存储器及其感测放大装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器及其感测放大装置被提出。感测放大装置包括差动放大器、第一预充电路以及控制电压产生器。差动放大器具有第一输入端以及第二输入端以分别接收数据信号以及参考信号。第一预充电路耦接至第一输入端。第一预充电路基于电源电压，根据预充电启动信号以及控制电压以对第一输入端执行预充电动作。控制电压产生器根据电源电压以产生控制电压，其中控制电压与电源电压正相关。其中控制电压与电源电压正相关。其中控制电压与电源电压正相关。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其感测放大装置


[0001]本专利技术涉及一种存储器及其感测放大装置。

技术介绍

[0002]在存储器的
中，在感测放大装置的输入端上，常设置预充电路以在进行存储单元的读取动作时，先行针对感测放大装置的输入端进行预充电的动作，可加速后续的存储单元的数据信号的感测动作。
[0003]在已知技术中，常使预充电路具有固定的预充电时间。然而，当感测放大装置所接收的电源电压发生变化时，在这个固定的预充电时间中，预充电路可能使感测放大装置的输入端的电压被提升的程度不一样。例如，当电源电压变高时，感测放大装置的输入端的电压可被预充至一相对高的电压值；相对的，当电源电压变低时，感测放大装置的输入端的电压则可被预充至一相对低的电压值。上述的预充电动作的不稳定状态，会使的存储器应用在不同大小的电源电压的情况下，产生感测数据错误的现象，或者造成读取速度会随着电源电压的大小而有所不同。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的实施例，感测放大装置包括差动放大器、第一预充电路以及控制电压产生器。差动放大器具有第一输入端以及第二输入端以分别接收数据信号以及参考信号。第一预充电路耦接至第一输入端。第一预充电路基于电源电压，根据预充电启动信号以及控制电压以对第一输入端执行预充电动作。控制电压产生器根据电源电压以产生控制电压，其中控制电压与电源电压正相关。
[0005]根据本专利技术的实施例，存储器包括至少一存储单元以及感测放大装置。感测放大装置耦接至存储单元。感测放大装置包括差动放大器、第一预充电路以及控制电压产生器。差动放大器具有第一输入端以及第二输入端以分别接收数据信号以及参考信号。第一预充电路耦接至第一输入端。第一预充电路基于电源电压，根据预充电启动信号以及控制电压以对第一输入端执行预充电动作。控制电压产生器根据电源电压以产生控制电压，其中控制电压与电源电压正相关。
[0006]根据上述，本专利技术的感测放大装置通过控制电压以执行差动放大器的输入端上的预充电动作。其中，控制电压与电源电压正相关，因此，第一预充电路的预充电动作中，电源电压的变化可以获得补偿，并使预充电动作不受电源电压的变化影响。因此，存储器的整体动作可以独立于电源电压的变化。
附图说明
[0007]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0008]图1为本专利技术一实施例的感测放大装置的示意图；
[0009]图2为本专利技术实施例的感测放大装置中的预充电路的实施例的示意图；
[0010]图3为本专利技术图2实施例中，控制电压产生器200的实施例的波形图；
[0011]图4为本专利技术实施例的感测放大装置的预充电路的实施例的示意图；
[0012]图5为本专利技术一实施例的存储器的示意图；
[0013]图6为本专利技术另一实施例的存储器的示意图。
[0014]附图标号说明
[0015]100：感测放大装置；
[0016]110、511、611：差动放大器；
[0017]120、400、512、6121、6122：预充电路；
[0018]130、200：控制电压产生器；
[0019]210：恒定电流源；
[0020]310：曲线；
[0021]410、420：预充子电路；
[0022]500、600：存储器；
[0023]513、613：数据闩锁器；
[0024]BL、RBL：位线；
[0025]CELL、CELLR：存储单元；
[0026]DisC：放电控制信号；
[0027]DL、RBL：数据线；
[0028]DO：感测数据；
[0029]IN1、IN2：输入端；
[0030]MPP0、MNN0、MP0～MP5、MP01、MP11、MN2～MN6、MND、MND1、MND2、MPR2～MPR6、MNR0～MNR3：晶体管；
[0031]PC：预充电启动信号；
[0032]PCSb、PCWb：预充电启动子信号；
[0033]Sout：输出信号；
[0034]VCC：电源电压；
[0035]Vpgp：控制电压；
[0036]Vra：参考信号；
[0037]VREF、VSS：参考电压；
[0038]Vsa：数据信号；
[0039]Vthp：导通电压；
[0040]Y、Vsen、SET、SETN：信号。
具体实施方式
[0041]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0042]请参照图1，图1为本专利技术一实施例的感测放大装置的示意图。感测放大装置100包括差动放大器110、预充电路120以及控制电压产生器130。差动放大器110具有输入端IN1以
及IN2。差动放大器110的输入端IN1耦接至预充电路120，并接收数据信号。差动放大器110的输入端IN2则接收参考信号Vra。在本实施例中，差动放大器110的输入端IN1可耦接至一选中存储单元，其中选中存储单元被选中以执行一读取动作。选中存储单元可用以提供数据信号Vsa至差动放大器110的输入端IN1。预充电路120则在读取动作时，在数据信号Vsa被提供至差动放大器110的输入端IN1前，针对差动放大器110的输入端IN1进行一预充电动作。
