一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法及其产品技术

本发明专利技术提供了一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法及其产品，涉及烧结钕铁硼磁性材料技术领域。具体包括以下步骤：S1将钕铁硼磁体半成品经磁体线切割成黑片磁体、煮沸、倒角；S2检测磁体老化指标是否合格；S3对步骤S2检测不合格的磁体先进行烘烤、再倒角后，重复步骤S2和S3，直至指标合格；S4酸洗、电镀。其中，步骤S2中，磁体老化指标合格的参数为：磁损在3％以下。步骤S3中，烘烤温度100

【技术实现步骤摘要】
一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法及其产品


[0001]本专利技术属于烧结钕铁硼磁性材料
，具体涉及一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法及其产品。

技术介绍

[0002]钕铁硼永磁体是目前磁性最强的永磁体，由于其具有高磁能积、高性价比等优异特性，现已广泛应用于航空、航天、微博通讯技术、电子、电声、机电、计算技术、自动化技术、汽车工业、石油化工、磁分离技术、仪器仪表、磁医疗技术及其他需用永磁磁场的装置和设备中，特别适用于研制高性能、小型化、轻型化的各种换代产品。钕铁硼系永磁材料是当今和今后相当长一段时间内最重要的永磁材料，它的出现开辟了稀土永磁领域的新开端。
[0003]根据钕铁硼磁性材料的性能，高温磁通不可逆磁通损失率、剩磁、矫顽力、磁能积是钕铁硼材料的关键指标。其中钕铁硼磁性材料高温不可逆磁通损失率是指一定尺寸磁体经技术充磁到技术饱和，并去掉外磁场，在室温下测量处于剩磁状态的相对磁性能，然后将磁体加热到某一温度，如80℃、100℃、120℃、180℃、200℃等保温2
‑
10h，此后冷却到室温，再用相同仪器测量其室温磁通。
[0004]综上，如果能降低高温不可逆磁通损失，则对于提高钕铁硼材料品质、减少磁体报废率具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法，在不改变磁体成分的前提下，通过简单、高效的方法可解决现有工艺条件下烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失高的问题。处理工艺易于操作，对设备和能耗的要求较低，尤其适用于大规模工业化生产。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法，具体包括以下步骤：
[0007]S1将钕铁硼磁体半成品经磁体线切割成黑片磁体、煮沸、倒角；
[0008]S2检测磁体老化指标是否合格；
[0009]S3对步骤S2检测不合格的磁体先进行烘烤、再倒角后，重复步骤S2和S3，直至指标合格；
[0010]S4酸洗、电镀。
[0011]在一优选的实施方式中，步骤S1中，所述钕铁硼磁体半成品指按照钕铁硼磁体常规生产流程得到的产品，具体加工工艺及参数可采用本领域技术人员已知的作业方式，包括：配料－熔炼－氢破－气流磨－成型－烧结－一级回火
‑
二级回火后得到的半成品磁体。在本领域中，也会将前述工艺得到的半成品磁体称为钕铁硼毛坯。
[0012]在一优选的实施方式中，步骤S1中，所述黑片磁体同样为本领域常规的半成品产
品，切割条件和产品尺寸不作具体限定。例如可通过磁体线切割成24mm
×
12.83mm
×
1.8mm的黑片磁体。
[0013]在一优选的实施方式中，步骤S1中，所述煮沸的目的是去除黑片磁体表面的油泥和切削液，具体的加工参数不作限定，达到前述目的即可。
[0014]在一优选的实施方式中，步骤S1中，所述倒角操作可采用本领域技术人员已知的作业方式，例如采用振动倒角处理4
‑
5h，再去除表面水分即可。
[0015]在一优选的实施方式中，步骤S2中，检测磁体老化指标的具体操作步骤包括：
[0016]将S1处理后的磁体充磁至饱和；去除外加磁场，测量磁通值，记为M1；
[0017]将磁体置于烘箱内以100℃
‑
150℃烘烤120mi n，待磁体自然冷却至环境温度后，再次测量磁通值，记为M2；
[0018]按式I计算磁损：
[0019][0020]在一优选的实施方式中，步骤S2中，检测环境的温度为20
±
2℃、湿度≤60％。
