所述硅掩膜层的厚度小于所述支撑层的厚度。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括设置于所述支撑层与金属掩膜层之间的第一种子层以及设置于所述金属掩膜层与第一辅助掩膜层之间的第二种子层。4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括设置于所述金属掩膜板靠近所述支撑层一侧的第二辅助掩膜层；所述第二辅助掩膜层设置有第四开孔；其中，所述第四开孔与所述第三开孔一一对应；所述第二开孔、第三开孔和第四开孔形成的通孔贯通至所述蒸镀开口区。5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一辅助掩膜层为设置于金属掩膜层靠近所述支撑层一侧的绝缘层，所述绝缘层的厚度小于所述支撑层的厚度。6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述金属掩膜层采用因瓦合金膜片；所述掩膜板还包括由所述绝缘层贯穿至支撑层的环形开口，所述环形开口沿所述支撑层的边缘设置，所述环形开口在所述支撑层上的正投影围绕所述蒸镀开口在所述支撑层上的正投影；所述环形开口内填充有金属材料。7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述环形开口的深度大于等于100微米并且小于等于300微米，所述环形开口的径向宽度大于等于1毫米并且小于等于3毫米。8.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：提供一支撑层；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰杰，王伟杰，薛金祥，孙中元，李腾，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：