存内计算芯片制造技术

本发明专利技术公开了存内计算芯片。该存内计算芯片包括：至少一层第一芯粒和至少一层第二芯粒。第一芯粒包括至少一个第一单元，所述第一单元包括多个存储节点。至少一层第二芯粒与至少一层第一芯粒堆叠，第二芯粒包括至少一个第二单元，第二单元包括计算控制单元；其中，第一单元和/或第二单元还包括多个计算节点，多个计算节点和多个存储节点构成存内计算单元，一个计算控制单元与至少一个存内计算单元之间垂直互连。通过本发明专利技术提供一种降低存内计算芯片数据搬移的功耗和时间成本的方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子，尤其涉及一种存内计算芯片。

技术介绍

1、存内计算芯片包括控制单元和存内计算单元，存内计算单元包括存储节点和计算节点，存储节点和计算节点以极小的颗粒度组织(通常为位计算级别)，能够在各个领域(例如人工智能领域)起到重要作用。

2、然而，受限于控制单元和存内计算单元的布局约束，目前的存内计算芯片的数据搬移的功耗较大，时间较长。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的存内计算芯片。

2、第一方面，提供一种存内计算芯片，包括：

3、至少一层第一芯粒，所述第一芯粒包括至少一个第一单元，所述第一单元包括多个存储节点；

4、至少一层第二芯粒，所述至少一层第二芯粒与所述至少一层第一芯粒堆叠，所述第二芯粒包括至少一个第二单元，所述第二单元包括计算控制单元；

5、其中，所述第一单元和/或所述第二单元还包括多个计算节点，多个所述计算节点和多个所述存储节点构成存内计算单元，一个所述计算控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存内计算芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存内计算芯片，其特征在于，所述第一芯粒为至少两层，各层所述第一芯粒堆叠并垂直互连；

3.根据权利要求2所述的存内计算芯片，其特征在于，所述第一单元的多个存储节点沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一单元的多个计算节点沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；

4.根据权利要求2所述的存内计算芯片，其特征在于，一个所述计算控制单元与不同层的至少两个所述存内计算单元之间垂直互连；或者

5.根据权利要求2所述的存内计算芯片，其特征在于，所述计算控制单元在所述第二...

【技术特征摘要】

1.一种存内计算芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存内计算芯片，其特征在于，所述第一芯粒为至少两层，各层所述第一芯粒堆叠并垂直互连；

3.根据权利要求2所述的存内计算芯片，其特征在于，所述第一单元的多个存储节点沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一单元的多个计算节点沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；

4.根据权利要求2所述的存内计算芯片，其特征在于，一个所述计算控制单元与不同层的至少两个所述存内计算单元之间垂直互连；或者

5.根据权利要求2所述的存内计算芯片，其特征在于，所述计算控制单元在所述第二芯粒上的正投影与所述存内计算单元在所述第二芯粒上的正投影基本重叠。

6.根据权利要求1所述的存内计算芯片，其特征在于，所述第一芯粒为至少一层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：江喜平，郭一欣，龙晓东，郭富智，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：