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本发明公开了一种三维堆叠结构、芯片、设备及制备方法。该三维堆叠结构，包括：堆叠连接的第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括相对设置的底面和顶面，所述底面为靠近所述第二晶圆的面；其中，沿所述第一晶圆的中心至所述第一晶圆的边缘的方向，所述顶面逐渐...
该专利属于西安紫光国芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安紫光国芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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