[0043]差动放大器110用以比较输入端IN1上的数据信号Vsa以及输入端IN2上的参考信号Vra的大小，并通过放大数据信号Vsa以及参考信号Vra的差值来产生输出信号Sout。
[0044]在本实施例中，预充电路120可基于电源电压VCC，根据预充电启动信号PC以及控制电压Vpgp以对输入端IN1执行预充电动作。控制电压Vpgp由控制电压产生器130所提供。其中，控制电压产生器130根据电源电压VCC以产生控制电压Vpgp。在一实施例中，控制电压Vpgp与电源电压VCC正相关。
[0045]进一步来说明，控制电压产生器130可根据电源电压VCC的电压值大小来调整控制电压Vpgp的电压值。当电源电压VCC小于或等于一参考值时，控制电压Vpgp的电压值可以维持等于接近于0伏特的一低电压。当电源电压VCC大于上述的参考值时，控制电压Vpgp可以正比于电源电压VCC以线性上升。在本实施例中，当电源电压VCC大于上述的参考值时，控制电压Vpgp的变化量与电源电压VCC的变化量的可以是相等的。
[0046]由上述说明可以得知，当电源电压VCC产生变化时，预充电路120可以根据随着电源电压VCC的变化而动态改变的控制电压Vpgp，来维持对输入端IN1的预充电能力。如此一来，不论电源电压VCC产生如何的变化，差动放大器110的输入端IN1上的预充电动作都是恒定的。差动放大器110的输入端IN1上的电压，不会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感测放大装置，其特征在于，包括：差动放大器，具有第一输入端以及第二输入端以分别接收数据信号以及参考信号；第一预充电路，耦接至所述第一输入端，基于电源电压，根据预充电启动信号以及控制电压以对所述第一输入端执行预充电动作；以及控制电压产生器，根据所述电源电压以产生所述控制电压，其中所述控制电压与所述电源电压正相关。2.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，在所述电源电压大于参考值时，所述控制电压产生器使所述控制电压与所述电源电压成正比。3.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，所述控制电压产生器包括：第一晶体管，具有第一端接收所述电源电压，所述第一晶体管的第二端产生所述控制电压，所述第一晶体管的控制端接收第一参考电压，所述第一晶体管的导通电压值等于所述参考值；以及恒定电流源，耦接在所述第一晶体管的第二端与参考接地端间，其中所述参考接地端接收所述第一参考电压。4.根据权利要求3所述的感测放大装置，其特征在于，所述恒定电流源为第二晶体管，其中所述第二晶体管的第一端耦接至所述第一晶体管的第二端，所述第二晶体管的第二端耦接所述参考接地端，所述第二晶体管的控制端接收第二参考电压，其中所述第二参考电压大于所述第一参考电压。5.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，所述第一预充电路包括：第一预充子电路，耦接至所述第一输入端，根据第一预充电启动子信号以及所述控制电压以基于第一驱动能力以拉升所述第一输入端至所述电源电压；以及第二预充子电路，耦接至所述第一输入端，根据第二预充电启动子信号以及所述控制电压以基于第二驱动能力以拉升所述第一输入端至所述电源电压，其中所述第一驱动能力大于所述第二驱动能力。6.根据权利要求5所述的感测放大装置，其特征在于，所述第一预充子电路包括：第一晶体管，具有第一端以接收所述电源电压，所述第一晶体管的控制端接收所述第一预充电启动子信号；以及第二晶体管，具有第一端以耦接至所述第一晶体管的第二端，所述第二晶体管的控制端接收所述控制电压，所述第二晶体管的第二端耦接至所述第一输入端，其中所述第二晶体管的第一端与控制端间的电压差独立于所述电源电压。7.根据权利要求6所述的感测放大装置，其特征在于，所述第二预充子电路包括：第三晶体管，具有第一端以接收所述电源电压，所述第三晶体管的控制端接收所述第二预充电启动子信号；以及第四晶体管，具有第一端以耦接至所述第三晶体管的第二端，所述第四晶体管的控制端接收所述控制电压，所述第四晶体管的第二端耦接至所述第一输入端，其中所述第四晶体管的第一端与控制端间的电压差独立于所述电源电压。8.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，更包括：第二预充电路，耦接至所述第二输入端，基于所述电源电压，根据所述预充电启动信号以及所述控制电压以对所述第二输入端执行预充电动作，
其中所述第二输入端用以耦接至参考存储单元，所述参考存储单元用以提供所述参考信号。9.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，所述第一输入端用以耦接至选中存储单元，所述选中存储单元的位线提供所述数据信号。10.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，更包括：数据闩锁器，耦接至所述差动放大器的输出端，闩锁所述差动放大器的输出端上的输出信号以产生感测数据。11.一种存储器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗仁，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：