表面处理装置(10)具备：被处理件载置部(50)(载置机构)，载置被处理件(W)；腔室(20)(收容单元)，收容载置于被处理件载置部的被处理件；等离子生成装置(21)(表面处理机构)、溅镀装置(22)(表面处理机构)，对收容于腔室的被处理件进行至少1种表面处理；被处理件输送部(40)(输送机构)，将载置于被处理件载置部的被处理件沿着等离子生成装置及溅镀装置输送；以及C轴旋转马达(55)及B轴旋转马达(57)(第1调整机构)，根据被处理件输送部的输送位置和等离子生成装置或溅镀装置的位置，调整被处理件的朝向。的朝向。的朝向。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理装置及表面处理方法
[0001]本专利技术涉及对被处理件进行表面处理的表面处理装置及表面处理方法。
技术介绍
[0002]以往，已知有使用通过使用等离子进行被处理件的表面的清洗或改性而形成金属催化剂层或SiOx膜等的表面处理装置或溅镀装置在被处理件的表面上形成薄膜的表面处理装置。
[0003]例如，在专利文献1所记载的成膜装置中，将安设于台车上的多个基板输送到成膜装置的内部，进行需要的表面处理。此外，作为表面处理的一例，已知有在专利文献2中记载的等离子处理。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开平4－231464号公报
[0007]专利文献2：国际公开第2017/159838号
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的课题
[0009]专利文献1的成膜装置具有适合进行大量的被处理件的表面处理的构造，由于装置的规模较大，所以不适合小规模生产到中规模生产。此外，在进行被处理件的表面处理时，希望能够用1个装置进行溅镀或专利文献2中记载的等离子处理等不同种类的表面处理。
[0010]本专利技术是鉴于上述而做出的，目的是提供一种适合进行少量到中量的材料的表面处理的表面处理装置及表面处理方法。
[0011]用来解决课题的手段
[0012]为了解决上述课题、达成目的，有关本专利技术的表面处理装置具备：载置机构，载置被处理件；收容单元，收容载置于上述载置机构的上述被处理件；表面处理机构，对收容于上述收容单元的上述被处理件进行至少1种表面处理；输送机构，将载置于上述载置机构的上述被处理件沿着上述表面处理机构输送；以及第1调整机构，根据上述输送机构的输送位置和上述表面处理机构的位置，调整上述被处理件的朝向。
[0013]专利技术效果
[0014]有关本专利技术的表面处理装置起到适合进行少量到中量的被处理件的表面处理的效果。
附图说明
[0015]图1是第1实施方式的表面处理装置的概略结构图。
[0016]图2是第1实施方式的表面处理装置的腔室内部的俯视图。
[0017]图3是表示被处理件的安装构造的分解立体图。
[0018]图4是表示被处理件的安装构造的剖视图。
[0019]图5是说明调整被处理件的朝向的机构的正视图。
[0020]图6是说明调整被处理件的朝向的机构的侧视图。
[0021]图7是说明调整被处理件的朝向的机构的俯视图。
[0022]图8是说明调整被处理件的高度方向的倾斜的方法的图。
[0023]图9是说明在进行表面处理时调整被处理件的朝向的状况的图。
[0024]图10是表示HCD电极的构造的一例的剖视图。
[0025]图11是表示溅镀电极的构造的一例的剖视图。
[0026]图12是表示表面处理装置对被处理件实施的表面处理的一例的图。
[0027]图13是表示表面处理装置对被处理件实施表面处理时的腔室内的压力变化的一例的图。
[0028]图14是表示表面处理装置在对被处理件实施表面处理时进行的处理的流程的一例的流程图。
[0029]图15是表示被处理件的安装构造的分解立体图。
[0030]图16是表示将被处理件用基台和基材保持器夹持的状态的一例的剖视图。
[0031]图17是更详细地说明调整被处理件的高度方向的倾斜的方法的图。
[0032]图18是表示调整被处理件的高度方向的倾斜的处理的流程的一例的流程图。
[0033]图19是第2实施方式的表面处理装置的腔室内部的俯视图。
[0034]图20是表示第2实施方式的表面处理装置中的被处理件的安装构造的分解立体图。
[0035]图21是表示第2实施方式的表面处理装置中的被处理件的安装构造的剖视图。
具体实施方式
[0036]以下，基于附图详细地说明有关本公开的表面处理装置的实施方式。另外，并不由该实施方式限定该专利技术。此外，在下述实施方式的构成要素中，包括本领域技术人员能够替换且能够容易地想到者、或实质上相同者。
