一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法技术

本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤，形成缺陷层；再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层，形成复合基底；将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体，并进行热处理形成复合薄膜。本发明专利技术的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层，能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗，防止影响其在电子元器件制备中的应用。应用。应用。

【技术实现步骤摘要】
一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法


[0001]本申请属于半导体元件制备领域，特别涉及一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜材料在当今半导体产业中成为越来越重要的材料。其满足了电子元器件向小型化、低功耗、高性能方向发展的要求。近年来一种被称为绝缘体上的薄膜结构材料越来越引起工业界的重视。其主要包含最上方的有源层、中间的绝缘介质层和半导体衬底。这种绝缘体上的薄膜结构在CPU芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器的都展现出良好的应用性能。
[0003]当绝缘体与半导体材料接触时，界面上会由于缺陷能级的存在吸引附近半导体材料中的载流子在界面附近集中，产生表面寄生电导效应(ParasiticSurface Conductance,PSC)。这种效应会对一些元器件的最终性能带来恶劣的影响，如金属
‑
氧化物
‑
半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件中电学性能稳定性，一些射频器件如放大器，滤波器，调制器等的射频损耗。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含电荷阻隔层的复合基底，其特征在于，依次包括：衬底层、电荷阻隔层、缺陷层和隔离层；所述电荷阻隔层用于阻止所述缺陷层中的电荷下溢。2.根据权利要求1所述的复合基底，其特征在于，电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对衬底层的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得的。3.根据权利要求2所述的复合基底，其特征在于，在基于界面热扩散法制备电荷阻隔层时，将衬底层的工艺面与Ge片进行贴片键合，在真空或惰性气氛条件下通过界面热扩散退火达到键合，退火后清洗剥离Ge片并干燥。4.根据权利要求2所述的复合基底，其特征在于，在基于离子注入掺杂法制备电荷阻隔层时，使用Ge
+
和/或P
5+
进行离子注入掺杂；所述离子注入的剂量≤1
×
10
14
ions/cm2，离子注入的能量为20～30kev，离子注入的深度为1～10nm。5.一种含电荷阻隔层的复合薄膜，其特征在于，包括权利要求1所述的复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层。6.一种制备权利要求5所述的含电荷阻隔层的复合薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备衬底基板和薄膜基体；S2、对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明珠，连坤，王金翠，张涛，董玉爽，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：