双工通信器件、集成芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种双工通信器件，包括：衬底；成核层，设置在衬底上；超晶格过滤位错层，设置在成核层上；第一氮化物层，设置在超晶格过滤位错层上，第一氮化物层的顶面的一侧包含台面，台面的厚度小于第一氮化物层的厚度；主探测有源区，设置在第一氮化物层顶面的另一侧上；主发光有源区，设置在主探测有源区上；第二氮化物层，设置在主发光有源区上；第二电极，设置在台面上；第一电极，设置在第二氮化物层上；钝化保护层，设置在台面上并延伸到第二氮化物层的侧壁和上表面上；加厚层，设置在第二电极和第一电极上。本发明专利技术还提供了一种集成芯片及其制备方法。其制备方法。其制备方法。

【技术实现步骤摘要】
双工通信器件、集成芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及信息材料与器件领域，特别是涉及一种双工通信器件、集成芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]III族氮化物材料的应用研究是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。III族氮化物材料具有直接可调节带隙宽、热导率高、化学稳定性好、抗辐照能力强，且具备光发射、光传导及光探测三重功能，在高速、高功率的光电元器件方面有着极为广阔的应用前景，为通信芯片的研制提供了物理基础。
[0003]目前，随着通信需求的增大，光通信技术逐渐成为一个重点研究方向，而基于III族氮化物材料制备的光通信芯片也受到广泛的关注。其中，利用LED本身既可以发射光也可以探测光的功能制备的LED基双工通信芯片成为当下研究的热点之一，但由于量子阱本身的吸收谱较发光谱存在蓝移现象，即存在斯托克斯位移，导致该类双工通信芯片的发光谱与吸收谱分离，只能依赖带尾效应实现探测，从而大幅降低了实际本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双工通信器件，其特征在于，包括：衬底(1)；成核层(2)，设置在所述衬底(1)上；超晶格过滤位错层(3)，设置在所述成核层(2)上；第一氮化物层(4)，设置在所述超晶格过滤位错层(3)上，所述第一氮化物层(4)的顶面的一侧包含台面(12)，所述台面(12)的厚度小于所述第一氮化物层(4)的厚度；主探测有源区(5)，设置在所述第一氮化物层(4)顶面的另一侧上；主发光有源区(6)，设置在所述主探测有源区(5)上；第二氮化物层(7)，设置在所述主发光有源区(6)上；第二电极(8)，设置在所述台面(12)上；第一电极(11)，设置在所述第二氮化物层(7)上；钝化保护层(10)，设置在所述台面(12)上并延伸到所述第二氮化物层(7)的侧壁和上表面上；加厚层(9)，设置在所述第二电极(8)和所述第一电极(11)上。2.根据权利要求1所述的双工通信器件，其特征在于，所述主发光有源区(6)的发光波长和主探测有源区(5)的吸收波长相匹配。3.根据权利要求1所述的双工通信器件，其特征在于，所述第一氮化物层(4)为n型极性III族氮化物层；所述第二氮化物层(7)为p型极性III族氮化物层。4.根据权利要求1所述的双工通信器件，其特征在于，所述第一电极(11)为p型金属电极；所述第二电极(8)为n型金属电极；所述加厚层(9)为金属加厚层。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏同波，何瑞，姬小利，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：