[0021]在一优选的实施方式中，步骤S2中，所述磁体老化指标合格的参数为：磁损在3％以下。
[0022]在一优选的实施方式中，步骤S3中，所述烘烤条件为：烘烤温度100
‑
200℃，烘烤时间2
‑
10h。
[0023]在一优选的实施方式中，步骤S3中，所述倒角操作可与步骤S1的倒角操作一致，其作用是在烘烤后保证产品光洁度以及便于后续加工处理。
[0024]在一优选的实施方式中，步骤S4中，所述酸洗和电镀均为本领域技术人员常规操作，因此不作具体限定。
[0025]本专利技术的另一目的在于提供上述任意一项方法处理后得到的钕铁硼磁体，在相同的工艺流程及加工参数下，通过增加检测老化、对不合格产品进行烘烤和二次倒角的步骤后，可有效降低磁体的高温不可逆磁通损失，大大提高产品在使用过程中的稳定性。
[0026]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有如下优点：
[0027]本专利技术在常规钕铁硼磁体的生产工艺中，加入检测老化的工艺指标，通过检测对磁损高的磁体进行低温、短时烘烤和二次倒角处理，即可以简单的方法最大程度提高产品合格率，降低高温不可逆的磁通损失。在不改变产品成分的前提下，有效降低生产成本，减少废品产生，且操作过程简单、高效，具有较好的使用和推广价值，有助于工厂提高产品竞争力。
附图说明
[0028]从下面结合附图对本专利技术实施例的详细描述中，本专利技术的这些和/或其它方面和优点将变得更加清楚并更容易理解，其中：
[0029]图1为本专利技术提供的工艺流程示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术，下面结合附图和具体实施方式对本发
明作进一步详细说明，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0031]本专利技术实施例通过提供一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法及其产品，解决现有技术中常规工艺中钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失率高、废品率居高不下的问题。
[0032]下面通过具体实施例详细说明本申请的技术方案：
[0033]若未特别指明，本专利技术中所用技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，本专利技术中所用的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。本专利技术所用试剂如无特殊说明均为分析纯。
[0034]实施例1
[0035]S1将牌号为40H的钕铁硼毛坯，加工成24mm
×
12.83mm
×
1.8mm的黑片磁体，煮沸处理掉表面的油泥和切削液，振动倒角5h，手动吹干产品表面水分，冷却。
[0036]S2取样品15片，用记号笔做编号标识，记录的数值要与测试样品标记相对应。将样品放入线圈中充磁至饱和状态。去除外加磁场，将样品放置在磁通值测量室，在20
±
2℃、湿度≤60％环境下30mi n，测量初试磁通值，记为M1，之后放置烘箱中进行100℃/2h烘烤处理，烘烤结束后将磁体放置在磁通值测量室，自然冷却至环境温度，测量热退磁后的磁通值，记为M2，按式I计算磁损：
[0037][0038]S3将磁损≥2％的样品放置进烤箱中，以150℃烘烤2h本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1将钕铁硼磁体半成品经磁体线切割成黑片磁体、煮沸、倒角；S2检测磁体老化指标是否合格；S3对步骤S2检测不合格的磁体先进行烘烤、再倒角后，重复步骤S2和S3，直至指标合格；S4酸洗、电镀。2.如权利要求1所述的降低烧结钕铁硼磁体高温不可逆磁通损失的方法，其特征在于，步骤S2中，检测磁体老化指标的具体操作步骤包括：将S1处理后的磁体充磁至饱和；去除外加磁场，测量磁通值，记为M1；将磁体置于烘箱内以100℃
‑
150℃烘烤120min，待磁体自然冷却至环境温度后，再次测量磁通值，记为M2；按式I计算...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀红，尉江，冯亚军，
申请(专利权)人：中磁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：