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本发明提供了一种双工通信器件，包括：衬底；成核层，设置在衬底上；超晶格过滤位错层，设置在成核层上；第一氮化物层，设置在超晶格过滤位错层上，第一氮化物层的顶面的一侧包含台面，台面的厚度小于第一氮化物层的厚度；主探测有源区，设置在第一氮化物层顶...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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