[0037](1.第1实施方式)
[0038]本公开的第1实施方式是对由例如塑料树脂等树脂材料成形的500
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600mm左右的大面积的被处理件W(工件)的表面进行表面处理的表面处理装置10的例子。更具体地讲，表面处理装置10在被处理件W的表面上通过溅镀形成作为铝(Al)的薄膜的Al层。然后，表面处理装置10通过对Al层照射等离子，在被处理件W的表面生成SiOx膜。生成了SiOx膜的被处理件W的表面其耐环境性提高。此外，通过表面处理装置10，对被处理件W的表面照射氧等离子，例如通过溅镀生成作为镀层种子层的铜，由此，后工序中的镀层加工时成为基底的薄膜的密接性提高。
[0039][1－1.表面处理装置的整体结构的说明][0040]首先，使用图1说明表面处理装置10的概略构造。图1是第1实施方式的表面处理装置的概略结构图。
[0041]如图1所示，表面处理装置10具备内包于腔室20的被处理件载置部50、被处理件输
送部40、HCD(Hollow Cathode Discharge，空心阴极放电)电极21a和溅镀电极22a。
[0042]腔室20是对收容在内部中的被处理件W进行表面处理的密闭的反应容器。腔室20具有在图1所示的XYZ坐标系中以X轴方向为较长方向的长方体形状。另外，腔室20是本公开的收容单元的一例。
[0043]被处理件载置部50将被处理件W以沿着Y轴方向大致立起的状态载置。另外，被处理件载置部50是本公开的载置机构的一例。被处理件载置部50具备移动台41、安装台47和安装轴48。
[0044]移动台41是设置被处理件W的台座。移动台41被后述的被处理件输送部40沿着X轴输送。另外，移动台41是本公开的台座部件的一例。
[0045]安装台47设置在移动台41上，是作为安装被处理件W的底座的部件。另外，安装台47是本公开的底座部件的一例。
[0046]安装轴48将被处理件W支承在安装台47上。另外，安装轴48是本公开的支承部件的一例。
[0047]被处理件输送部40将载置在被处理件载置部50上的被处理件W沿着腔室20的较长方向(X轴)输送。另外，被处理件输送部40是本公开的输送机构的一例。
[0048]被处理件输送部40是由输送用马达43驱动的1轴的移动工作台。具体而言，被处理件输送部40使设置在移动台41上的被处理件载置部50沿着槽部42移动。另外，移动台41是本公开的台座部件的一例。另外，被处理件输送部40的结构并不限定于图1所记载的例子。例如，也可以为带式输送机式。
[0049]溅镀电极22a是作为本公开的表面处理机构的一例的溅镀装置22的电极。溅镀装置22从设置在溅镀电极22a上的靶极将用于成膜的原子弹出，通过使被弹出的原子密接于被处理件W的表面而进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种表面处理装置，其特征在于，具备：载置机构，载置被处理件；收容单元，收容载置于上述载置机构的上述被处理件；表面处理机构，对收容于上述收容单元的上述被处理件进行至少1种表面处理；输送机构，将载置于上述载置机构的上述被处理件沿着上述表面处理机构输送；以及第1调整机构，根据上述输送机构的输送位置和上述表面处理机构的位置，调整上述被处理件的朝向。2.如权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，上述第1调整机构将上述被处理件的朝向绕与上述输送机构的输送方向及构成上述表面处理机构的电极的法线方向都正交的轴调整。3.如权利要求1或2所述的表面处理装置，其特征在于，上述第1调整机构将上述被处理件的朝向绕该被处理件的法线方向调整。4.如权利要求1～3中任一项所述的表面处理装置，其特征在于，还具备：测量机构，在上述表面处理机构进行表面处理之前，测量上述被处理件的高度方向的歪斜；以及第2调整机构，基于上述测量机构测量出的上述歪斜，将上述被处理件的高度方向的倾斜调整为规定的值。5.如权利要求4所述的表面处理装置，其特征在于，上述测量机构基于在上述被处理件的高度方向的不同的多个位置处测量出的上述测量机构与上述被处理件的距离，测量上述被处理件的高度方向的歪斜。6.如权利要求1～5中任一项所述的表面处理装置，其特征在于，上述载置机构具...
【专利技术属性】
技术研发人员：深田和宏，福山聪，小久保光典，难波武志，
申请(专利权)人：芝浦机械株式会社，
类型：发明
国别省市：
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