一种三维堆叠结构、芯片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三维堆叠结构、芯片、设备及制备方法。该三维堆叠结构，包括：堆叠连接的第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括相对设置的底面和顶面，所述底面为靠近所述第二晶圆的面；其中，沿所述第一晶圆的中心至所述第一晶圆的边缘的方向，所述顶面逐渐靠近所述第二晶圆。以提供一种提高加工过程可靠性的三维堆叠结构、芯片、设备及制备方法。设备及制备方法。设备及制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种三维堆叠结构、芯片及制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，尤其涉及一种三维堆叠结构、芯片及制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，缩减芯片制程尺寸所花费的成本越来越难以承受。而随着硅片减薄技术的成功使用，3DIC(Three Dimensional Integrated Circuit，三维集成电路)堆叠技术能够在缩小芯片尺寸的同时，还能有效地增强电子产品的功能和实现特有性能，因而被逐渐加强研究和使用。
[0003]在晶圆堆叠的过程中，为了增加晶圆键合强度和减少边缘的缺陷，会使用切边工艺去除晶圆边缘的缺陷区域。然而由于切边导致堆叠的晶圆的尺寸不同，从而使得3DIC进入研磨工序时，贴附的保护膜边缘与真空吸盘之间存在镂空，易出现真空吸盘报警或研磨损坏晶圆等问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的三维堆叠结构、芯片及制备方法。
[0005]第一方面，提供一种三维堆叠结构，包括：
[0006]堆叠连接的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维堆叠结构，其特征在于，包括：堆叠连接的第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括相对设置的底面和顶面，所述底面为靠近所述第二晶圆的面；其中，沿所述第一晶圆的中心至所述第一晶圆的边缘的方向，所述顶面逐渐靠近所述第二晶圆。2.如权利要求1所述的三维堆叠结构，其特征在于，所述第一晶圆的顶面包括：相对于所述底面呈上凸状的弧形面、相对于所述底面呈下凹状的弧形面、呈阶梯状的折面，或半锥面。3.如权利要求1所述的三维堆叠结构，其特征在于：所述第二晶圆包括相对设置的底面和顶面，所述第二晶圆的顶面为靠近所述第一晶圆的面；其中，沿所述第二晶圆的中心至所述第二晶圆的边缘的方向，所述第二晶圆的顶面逐渐靠近所述三维堆叠结构的背面，所述背面为研磨面。4.如权利要求3所述的三维堆叠结构，其特征在于：从所述第二晶圆的第一位置起，沿所述第二晶圆的中心至所述第二晶圆的边缘的方向，所述第二晶圆的顶面逐渐靠近所述背面；其中，所述第一位置位于所述第一晶圆在所述第二晶圆顶面的正投影之外。5.如权利要求1所述的三维堆叠结构，其特征在于：所述第一晶圆相对于所述第二晶圆更远离所述三维堆叠结构的背面；在研磨所述背面时，所述第一晶圆的顶面贴附有保护膜层，所述保护膜层的厚度大于所述第一晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨刚，朱晓薇，殷鹏，董辉，赵祥，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：