半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种能够改善栅致漏极泄露的半导体装置及其制造方法。根据本发明专利技术的一个实施例，一种半导体装置包括：衬底，其包括沟槽；栅绝缘层，其覆盖所述沟槽的底表面和侧壁；以及栅电极结构和覆盖层，它们顺序地堆叠在所述栅绝缘层之上并填充所述沟槽，其中，所述栅电极结构包括：第一栅电极，其包括金属氮化物；第二栅电极，其形成在所述第一栅电极之上，具有与所述第一栅电极相同的金属氮化物，并具有比所述第一栅电极低的功函数；以及第三栅电极，其形成在所述第二栅电极之上，具有比所述第二栅电极的厚度更小的厚度，并包括非金属材料。料。料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月10日提交的韩国专利申请第10
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2022
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0029927的优先权，其全部内容通过引用合并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法，更具体地说，涉及一种包括掩埋栅的半导体装置和制造该半导体装置的方法。

技术介绍

[0004]随着电子工业的高度发展，对高度集成的半导体装置的需求也在增加。相应地，出现了各种问题，例如用于限定精细图案的曝光工艺的工艺余量减小，从而使半导体装置的制造变得越来越难。此外，随着电子工业的发展，对高速半导体装置的需求也在增加。为了满足对半导体装置的高集成度和/或高速度的要求，人们正在进行各种研究。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例提供了一种具有改进的电气特性的半导体装置和制造该半导体装置的方法。
[0006]根据本专利技术的一个实施例，一种半导体装置包括：衬底，其包括沟槽；栅绝缘层，其覆盖所述沟槽的底表面和侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：衬底，其包括沟槽；栅绝缘层，其覆盖所述沟槽的底表面和侧壁；以及栅电极结构和覆盖层，它们顺序地堆叠在所述栅绝缘层之上并填充所述沟槽，其中，所述栅电极结构包括：第一栅电极，其包括金属氮化物；第二栅电极，其形成在所述第一栅电极之上，具有与所述第一栅电极相同的金属氮化物，并具有比所述第一栅电极低的功函数；以及第三栅电极，其形成在所述第二栅电极之上，具有比所述第二栅电极的厚度小的厚度，并包括非金属材料。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属氮化物包括氮化钛。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极包括掺杂硅的氮化钛。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极包括具有电阻率比所述第一栅电极小的材料。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极包括富氮氮化钛。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极包括富钛氮化钛。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三栅电极包括N型多晶硅。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三栅电极包括具有比所述第二栅电极的功函数低的功函数的材料。9.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括在所述沟槽的两侧上所述衬底中的掺杂区域。10.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成沟槽；形成覆盖所述沟槽的底表面和侧壁的栅绝缘层；在所述栅绝缘层之上形成包括金属氮化物的第一栅电极；在所述第一栅电极之上形成第二栅电极，所述第二栅电极具有与所述第一栅电极相同的金属氮化物，并具有比所述第一栅电极低的功函数；以及在所述第二栅电极之上形成第三栅电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东洙，金泰均，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：